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[发明专利]一种二胺单体、本征型高介电低损耗聚酰亚胺及其制备方法与应用-CN202111112089.7有效
发明人：张艺;郑维文;刘川;梁孝慈;蒋星;刘四委;池振国;许家瑞 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C07C317/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种二胺单体、本征型高介电低损耗聚酰亚胺及其制备方法与应用，属于材料科学技术领域，采用含砜基侧链的二胺单体与均苯四甲酸二酐等商品化二酐单体为原料，在室温下聚合后进行酰亚胺化得到本征型高介电低损耗聚酰亚胺材料，本发明制备的聚酰亚胺材料具有高介电常数、低介电损耗，同时具有优异的热稳定性。本发明的聚酰亚胺制备工艺简单，普适性强，可用于大规模工业生产；本发明制备的聚酰亚胺可应用于制备高介电材料，可适用于储能材料、光电器件、信息产业等高新技术领域，特别是在有机场效应晶体管方面的应用。
一种单体征型高介电低损耗聚酰亚胺及其制备方法应用

[发明专利]一种基于苯并环丁烯的本征交联聚酰亚胺薄膜及其制备方法-CN202310202840.5在审
发明人：朱才镇;鲍锋;蓝晓倩;李宏;徐坚 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于苯并环丁烯的本征交联聚酰亚胺薄膜及其制备方法，首先制备大体积二胺单体，使用刚性大单体，形成本征旋转孔，增大分子间距离，增大自由体积，有效的降低介电常数；之后将苯并环丁烯本征引入二胺单体中，通过加热的方式开环，形成交联的本征聚酰亚胺。利用苯并环丁烯单体的交联调控，抑制分子链运动，获得本征多孔低介电、低介损、综合性能优异的聚酰亚胺薄膜。该类树脂不仅有效降低介电性能，同时可以调控获得耐高温、可溶解、易加工、低吸水率的目标树脂，以满足实际需求。
一种基于丁烯交联聚酰亚胺薄膜及其制备方法

[实用新型]低介电性胶膜-CN201520807430.4有效
发明人：杜伯贤;李韦志;金艳;林志铭 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低介电性胶膜，包括芯层、低介电胶层和离型层，芯层具有相对的上、下表面，低介电胶层具有两层且分别为上低介电胶层和下低介电胶层，上低介电胶层和下低介电胶层分别形成于所述芯层的上、下表面，离型层具有两层且分别为上离型层和下离型层，上离型层形成于上低介电胶层的表面，下离型层形成于下低介电胶层的表面。本实用新型的低介电性胶膜不但电性良好，而且可挠性佳、耐焊锡性高、接着强度佳、操作性良好，并且可以在低温进行压合，可以使用快压设备，以及压合后可使FPC有极佳的平坦性。
低介电性胶膜

[发明专利]一种含芴有机硅低介电材料及其制备方法-CN202210219323.4在审
发明人：朱庆增;张睿 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种含芴有机硅低介电材料及其制备方法。该含芴有机硅低介电材料含有双酚芴类结构单元、聚硅氧烷结构单元。将双酚芴类分子引入氨烃基聚硅氧烷制得了含芴有机硅低介电材料，降低了聚硅氧烷基体材料的介电常数，保持了聚硅氧烷材料的本征性能，如优异的疏水性能、耐高温性能。该含芴有机硅低介电材料的介电常数在2.10～2.50范围内，有望应用于5G技术领域及柔性微纳米器件和集成电路中。
一种有机硅低介电材料及其制备方法

[发明专利]具有多厚度本征区的PIN二极管-CN201980079209.2在审
发明人：蒂莫西·爱德华·博莱斯;詹姆士·约瑟夫·布罗格;约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基;玛格丽特·玛丽·巴尔特 -专利权人：镁可微波技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：描述了有具有不同本征区的多个二极管的单片、垂直、平面半导体结构。二极管具有彼此相比不同厚度的本征区。在一个示例中，半导体结构包括N型硅衬底、在N型硅衬底上形成的本征层以及本征层上形成的介电层。在介电层中形成多个开口。多个阳极通过介电层中形成的开口顺序地形成至本征层中。例如，第一P型区通过开口中的第一开口以第一深度形成至本征层中，并且第二P型区通过开口中的第二开口以第二深度形成至本征层中。可以以其他深度形成附加P型区。
具有厚度 pin 二极管

[发明专利]一种低介电本征型负性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法-CN202010676305.X在审
发明人：闵永刚;朋小康;廖松义;黄兴文;张诗洋;刘荣涛;赵晨;刘屹东 -专利权人：广东工业大学;东莞华南设计创新院
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C08G73/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种低介电本征型负性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法，包括以下步骤：将第一二元胺单体、第二二元胺单体及二元酐单体溶解于有机溶剂中，其中二元酐单体分批加入；经过一定时间反应制得聚酰胺酸溶液；将聚酰胺酸溶液旋转涂布，得到聚酰胺酸薄膜；再预设温度范围内经梯度亚胺化处理得到低介电本征型负性光敏聚酰亚胺材料。
一种低介电征型负性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法

[发明专利]本征型低介电含氟聚酰亚胺薄膜及其制备方法-CN202111636452.5有效
发明人：王汉利;王俊莉;王军;顾萍;杨振东;李伟;耿佃旭 -专利权人：山东华夏神舟新材料有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明属于聚酰亚胺薄膜技术领域，具体涉及一种本征型低介电含氟聚酰亚胺薄膜及其制备方法。所述的本征型低介电含氟聚酰亚胺薄膜由4,4'‑二氨基‑3,3'‑二(三氟甲基)二苯基环己烷与芳香二酐单体缩聚反应得到，所述4,4'‑二氨基‑3,3'‑二(三氟甲基)二苯基环己烷是以氟化4,4'‑二氨基‑
征型低介电含氟聚酰亚胺薄膜及其制备方法

[发明专利]一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法-CN201811284929.6有效
发明人：郭佳衢;蔡文必 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法：1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；3)对感光型低介电材料进行曝光显影，去除底部电容区域和基极平台区域上的感光型低介电材料；4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔
一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂方法

[发明专利]蓝相液晶组合物与形成蓝相液晶的方法-CN201110119131.8无效
发明人：刘信宏;陈惠玉;邱继毅;赖佳良;陈玉仙;李怀安 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C09K19/58 文献下载
摘要：一种蓝相液晶组合物与形成蓝相液晶的方法，包含手征性掺质、正型液晶成分以及负型液晶成分。正型液晶成分，包含至少一正型液晶材料、具有一正介电异方值，并对于此手征性掺质不具有蓝相性质。另外，负型液晶成分包含至少一负型液晶材料、具有一负介电异方值，并对于此手征性掺质不具有蓝相性质，而使得本蓝相液晶组合物具有介于0.5至14间的介电异方值与大于3℃的一蓝相温宽。
液晶组合形成方法

[发明专利]一种低极性本征阻燃树脂及其制备方法和应用-CN201710618308.6在审
发明人：刘锋;苏民社 -专利权人：郑州大学;广东生益科技股份有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C08G8/36 文献下载
摘要：本发明提供一种低极性本征阻燃树脂及其制备方法和应用，所述低极性本征阻燃树脂具有式I所示结构，其是基于酚类化合物或树脂，经烯丙基醚化、重排和含磷基团封端三步反应制备得到，其分子式中不含有极性的羟基、并且分子结构稳定，极性低、反应活性高，在应用加工过程中不会产生极性羟基，避免了二次羟基对于其产物性能的影响，该树脂在提高介电性能同时，依旧带有可交联反应基团，使固化后耐高温性能无显著变化，引入含磷封端基团，使得树脂具有本征阻燃性能，将其用于覆金属箔层压板制备中有利于降低覆金属箔层压板的介电常数和介电损耗，并具有较高耐高温性能，提高阻燃性，使覆金属箔层压板具有良好的综合性能，应用前景广阔。
本征覆金属箔层压板阻燃树脂低极性树脂制备方法和应用耐高温性能羟基制备应用前景广阔酚类化合物反应活性反应基团分子结构封端基团含磷基团极性羟基介电常数介电损耗介电性能三步反应烯丙基醚显著变化综合性能阻燃性能可交联阻燃性重排封端固化引入应用

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN200610005888.3无效
发明人：黄明山;钟祥珉;汪嘉将;林有均;邱文宗;陈鸿年 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种影像传感器，包括基底、多个导电块、第一型掺杂层、本征层(intrinsiclayer)及透明电极层。导电块设置于基底上。介电层设置于相邻两个导电块之间。第一型掺杂层覆盖于导电块及介电层上。本征层设置于第一型掺杂层上。透明电极层设置于第一型掺杂层上。
影像传感器及其制造方法

[发明专利]低介电玻璃组成物、低介电玻璃、低介电玻璃纤维及制品-CN202210715031.X在审
发明人：徐文合;陈壁程;张致源;李岳衡;罗伟志 -专利权人：富乔工业股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C03C3/118 文献下载
摘要：本发明提供一种低介电玻璃组成物、一种低介电玻璃、一种低介电玻璃纤维及一种包含该低介电玻璃纤维的制品。该低介电玻璃组成物包含以该低介电玻璃组成物的总量为100wt％计，49wt％至59wt％的SiO2、9.5wt％至14.5wt％的Al2低介电玻璃组成物除具有良好的抽丝成型窗口且无相分离的现象，还兼具低介电常数及低介电正切损耗，且包含该低介电玻璃组成物的低介电玻璃及低介电玻璃纤维具有低介电常数及低介电正切损耗
低介电玻璃组成玻璃纤维制品

[发明专利]低介电性胶膜及其制造方法-CN201510679355.2在审
发明人：杜伯贤;李韦志;金艳;林志铭 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电性胶膜及其制造方法，低介电性胶膜包括芯层、低介电胶层和离型层，芯层具有相对的上、下表面，低介电胶层是指Dk值＜2.3(10G Hz)且Df值＜0.002(10G Hz)的胶层，低介电胶层具有两层且分别为上低介电胶层和下低介电胶层，上低介电胶层和下低介电胶层分别形成于芯层的上、下表面。本发明的低介电性胶膜不但电性良好，而且可挠性佳、耐焊锡性高、接着强度佳、操作性良好，并且可以在低温进行压合，可以使用快压设备，以及压合后可使FPC有极佳的平坦性。
低介电性胶膜及其制造方法

[发明专利]一种本征高导热低介电损耗结晶聚酰亚胺薄膜及其制备方法-CN202310939953.3在审
发明人：王旭;王欣;刘向阳;刘书言;韩昊宇;刘洋;罗龙波;刘昌莉 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种本征高导热低介电损耗结晶聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：以含苯环共轭结构的二胺单体、二酐单体进行聚合、含动态键结构的二胺单体为原料制备得到固含量为5～25wt％的聚酰胺酸溶液；再在聚酰胺酸溶液中加入催化剂本发明通过引入微量或少量(≤20％)的含动态键结构的二胺，赋予聚酰亚胺分子链具有动态键的特性，聚酰胺酸分子链在酰亚胺化的过程中具有更强的运动能力，大幅提高聚合物薄膜的结晶度，进而提升聚酰亚胺薄膜的本征热导率以及获得极低的高频低介电损耗性能；保持聚合物本征的优异性能(高强高模、高热稳定性等)。
一种导热低介电损耗结晶聚酰亚胺薄膜及其制备方法

[发明专利]低介电材料-CN201910318441.9在审
发明人：鄞盟松;陈礼君 -专利权人：联茂(无锡)电子科技有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明有关一种低介电材料，包含：(i)5‑50重量份的聚苯醚，数目平均分子量(Mn)＝1000‑4000，重量平均分子量(Mw)＝1000‑7000，及Mw/Mn＝1.0‑1.8；(ii)10‑90重量份的具有烯丙基的液晶高分子，Mn＝1000‑4000，Mw＝1000‑5000，Mw/Mn＝1.0‑1.8；(iii)0.01‑15重量份的双马来酰亚胺树脂；及(iV)0.01‑10重量份的高分子添加剂，其中该低介电材料Dk值:该低介电材料可应用于半固化胶片或电路基板绝缘层，且具有高Tg、低热膨胀系数、低吸水率及优异介电性能例如介电常数(Dk)及介电损耗(Df)的特性。
低介电材料重量份双马来酰亚胺树脂电路基板绝缘层数目平均分子量重量平均分子量低热膨胀系数高分子添加剂半固化胶片液晶高分子低吸水率介电常数介电损耗介电性能聚苯醚烯丙基应用

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