“抗光衰性能”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3303042个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种双面电池抗光衰设备-CN201810884158.8在审
发明人：王新华;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面电池抗光衰设备，包括：相对于双面电池的正面进行设置、用于对双面电池的正面进行抗光衰处理的第一抗光衰处理装置；相对于双面电池的背面进行设置、用于对双面电池的背面进行抗光衰处理的第二抗光衰处理装置；设置在第一抗光衰处理装置和第二抗光衰处理装置之间、用于带动双面电池相对于第一抗光衰处理装置和第二抗光衰处理装置进行移动的输送带；输送带上设置有若干沿其厚度方向上贯穿分布的通孔。本申请公开的上述技术方案，在输送带输送双面电池过程中，第一抗光衰处理装置对双面电池正面进行处理，第二抗光衰处理装置通过通孔对背面进行处理，以对双面电池的正面和背面同时进行抗光衰处理，使其具有良好的抗光衰性能
光衰双面电池处理装置背面输送带通孔抗光衰性能输送带输送贯穿移动申请

[实用新型]一种双面电池抗光衰设备-CN201821259598.6有效
发明人：王新华;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面电池抗光衰设备，包括：相对双面电池的正面进行设置、用于对双面电池的正面进行抗光衰处理的第一抗光衰处理装置；相对双面电池的背面进行设置、用于对双面电池的背面进行抗光衰处理的第二抗光衰处理装置；设置在第一抗光衰处理装置和第二抗光衰处理装置之间、用于带动双面电池相对于第一抗光衰处理装置和第二抗光衰处理装置进行移动的输送带；输送带上设置有若干沿其厚度方向上贯穿分布的通孔。本申请公开的上述技术方案，在输送带输送双面电池过程中，第一抗光衰处理装置对双面电池正面进行处理，第二抗光衰处理装置通过通孔对背面进行处理，以对双面电池的正面和背面同时进行抗光衰处理，使其具有良好的抗光衰性能
光衰双面电池处理装置背面输送带通孔本实用新型抗光衰性能输送带输送贯穿移动申请

[发明专利]晶硅太阳能电池光衰异常分析方法及系统-CN202310845872.7在审
发明人：高翰文 -专利权人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开晶硅太阳能电池光衰异常分析方法及系统，该方法包括：取设定掺杂了元素A，在IV电性能测试机上测试电池片的原始的电性能数据；通过PL测试机测试电池片的正面并保存原始PL图片；将电池片过抗光衰炉；然后在IV电性能测试机上测试当前的电性能数据；通过PL测试机测试电池片的正面并保存当前PL图片；将原始的电性能数据与当前的电性能数据、原始PL图片与当前PL图片分别进行对比；在过抗光衰炉后相较于过抗光衰炉前，若设定掺杂了元素A的电池片的电性能数据以及PL图像亮度的变化情况，与实际掺杂了元素A的电池片的电性能数据以及PL图像亮度变化情况不同，则光衰异常为电池片本身掺杂导致。
太阳能电池异常分析方法系统

[发明专利]抽检式太阳能电池片电注抗光衰工艺-CN201810226481.6在审
发明人：张海生;李华超 -专利权人：苏州巨能图像检测技术有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明抽检式太阳能电池片电注抗光衰工艺，包括如下步骤：1）硅片于烧结炉中烧结后，直接放置于输送轨道上，输送轨道为与电注抗光衰主机一体式连接；2）输送轨道输送硅片进入电注抗光衰主机进行电注抗光衰处理，电注抗光衰主机上设置有若干检测工位；3）电注抗光衰处理过程中，通过抽样检测指令下达，检测工位处排除其相应位置处的样品，此时电注抗光衰主机间接性停止作业，等待样品检测结果；41）样品检测结果为合格时，电注抗光衰主机继续作业；42）样品检测结果为不合格时
电注光衰主机样品检测结果输送轨道太阳能电池片硅片一体式连接抽样检测工艺调整设备维修直接放置指令下达烧结工位处间接性烧结炉位置处检测工位

[发明专利]一种低光衰LED环氧封装胶-CN201911042603.7在审
发明人：杨诗超;杨泽树 -专利权人：惠州市鑫惠利光电材料有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本发明公开一种低光衰LED环氧封装胶，LED的性能除了其本身的性质外，还受封装材料的影响，LED热量的积累会使得封装材料的温度上升，从而影响封装材料本身的强度、耐热性、抗光衰等物化性能，LED的封装材料主要有环氧树脂材料、有机硅树脂材料、改性环氧树脂材料，其中随着改性环氧树脂的发展，改性环氧树脂能够兼顾环氧树脂材料及有机硅树脂材料的优异性能，但常规的改性环氧树脂的热稳定性仍无法使其能够应用在大功率LED上，其在长期使用下存在光衰大的缺点本发明由组分A与组分B组成，组分A与组分B混合固化形成的固化物应用在LED封装时，能够大幅度减少LED的光衰程度，同时具备优良的耐候性、透光性、耐冷热冲击和抗回流焊能力。
改性环氧树脂封装材料光衰有机硅树脂材料环氧树脂材料耐热性大功率LED 冷热冲击热稳定性物化性能优异性能常规的封装胶固化物回流焊耐候性透光性低光固化应用积累

[发明专利]一种抗光衰LED固晶绝缘胶-CN201210544105.4无效
发明人：鲁百舫 -专利权人：江门市江海区亿宏光电有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种抗光衰LED固晶绝缘胶，包括以下重量配比的组分：脂环族环氧树脂55.5-65.5%，双酚S环氧树脂4.5-7.8%，苯基硅树脂11.2-28.2%，增韧剂3.2-4.5%，有机触变剂3.5-5.5%，液体热稳定剂2.4-3.7%，液体光稳定剂2.4-3.7%，阳离子固化剂0.2-5%，偶联剂0.1-2%，通过采用以上组分以及配比，得到的该抗光衰LED固晶绝缘胶，具有高抗光衰减、高寿命、良好的抗UV（紫外线）特性、无黄变、优越的粘接性能、绝缘性能优异等特性。
一种抗光衰 led 绝缘

[发明专利]晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法-CN201710255947.0在审
发明人：任常瑞;符黎明 -专利权人：常州时创能源科技有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，包括如下步骤1）对晶体硅太阳能电池片进行转换效率的一次测量；2）在一定温度条件下，通过电注入的方式，向晶体硅太阳能电池片注入电流；3）对电注入后的晶体硅太阳能电池片进行转换效率的二次测量；4）计算出晶体硅太阳能电池片的实际光衰率；5）将上述实际光衰率与预设的良品光衰率比较，若实际光衰率不大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力合格的良品；若实际光衰率大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力不合格的不良品本发明可在较低的能耗下，快速的对晶体硅太阳能电池片进行光衰测试，从而达到实时监控生产工艺的目的。
晶体太阳能电池片抗光衰能力检测方法

[实用新型]一种抗产品光衰的装置-CN201921246369.5有效
发明人：张晓明 -专利权人：哈尔滨海格科技发展有限责任公司
申请日： 2019-08-03 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗产品光衰的装置，包括引线框架，所述引线框架的顶部中心处设置有芯片，且芯片的顶部连接有金线，并且芯片和引线框架连接处的外侧设置有硅胶防护层，所述硅胶防护层包裹于芯片的外侧，且芯片顶部的金线与硅胶防护层之间相互贯穿该抗产品光衰的装置，能够方便产品芯片的安装定位，使得芯片的安装和加固更加便捷，同时加固完成后，能够对芯片的安装进行隔离防护，避免刚性连接导致的芯片使用受损，延长芯片的使用寿命，从而达到抗光衰的目的，利用硅胶受热膨胀应力小，对芯片不能构成损伤，达到抗光衰的目的，操作简单，能够有效的达到产品抗光衰的使用目的。
芯片光衰硅胶防护层引线框架金线本实用新型安装定位产品芯片顶部中心刚性连接隔离防护使用寿命受热膨胀外侧设置芯片使用硅胶损伤受损贯穿

[实用新型]一种抗光衰炉的灯源模组及抗光衰炉-CN201920015925.1有效
发明人：王会;刘品德;朱速锋;戴向荣 -专利权人：苏州南北深科智能科技有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗光衰炉的灯源模组及抗光衰炉，灯源模组包括光学模组和电学模组，所述光学模组包括固定座和设置在所述固定座上的多个可独立控制的光源装置，所述光学模组还包括罩设在所述光源装置的发光表面外的多个聚光透镜装置该抗光衰炉的灯源模组结构简单，在光源装置的发光表面外罩设有聚光透镜装置，通过聚光透镜装置可调整光源装置发出的光线的角度，从而增加光线光强，进而提高硅片的抗光衰能力。
光衰灯源模组光源装置聚光透镜装置光学模组发光表面固定座本实用新型独立控制可调整电学光强硅片模组外罩

[实用新型]一种晶硅电池片电注入工艺的双通道电注入式抗光衰炉-CN202120000370.0有效
发明人：王泉龙;李琪;孙珠珠;周国栋 -专利权人：江苏中宇光伏科技有限公司
申请日： 2021-01-02 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶硅电池片电注入工艺的双通道电注入式抗光衰炉，其技术方案是：包括外壳，所述外壳底部内壁固定安装有两个水箱，所述外壳底部内壁固定安装有底板，所述底板位于两个水箱内侧，所述底板顶部设有抗光衰炉本体，所述外壳内部设有散热机构，所述散热机构包括电机，所述电机固定安装在外壳一侧，其中一个所述水箱一侧与外壳一侧开设有空腔一，本实用新型的有益效果是：转轴四转动可以带动风扇转动就可以将抗光衰炉本体产生的热量吹到外壳外部，还可以加快外壳内部的空气流速，就可以加快对抗光衰炉本体的散热效率，较少散热的时间，可以使抗光衰炉本体内部的温度不在上升，不会使抗光衰炉本体内部的晶硅电池片损坏。
一种电池注入工艺双通道式抗光衰炉

[实用新型]抗光衰炉和热处理设备-CN202121601143.X有效
发明人：左国军;磨建新;唐洪湘;吴勇茂;危建 -专利权人：常州捷佳创智能装备有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请提供了一种抗光衰炉和热处理设备，抗光衰炉包括：光照组件，光照组件用于进行光照辐射；送风装置，与光照组件间隔地设置，送风装置和光照组件之间的间隔构造出抗光衰炉的炉腔，炉腔为敞开式设计，送风装置用于向炉腔送风
抗光衰炉热处理设备

[发明专利]太阳能电池片抗光衰设备及其上下料系统和上下料方法-CN201710941003.9有效
发明人：李志刚;雷合鸿;黄海 -专利权人：武汉帝尔激光科技股份有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池片抗光衰设备，包括本体，本体顶部设有激光发生器模组，本体下部设有与激光发生器模组配合进行抗光衰工艺的工作平台，还包括太阳能电池片抗光衰设备上下料系统。太阳能电池片抗光衰设备上下料系统，包括上料组件，上料组件包括上料传送模组，上料传送模组的末端设有准备工位；转移组件包括直线运动机构和设置在直线运动机构上的上料转移组件和下料转移组件；下料组件包括用于将加工后的电池片传输至下一道工序的下料传送模组通过采用本发明抗光衰设备及其上下料系统和上下料方法，能够与上下道工序对接，提高生产效率。
太阳能电池片抗光衰设备及其上下系统方法

[发明专利]一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法和应用-CN201811542505.5有效
发明人：贾佳;周肃;黄青松;黄惜惜;邱家梁;张鑫义;勾宪芳;黄国平;张会学;明杰;陈中一 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法和应用，属于太阳能电池技术领域。一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法，包括：向晶硅太阳能电池片通入递减式电流，递减式电流的通入方式包括依次进行的n个阶段。该方法通过采用递减式电流的注入方式匹配不同阶段温度变化来降低光衰幅度、提高具有优良抗光衰能力电池比例。减少电注入退火过程中晶硅太阳能电池片间的温度差异，使片间温度均匀性更好，晶硅太阳电池在70℃、800W/m2光衰处理30h后的效率衰减幅度更小。
一种提高太阳能电池抗光衰能力方法应用

[实用新型]一种抗光衰LED灯-CN201821508293.4有效
发明人：窦鑫 -专利权人：江西联同电子科技有限公司
申请日： 2018-09-15 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗光衰LED灯，包括PCB基板、散热片、晶片、封装胶层和绿漆，所述PCB基板上下端面的边侧固定安装有铜箔，且PCB基板的上端面中心处固定有定位铜片，并且定位铜片的外侧垂直连接有铜管的一端该抗光衰LED灯，能够有效的减少LED工作温度对光衰问题的影响，同时使得LED整体光衰性能提升，光照集中度高，提升生产良率。
晶片定位铜片封装胶层散热片光衰上端面焊线绿漆铜箔铜管本实用新型镇流二极管垂直连接光衰性能正负两极集中度中心处良率焊接光照生产

[发明专利]一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法-CN201810828960.5在审
发明人：董学文;董月圆 -专利权人：长兴科迪光电股份有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法，其包括：底基板及内部金属导线连接的两极引脚端和二极管芯片；所述的二极管芯片下方依次设置有PCB、金属抗氧化层和高折射层；所述的金属抗氧化层上方设置有抗硫化胶层、内封装腔体层和外结构透光层；所述的外结构透光层与抗硫化胶层封胶交叉处设置有密封保护层；本发明提高了其粘接强度、剪切强度、耐热老化及耐温耐湿的性能，且降低了硅胶硬度增加、高温使胶体黄变引起低光衰、气体渗透硫化和体积膨胀系数高的程度
抗硫化低光二极管芯片抗氧化层透光层外结构胶层制备体积膨胀系数金属密封保护层高折射层金属导线耐热老化气体渗透依次设置底基板交叉处引脚端硫化封胶硅胶黄变耐湿耐温内封体层粘接两极

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条