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- [发明专利]多晶硅的制造方法-CN201080004156.7有效
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小田开行;浅野卓也
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株式会社德山
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2010-02-03
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2011-12-07
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C01B33/035
- 本发明提供一种能够有效地防止从反应容器排出的排气中的磷—硅化合物的生成且能够使包含在排气中的硅烷化合物实现再利用的多晶硅的制造方法。在该多晶硅的制造方法中，向具有竖立设置在电极上的硅芯材的反应容器内供给包含硅烷气体和氢气的反应气体，利用通电将该硅芯材加热到硅的沉积温度，使生成的硅沉积在该硅芯材上而形成多晶硅棒，从反应容器排出反应后的排气，其特征在于，对从反应容器排出的排气进行急速冷却，使得温度从800℃降至500℃的时间为0.1秒以内。
- 多晶制造方法
- [发明专利]硅生产装置-CN200480009343.9无效
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中岛淳一郎;小田开行
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德山株式会社
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2004-08-17
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2006-05-10
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C01B33/03
- 提供了一种多晶硅生产装置，使得当将反应管的内表面加热到等于或高于硅熔点的温度，使沉积的硅滴落到下面的硅收集部分中时，这种生产装置可以防止由于下端部分降温而造成的硅熔体在该处的凝固。当使用高频加热线圈4加热反应管2时，通过一种防止降温装置能避免所述反应管2下端部分2a降温，所述的防止降温装置可以是能够用红外线装置加热下端部分2a外表面的红外装置，或者是下端线圈，所述下端线圈由接近所述高频加热线圈4下端的线圈组成，其加热强度比上部线圈4U的加热强度大。
- 生产装置
- [发明专利]硅的制造方法-CN02803254.3无效
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若松智;小田开行
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株式会社德山
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2002-10-18
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2004-02-25
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C01B33/03
- 本发明提供了一种自立型制硅方法，能够一方面确保工业上有利的生产量，另一方面压低四氯化硅的副产量，并提高三氯氢硅的生产效率。此法包括下列各工序：使三氯氢硅与氢在1,300℃以上的温度起反应生成硅的硅析出工序，促使上述硅析出工序的反应后的气体与原料硅接触而使该排出气中所含的氯化氢与硅反应生成三氯氢硅的三氯氢硅生成工序，以及把三氯氢硅从该三氯氢硅生成工序的反应后的气体中分离而在硅析出工序中循环的三氯氢硅第一循环工序。
- 制造方法
- [发明专利]旋风分离器和带该旋风分离器的流化床反应器-CN96123345.1无效
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小田开行
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株式会社德山
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1996-11-14
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1997-09-03
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B04C5/00
- 一流化床反应器包括一反应柱，用于从反应柱的下端向上流入气体的气体流入部件，用于将颗粒加到反应柱下部的颗粒加料部件和一旋风分离器。该旋风分离器包括一带入口，气体出口和颗粒落孔的旋风分离器体，和上端与旋风分离器体的颗粒落孔相连通的颗粒排放管。由颗粒加料部件所加入的颗粒在反应柱下部所形成主流化床，和将夹带颗粒的从反应柱排出的气体从入口引入旋风分离器体并从它的气体出口排出。旋风分离器的颗粒排放管与反应柱下部相连通。旋风分离器还包括用于将密封气加入颗粒排放管产生通过颗粒排放管的上行气流，和产生在旋风分离器中的从气体中分离出的颗粒的密封流化床的密封部件。
- 旋风分离器流化床反应器
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