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[发明专利]一种异质结电池分层氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站-CN201910622728.0在审
发明人：周剑;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州迈正科技有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池分层氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站，所述氢钝化方法为在异质结电池制备过程中对所述异质结电池的半成品至少进行一次氢钝化处理，进行氢钝化处理时对所述异质结电池的半成品进行加热并通过光源进行照射该异质结电池分层氢钝化方法是在异质结电池制备的过程中即采用氢钝化工艺，使得高浓度的氢原子可以扩散到硅晶体的界面，从而更好地钝化了界面上的硅悬挂键，显著降低了硅晶体的表面复合速率。
异质结电池氢钝化硅晶体分层半成品氢钝化处理太阳能供电表面复合电池组件钝化处理硅悬挂键制备过程氢原子次氢钝化光源加热制备照射电池扩散

[发明专利]双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管-CN201911426017.2有效
发明人：苏亮 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管。所述双异质结纳米棒的制备方法包括：将第一反应剂与第二反应剂混合进行反应，制备纳米颗粒溶液；在所述纳米颗粒溶液中加入第三反应剂，制备单异质结纳米棒溶液；在所述单异质结纳米棒溶液中加入第四反应剂与第五反应剂，制备双异质结纳米棒。本发明提供一种双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管，旨在解决现有技术中基于量子点的电致发光二极管的寿命较短的问题。
双异质结纳米及其制备方法发光二极管

[实用新型]一种C-纳米管异质结的有机气体传感器-CN201420417812.1有效
发明人：王丽娟;都昊;李一平;邹凤君 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种C-纳米管异质结的有机气体传感器。该C-纳米管异质结的有机气体传感器，包括介电层、诱导层、半导体层、异质结层、有机气敏层。采用C-纳米管作为有机气敏层，有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。有机气敏层实现产生载流子，有机异质结层则实现有机载流子输运工作。该有机C-纳米管异质结的有机气体传感器在常温下能快速、灵敏的进行工作，并且利用真空蒸发技术一次性完成制备，简化制备流程。
一种纳米管异质结有机气体传感器

[实用新型]基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件-CN202121948782.3有效
发明人：曹荣根 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本实用新型属于光电器件技术领域，具体为一种基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件。该光电器件包括绝缘衬底、ZrNBr/ZrNCl面内异质结、第一电极和第二电极；面内异质结层位于绝缘衬底的表面上；面内异质结表面上设有防反射膜，防反射膜的两侧连接第一电极和第二电极，且第一电极和第二电极面内异质结连接，光通过防反射膜进异质结使之发生光伏效应，得到稳定的光电流，这对发展光电池有重要的意义。
基于二维 zrnbr zrncl 面内异质结光电器件

[发明专利]一种具有常关沟道的高压多异质结器件-CN201510446154.8有效
发明人：汪志刚;陈协助;孙江 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术的新型增强机理的异质结器件，特别涉及一种具有常关沟道的高压多异质结器件，本发明的多异质结型常关沟道器件，主要通过第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层、第六半导体层形成多异质结，在栅极下方具有非平面结构，非平面的异质结沟道的极化方向与第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层和第六半导体层的材料生长方向有一定角度，实现异质结界面的二维电子气(2DEG)不连续，即源漏之间形成了非常闭型电气连接，最终实现多异质结常关沟道器件。本发明的有益效果为多异质结常关沟道器件，能在高温高场环境下稳定工作，版图和工艺易于实现，且易于控制常关沟道的阈值电压。
一种具有沟道高压多异质结器件

[发明专利]一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器-CN202010150046.7有效
发明人：刘黎明;惠裕充;迟锋;易子川;张智 -专利权人：电子科技大学中山学院
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，包括基底层，所述基底层的上方设置有半导体异质结，所述半导体异质结的上方设置有多个间隔排列的贵金属块,所述基底层与半导体异质结之间还设置有相互间隔的第一电极、第二电极；该贵金属增强型半导体异质结气体传感器，通过在半导体异质结上方设置贵金属块，通过光入射，在贵金属块表面引发表面等离激元共振，从而在贵金属块表面聚集强电场，通过强电场调节半导体异质结自由电子浓度，进而使得半导体异质结的电阻剧烈变化，通过检测电阻的变化，就可以实现气体分子的探测；与传统的气体传感器相比，该气体传感器具有结构简单、气体探测灵敏度高的优点。
一种贵金属增强半导体异质结气体传感器

[发明专利]一种ZnO/Au异质结光催化剂的原位合成方法及ZIF-7的制备方法-CN201810264341.8在审
发明人：展雯雯;刘宇贤;王唱;汪金萍;倪成业 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： B01J31/28 文献下载
摘要：本发明公开一种ZnO/Au异质结光催化剂的原位合成方法及ZIF‑7的制备方法。其中，制备ZnO/Au异质结光催化剂时，将具有微孔结构且去溶剂化的ZIF‑7纳米颗粒分散在甲醇中，之后向不断搅拌中的ZIF‑7悬浊液里滴加氯金酸的甲醇溶液，真空抽至干燥后，高温煅烧可得到目标产物ZnO/Au纳米颗粒异质结。通过调节滴加氯金酸溶液的体积，可实现对ZnO/Au异质结配比的调控，从而优化该异质结的光催化活性。本发明得到的ZIF‑7具有均匀的微孔结构，且不含溶剂，在制备上述ZnO/Au异质结光催化剂时，能够均匀、紧密地吸附氯金酸分子，从而使异质结构之间结合均匀紧密，提高对光催化起主要作用的有效异质结界面的含量
异质结光催化剂异质结制备微孔结构原位合成氯金酸滴加纳米颗粒分散光催化活性氯金酸溶液高温煅烧甲醇溶液目标产物纳米颗粒异质结构溶剂化悬浊液真空抽溶剂甲醇配比吸附催化调控优化

[发明专利]一种异质结的处理方法以及可调谐阵列器件的制备方法-CN202111022879.6在审
发明人：张子旸;蒋成 -专利权人：青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结的处理方法，包括如下步骤：步骤一：对异质结材料表面的二维材料进行飞秒激光照射，使二维材料与半导体材料进行掺杂；步骤二：对经过飞秒激光照射的区域采用纳秒激光照射处理后，完成异质结材料中异质结的处理使用本方法的飞秒激光和纳秒激光两步退火对异质结材料进行处理，能够提高异质结材料之间的结合力的同时，还可以消减材料中的缺陷，从而优化异质结材料的质量；另外，对材料不同区域，通过调节飞秒激光和纳秒激光的参数可以实现可调谐阵列器件的制备
一种异质结处理方法以及调谐阵列器件制备

[发明专利]一种体异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN202110917167.4在审
发明人：李志刚;杨永豪;路通 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种体异质结有机场效应晶体管存储器，自下到上依次包括：栅电极、栅绝缘层、电荷传输层、缓冲层、有机体异质结半导体层，有机体异质结半导体层上面分别沉淀有源极和漏极，有机体异质结半导体层包括n型半导体和p型半导体，n型半导体和p型半导体皆为有机材料，有机体异质结半导体层采用协同蒸发n型半导体和p型半导体制得。本发明可以制备工艺相较于多层结构有机异质结器件更为简单，通过电编程即可实现双极性存储特性，可以在空气中稳定运行，不受使用环境限制，有效的降低了制备成本。本发明还公开了制备上述体异质结有机场效应晶体管的方法。
一种体异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]异质结电池的制备方法及异质结电池-CN202111665730.X在审
发明人：陈海燕;蒋方丹;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池的制备方法及异质结电池，异质结电池的制备方法包括以下步骤：制备异质结电池的主体结构，主体结构的表层为透明导电膜层；在透明导电膜层上形成金属种子层；在金属种子层上形成掩膜；在金属种子层上形成电极区域此外，在异质结电池的生产过程中未使用有机物，以使异质结电池的生产过程中所产生的有机废水得到降低甚至消除，从而节省对有机废水进行处理时所消耗的资源，降低异质结电池的生产成本。
异质结电池制备方法

[发明专利]异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件-CN202111220878.2在审
发明人：朱佩;陈亚文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件。该异质结纳米材料包括：第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结。该异质结纳米材料含有第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结，从而有利于自由电子迁移，使得异质结纳米材料具有较高的电导率；此外，该异质结纳米材料相比于单纯的金属硒化物纳米材料具有更好的光散射作用。
异质结纳米材料电子传输薄膜显示器件

[发明专利]极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法-CN201711383701.8有效
发明人：于国浩;陈扶;宋亮;郝荣晖;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括：包括第一、第二半导体的第一异质结，所述第一异质结构中形成有二维电子气；包括所述第二半导体和第三半导体的第二异质结，所述第二异质结中形成有二维空穴气；形成于所述第二半导体上的第四半导体，所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接；所述第四半导体为p型掺杂，可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽；与第一异质结连接的阳极和阴极，所述阳、阴极与所述第一异质结中二维电子气电连接，所属阳极同时与第四半导体形成电连接。
极化氮化物二极管器件及其制作方法

[发明专利]一种基于石墨烯的异质结同位素电池-CN202010868066.8有效
发明人：柳伟平;韩运成;王晓彧;张佳辰;李桃生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于石墨烯的异质结同位素电池，包括石墨烯异质结能量转换结构和与所述石墨烯异质结能量转换结构相配合的放射源，所述石墨烯异质结能量转换结构包括衬底材料层，设置在所述衬底材料层的背面的背电极，设置在所述衬底材料层的正面的石墨烯层，所述石墨烯层与所述衬底材料层之间形成异质结。本发明采用石墨烯与半导体材料形成异质结，异质结金属层的石墨烯的厚度仅几个纳米，减小了金属层对源层的吸收阻挡作用，并且石墨烯的功函数较高，能与半导体材料形成较大的内建电场，有利于开路电压的提升，同时石墨烯还能作为电极材料
一种基于石墨异质结同位素电池

[实用新型]异质结光伏组件-CN202123338076.X有效
发明人：刘衿因;邓士锋;杨智;许涛 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结光伏组件,包括自上而下依次设置的上层玻璃、上层封装胶膜、电池串列、下层封装胶膜和下层玻璃，所述电池串列包括若干通过焊带依次连接相邻异质结电池形成的电池串、连接于延伸出电池串端部的焊带部分的汇流条，其中，所述异质结光伏组件还包括设置于所述汇流条和下层封装胶膜之间的隔离件，所述隔离件覆盖汇流条，并且靠近异质结电池的一侧边缘位于所述汇流条和相邻汇流条的异质结电池之间，本实用新型的异质结光伏组件通过在汇流条和下层封装胶膜之间设置位置合适的隔离件，可有效地避免汇流条上的焊带接触到下层玻璃，同时不影响异质结光伏组件的外观和电学性能。
异质结光伏组件

[实用新型]异质结电池不良品的返工处理系统-CN202123121669.0有效
发明人：张乔林;周守亮;王永洁;余义;苏世杰 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2021-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结电池不良品的返工处理系统，该返工处理系统包括：粗抛槽，用于对异质结电池不良品进行粗抛处理；第一预清洗槽，用于盛装含有臭氧的酸洗液以对经过粗抛处理后的异质结电池不良品进行第一预清洗处理；第二预清洗槽，用于盛装含有双氧水的碱洗液以对经过第一预清洗处理后的异质结电池不良品进行第二预清洗处理；制绒槽，用于对经过第二预清洗处理后的异质结电池不良品进行制绒处理。该返工处理系统能够有效地去除异质结电池不良品表面的非晶硅薄膜层，提高返工效果，解决了传统的异质结电池不良品的返工工艺中非晶硅层去除不干净的问题。
异质结电池不良返工处理系统