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[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201880058156.1有效
发明人：菊池亨;大园修司;太田淳;座间秀昭;浅利伸 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个技术方案所涉及的薄膜晶体管的制造方法包括在衬底上形成活性层。以能够与上述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域。通过等离子体CVD在上述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层。通过ALD在上述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层。在上述第二金属氧化物层的表面形成栅电极。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]电热丝、电热丝的制造方法以及真空处理装置-CN202010211775.9有效
发明人：山田龙藏;青代信;浅利伸;斋藤一也;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供能够实现长寿命化的电热丝及其制造方法以及使用了电热丝的真空处理装置。本发明的一个方式所涉及的电热丝具有芯材和覆盖层。所述芯材在表面形成有钽的碳化物。所述覆盖层在表面形成有钽的硼化物和硼中的至少一者，覆盖所述芯材的表面。
电热丝制造方法以及真空处理装置

[发明专利]HBC型晶体太阳能电池的制造方法-CN201710468365.0有效
发明人：松崎淳介;高桥明久;齐藤一也;浅利伸;大園修司;铃木英夫;山口昇 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及HBC型晶体太阳能电池的制造方法以及HBC型晶体太阳能电池。该制造方法使用由第一导电型的晶体硅构成的基板，且依次包括：单独或者同时地形成i型的非晶Si层α和i型的非晶Si层β的工序；形成光致抗蚀剂的工序；通过利用掩模的离子注入法，将导电型与第一导电型相同的部位A以及导电型与第一导电型不同的部位B，以内部存在于非晶Si层β并且在该非晶Si层β的外表面侧暴露出一部分的方式，形成在通过光致抗蚀剂而相互分隔的位置的工序；对离子注入后的非晶Si层β进行退火处理的工序；以覆盖位于非晶Si层β的外表面侧的部位A、部位B以及光致抗蚀剂的方式来形成导电性部件的工序；以及去除被导电性部件覆盖的光致抗蚀剂的工序。
hbc 晶体太阳能电池制造方法

[发明专利]电热丝的制造方法及制造装置-CN202110533835.3在审
发明人：山田龙藏;青代信;浅利伸 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C8/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电热丝的制造方法及制造装置，能够在电热丝的表面均匀地形成碳化钽。本发明的一个方式涉及的电热丝的制造方法包括：向设置有钽丝的腔室导入甲烷气体，上述钽丝具有两端部，并以在垂直方向上折回的方式悬挂；以及向上述钽丝供给交流电而使其发热，对上述钽丝的表面进行碳化处理。
电热丝制造方法装置

[发明专利]通电加热丝的制造方法以及制造装置-CN202110564780.2在审
发明人：山田龙藏;青代信;浅利伸 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C8/20 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在表面均匀地形成碳化钽的通电加热丝的制造方法以及制造装置。在本发明的一个方式所涉及的通电加热丝的制造方法中，向设置有钽丝的腔室导入乙炔气体，所述钽丝具有两个端部并以在垂直方向上折回的方式悬挂，一边控制导入所述腔室内的所述乙炔气体的供给量而使所述腔室的内压变化，一边通电加热所述钽丝，对所述钽丝的表面进行碳化处理。
通电加热制造方法以及装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201711278236.1有效
发明人：山田龙藏;太田淳;浅利伸;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C23C16/503 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及成膜方法。将成膜对象物设置为具有立体形状并且在成膜对象物的外表面凹陷地设置有沿着一个方向延伸的凹孔，在成膜对象物的至少凹孔的内表面形成高分子膜，所述成膜装置具有：向配置有成膜对象物的真空室内导入原料单体的原料单体导入单元；以及具有电极和交流电源且通过向电极施加交流电力而在真空室内使等离子体产生的等离子体产生单元；使由等离子体使原料单体分解并聚合而生成的离子以及自由基附着并堆积来形成高分子膜；所述电极由有底的筒状体构成，凹孔的孔轴设置为与有底筒状体的底壁正交的姿势，在使成膜对象物被底壁支撑而容纳在筒状体内的状态下使等离子体产生时，在等离子体与凹孔的内表面之间形成离子鞘层。
装置方法

[发明专利]光电转换装置的制造系统以及光电转换装置的制造方法-CN201080015594.3无效
发明人：野口恭史;小形英之;森胜彦;清水康男;内田宽人;浅利伸 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：该光电转换装置的制造系统为在形成于基板上的透明导电膜上依次层压有p型半导体层、i型半导体层以及n型半导体层的光电转换装置的制造系统，包括：I层成膜反应室，至少包括沿着搬送所述基板的搬送方向依次配置的第一成膜部、第二成膜部以及第三成膜部，用于对所述i型半导体层进行成膜；以及多个门阀，分割所述第一成膜部、所述第二成膜部以及所述第三成膜部，使得在所述搬送方向上所述第二成膜部的长度大于所述第一成膜部以及所述第三成膜部的长度。
光电转换装置制造系统以及方法

[发明专利]光电转换装置的制造方法、光电转换装置、光电转换装置的制造系统和光电转换装置制造系统的使用方法-CN201080005941.4无效
发明人：内田宽人;藤长徹志;若井雅文;小林忠正;植喜信;中村久三;浅利伸;齐藤一也;松本浩一;清水康男;森胜彦 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。
光电转换装置制造方法系统使用方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080003989.1无效
发明人：若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该等离子体处理装置包括：电极法兰(4)；腔室(2)，具有内壁面(34)；绝缘法兰(31)，配置在所述电极法兰(4)与所述腔室(2)之间；基底部件(3)，具有侧面(32)，并配置在所述腔室(2)内，且载置有基板(10)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；以及绝缘部件(41、42)，配置在与所述内壁面(34)对置的所述基底部件(3)的所述侧面(32)以及与所述基底部件(3)的侧面(32)对置的所述内壁面(34)中的至少任意一方。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080004096.9无效
发明人：若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该等离子体处理装置包括：基底部件(3)，具有第一基底面(33)、第二基底面(33a)、和基底台阶部(34)；绝缘板(35)，具有从所述第二基底面(33a)到载置于所述第一基底面(33)的基板(10)的上表面(10a)的高度以下的高度，并被配置在所述第二基底面(33a)上，由绝缘物质形成；簇射极板(5)，具有第一簇射面(5a)、第二簇射面(5b)、和簇射台阶部(42)；以及电极掩膜(43)，具有从所述第二簇射面(5b)到所述第一簇射面(5a)的高度以下的高度，以与所述绝缘板(35)对置的方式配置在所述第二簇射面(5b)上，由绝缘物质形成。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080004139.3无效
发明人：若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该等离子体处理装置，包括：处理室，由腔室(2)、电极法兰(4)、和绝缘法兰(81)构成，并具有反应室(α)；支撑部(15)，收容在所述反应室(α)内，载置有基板(10)；簇射极板(5)，收容在所述反应室(α)内，以与所述基板(10)对置的方式配置，并向所述基板(101)提供工艺气体；多个气体提供部(8)，被设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(31)内，与多个气体导入口(34)分别连通，并被配置为同心状且环状，且向所述簇射极板(5)独立提供不同组成的所述工艺气体；以及电压施加部(33)，在所述簇射极板(5)与所述支撑部(15)之间施加电压。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080004120.9无效
发明人：若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该等离子体处理装置包括：处理室(101)，由具有侧壁(34)的腔室(2)、电极法兰(4)、和被所述腔室(2)与所述电极法兰(4)夹着的绝缘法兰(81)形成，并具有反应室(2a)；支撑部(15)，收容于所述反应室(2a)内，载置有具有处理面(10a)的基板(10)；搬出搬入部(36)，设置于所述腔室(2)的所述侧壁(34)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；第一阀门(55)，设置于所述搬出搬入部(36)，并开闭所述搬出搬入部(36)；以及第二阀门(56)，与所述腔室(2)电连接，并具有与所述腔室(2)的内侧面(33)位于同一平面上的面部(56a)。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体CVD成膜方法-CN201080004140.6无效
发明人：若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该等离子体处理装置，包括：处理室(101)，具有反应室(2a)；支撑部(15)，被收容在所述反应室(2a)内，载置有具有处理室(10a)的基板(10)，并控制所述基板(10)的温度；簇射极板(5)，被收容在所述反应室(2a)内，以与所述处理室(10a)对置的方式配置，并向所述基板(10)提供工艺气体；以及压力调整板(51)，将设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(24)分为在气体导入口(42)侧形成的第一空间(24a)与在所述簇射极板(5)侧形成的第二空间(24b)，所述基板(10)与所述簇射极板(5)之间的距离为3mm以上、10mm以下。
等离子体处理装置以及 cvd 方法

[发明专利]催化剂辅助化学气相生长装置-CN200880132278.7有效
发明人：大园修司;桥本征典;浅利伸 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种有助于延长丝状催化剂使用寿命的催化剂辅助化学气相生长装置。对催化剂辅助化学气相生长装置(1)，在钽丝表面形成其硼化物层而制成丝状催化剂(6)，由于金属钽的硼化物(硼化钽)硬度比金属钽的高，所以将表面形成有其硼化物层的钽丝用作丝状催化剂时，可降低丝状催化剂的受热伸长量，从而提高其机械强度，进而有助于延长其使用寿命。另外，因通过连续通电而对丝状催化剂(6)进行通电加热，因而更有助于延长丝状催化剂(6)的使用寿命。
催化剂辅助化学相生装置

[发明专利]真空处理装置-CN200980139868.7有效
发明人：仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;浅利伸;斋藤一也;佐藤重光;菊池正志 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-07 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。
真空处理装置

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