“异质结专利保护其”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9910375个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于垂直沟道的异质结场效应管器件及其制备方法-CN201710086528.9在审
发明人：董志华;蔡勇;程知群;刘国华;柯华杰;周涛 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于垂直沟道的异质结场效应管器件(VC‑HFET)及其制备方法。所述异质结场效应管器件包括源极、漏极、栅极以及至少一异质结沟道，所述异质结沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述异质结沟道位于异质结构内，所述异质结构包括第二半导体和环绕第二半导体设置的第一半导体，第一半导体的禁带宽度大于第二半导体，且所述异质结沟道内形成有二维电子气或二维空穴气，所述源极与漏极经所述二维电子气或二维空穴气电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的异质结场效应管器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
基于垂直沟道异质结场效应器件及其制备方法

[发明专利]PtTe2-CN202211044120.2在审
发明人：陈晟迪;高伟;黄颖;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：其制备方法包括：获取半导体相MoTe2纳米片；获取拓扑半金属PtTe2纳米片；利用干法转移工艺将所述半导体相MoTe纳米片上，在所述半导体相MoTe2纳米片与所述拓扑半金属PtTe2纳米片的重叠位置形成垂直范德华异质结；在所述垂直范德华异质结的MoTe2纳米片侧以及PtTe2纳米片侧分别蒸镀所述金属电极；对带有所述金属电极的垂直范德华异质结在保护气体中进行退火处理，生成拓扑半金属PtTe2/半导体相MoTe2范德华异质结的光电晶体管。本发明的异质结属于外尔半金属/半导体肖特基结，器件能够实现工作模式随偏压变化而进行相应切换，实现了微秒级别(16.5μs)的响应速度和400‑1550nm的宽谱探测。
ptte base sub

[实用新型]一种异质结硅基太阳能电池-CN201320198901.7有效
发明人：杨建国;周莹;杜学国;张东;刘玉海;田娜;周莉莉 -专利权人：巨力新能源股份有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结硅基太阳能电池，其包括由非晶硅与晶体硅构成的异质结本体，在异质结本体的正面和背面分别镀有石墨烯薄膜，石墨烯薄膜的外端面上制作有电极。本实用新型能够大幅度地降低制造工艺的温度，光电转换效率更高，其光电转换效率提高了20%以上；制造成本更低，制造成本降低了1/3。
一种异质结硅基太阳能电池

[发明专利]双面异质结电池模块及其制作方法-CN201611168844.2在审
发明人：曾玥 -专利权人：成都佰思汇信科技有限责任公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面异质结电池模块及其制作方法，包括超白低铁钢化玻璃和透明背板，所述钢化玻璃和透明背板之间设有四层EVA层，其中，第一EVA层和第二EVA层之间设置有串接在一起的上层异质结电池，第三EVA层和第四EVA层之间设置有串接在一起的下层异质结电池，所述第二EVA层和第三EVA层之间为中间层，本发明还涉及该双面异质结电池模块的制作方法，包括异质结电池正面焊接；异质结背面串焊；敷设；层压；装框；测试本发明所述的双面异质结电池模块有两个受光面，可以同时吸收太阳光并转换成功率输出，因此双面异质结电池模块的总输出功率增加了。
双面异质结电池模块及其制作方法

[发明专利]测试二维材料异质结中缺陷影响能量转移的方法-CN202111012065.4在审
发明人：刘大猛;王江彩;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种测试二维材料异质结中缺陷影响能量转移的方法，涉及半导体技术领域，包括：由下至上依次放置单层的下层过渡金属硫化物、隔离层及单层的上层过渡金属硫化物以制备异质结；对异质结进行若干次等离子体处理，以向异质结引入缺陷，且第一次处理时间等于0秒；每次对异质结进行等离子体处理后，均对异质结进行检测。通过检测不同时间等离子处理后的异质结的能量转移情况，即可得出缺陷对于异质结能量转移的影响。
测试二维材料异质结中缺陷影响能量转移方法

[发明专利]基于分步旋涂混合异质结的有机太阳能电池及其制备方法-CN202310684613.0在审
发明人：赵富稳;周吉祥;何旦 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于分步旋涂混合异质结的有机太阳能电池及其制备方法，该有机太阳能电池具有正置结构，包括混合异质结活性层；该方法将体异质结层混合溶液旋转涂覆在空穴传输层上，并进行热退火，制备体异质结层；后在体异质结层上旋转涂覆受体层混合溶液，并进行热退火，制备受体层；实现体异质结/受体形式的混合异质结，从而改善活性层垂直成分分布；其中体异质结层混合溶液为D‑A型共轭聚合物与受体材料共混的氯苯溶液；受体层混合溶液为受体材料与添加剂共混的氯仿溶液
基于分步混合异质结有机太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种异质结电池电极装置-CN202120794566.1有效
发明人：李晓昱 -专利权人：李晓昱
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结电池电极装置，所述异质结电池电极装置包括：上下表面均设置TCO导电层的异质结电池元件、纵向电导线、横向电导线；上述多个异质结电池元件由纵向电导线直接连接，所述纵向电导线的布置方式为本实用新型的一种异质结电池电极装置，可以替代异质结电池表面的银栅线和焊带，同时增大了异质结电池发光面积；更容易收集电流，既增加了异质结电池的发电效率，又降低了原料成本。
一种异质结电池电极装置

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010824843.9有效
发明人：黎子兰;张树昕 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：第一沟道层，其包括第一沟道区、第一栅掺杂区、和第二沟道区，其中所述第二沟道区在所述第一沟道区之上，所述第一栅掺杂区在所述第一沟道区和所述第二沟道区之间；第一势垒层，其中在第一沟道层与第一势垒层之间形成具有垂直界面的第一异质结，在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG；第一电极，其在所述第一栅掺杂区下方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触；第二电极，其在所述第一栅掺杂区上方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触；以及第三电极，其在所述第一栅掺杂区与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用-CN202310369313.3在审
发明人：贺利军;龙兴;张朝鹏;马康;佘良;谢治杨;王振;张文霞;张丽 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用，属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β‑SnSe二维半导体层上，层与层之间存在真空层。其中，HfS2二维半导体层和β‑SnSe二维半导体层之间具有4种堆垛方式，形成的异质结材料为四方体结构。在该异质结材料中氧化反应和还原反应发生在不同的半导体层上，其带边电位受各半导体层真空能级的影响，氧化势和还原势不再有直接的关联，因此无需相差1.23eV的条件，因而对带隙没有要求，有助于增加光吸收，从而确保了其在光催化中的应用计算结果表明，HfS2/β‑SnSe异质结材料的太阳能转化为氢气的效率(STH)可达14.29％，在商业上具有巨大的应用潜力。
一种具有太阳能制氢率异质结材料及其应用

[发明专利]钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统-CN202010762388.4在审
发明人：刘祖辉;陈龙;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统，其中，钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池的结构包括硅异质结层、顶钙钛矿层、底钙钛矿层，其中，所述顶钙钛矿层通过第一复合连接层形成在所述硅异质结层的正面，所述底钙钛矿层通过第二复合连接层形成在所述硅异质结层的背面。由于钙钛矿层材料较异质结材料成本较低，在同一硅异质结上设置上下两层钙钛矿层，可减少硅异质结的使用，降低硅片衬底的浪费，充分利用了异质结高开路电压、温度系数低、效率高的优势，同时双面叠层，也可以充分利用了太阳光
钙钛矿硅异质结双面太阳能电池及其制备方法太阳能系统

[发明专利]一维氧化锌/石墨化碳核壳结构异质结及其制备方法-CN201210483321.2无效
发明人：罗和安;赵才贤;张平;陈烽;易伟;胡文献;张永胜 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维氧化锌/石墨化碳核壳结构异质结及其制备方法。异质结为核壳结构，其核为氧化锌纳米线，壳为石墨化碳层。其制备包括以下步骤：(a)将一维氧化锌纳米线加入苯酚的水溶液中，通过光化学反应法制备表面聚苯酚化合物包覆的一维氧化锌纳米线，然后分离、洗涤及干燥；(b)在惰性气体保护下，将表面聚苯酚化合物包覆的一维氧化锌纳米线高温热解，制得一维氧化锌/石墨化碳核壳结构异质结。本发明制备的一维氧化锌/石墨化碳核壳结构异质结有效克服了氧化锌易受光蚀及催化效率低等缺陷，在光降解污染物，光解水制氢及染料敏化太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
氧化锌石墨化碳核壳结构异质结及其制备方法

[发明专利]有序结晶有机膜的生长-CN200880104022.5有效
发明人：理查德·R·轮特;史蒂芬·R·福里斯特 -专利权人：密歇根大学董事会
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了利用有机气相淀积生长用于有机光敏器件的本体有机结晶层的方法，通过这类方法制造的异质结和膜，以及使用这类异质结的器件。本发明还公开了制造异质结和有机光敏器件的新方法，以及由此制造的异质结和器件。
有序结晶有机生长

[发明专利]一种高频高线性多级多沟道T-Gate Fin-HEMT结构及制备方法-CN202310384509.X在审
发明人：王凯;吴畅;郭涛;刘捷龙;李程程 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频高线性多级多沟道T‑Gate Fin‑HEMT结构，该结构从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层、缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状。
一种高频线性多级沟道 gate fin hemt 结构制备方法

[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法-CN202010523672.6在审
发明人：陶科;姜帅;贾锐;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法，异质结背接触太阳能电池包括但不限于半导体衬底、第一钝化层及异质结。第一钝化层形成于半导体衬底的背表面上，异质结可形成于第一钝化层背面，异质结包括N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层结构。该异质结背接触太阳能电池的形成方法包括：在半导体衬底的背表面上形成异质结，异质结包括依次形成的N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，其中，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层。本发明能够在不降低电池效率的前提下有效降低异质结背接触太阳能电池的生产成本，而且本发明光能转换效率比较高。
一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法

[发明专利]二维材料异质结热电器件及其制备方法-CN202210158039.0在审
发明人：易典;王荣福 -专利权人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料异质结热电器件的制备方法及二维材料异质结热电器件。该二维材料异质结热电器件的制备方法包括如下步骤：在基材上形成二维材料异质结，二维材料异质结由包括两种不同的二维层状材料的原料经层叠形成；在基材上形成遮蔽二维材料异质结的光刻胶，光刻胶为电子束敏感的光刻胶；采用电子束照射光刻胶的预设区域，形成暴露部分二维材料异质结的蚀刻开口；通过蚀刻开口对二维材料异质结进行刻蚀；过蚀刻开口制备金属电极；及去除光刻胶。上述制备方法能够实现在尺寸较小的二维材料异质结之间形成金属电极，该金属电极可以用作触点并进一步通过引线电连接于外部的测试电路。
二维材料异质结热电器件及其制备方法