“基板制程”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果489820个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种发光二极管封装基板与封装结构及其制作方法-CN201310137420.X有效
发明人：夏德玲 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于共晶接合制程之覆晶式发光二极管之封装基板，其至少包含：基板本体，具有第一表面，其上分布有至少一个单元，所述每个单元对应一个发光二极管芯粒，其具有彼此相互电隔离的第一区域和第二区域；其可解决原本共晶制程覆晶型发光二极管因芯片与基板间距离过小而无法进行底层填充胶材（under-fill）制程而导致后续基板移除及表面粗化制程无法进行的问题。
一种发光二极管封装结构及其制作方法

[发明专利]干法刻蚀机台及干法刻蚀方法-CN201811646355.2有效
发明人：高鹏飞;丁玎 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种干法刻蚀机台及干法刻蚀方法，所述干法刻蚀机台包括用于对基板进行刻蚀的制程腔，所述制程腔包括底板、升降部件、转动部件和承载部件，所述承载部件上设置有基板固定装置，进行干法刻蚀时，调整升降部件和转动部件，使基板的刻蚀面朝下，刻蚀用等离子体从底板上的气孔中释放并向上扩散至刻蚀面，该干法刻蚀机台可防止刻蚀过程中制程腔顶部和侧壁的杂质掉落至刻蚀面而影响刻蚀质量；本发明还提供了一种干法刻蚀方法，包括使用上述干法刻蚀机台对基板进行干法刻蚀的步骤，该方法可避免刻蚀过程中制程腔顶部和侧壁的杂质掉落至刻蚀面而影响刻蚀质量。
刻蚀机台方法

[实用新型]微流体致动器-CN201821996883.6有效
发明人：莫皓然;余荣侯;张正明;戴贤忠;廖文雄;黄启峰;韩永隆;蔡长谚 -专利权人：研能科技股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：一种微流体致动器，包含基板、腔体层、振动层、下电极层、压电致动层、上电极层、孔板层以及流道层。基板通过蚀刻制程形成出流孔洞、第一进流孔洞以及第二进流孔洞。腔体层形成于基板上，并通过蚀刻制程形成储流腔室。振动层形成于腔体层上。下电极层形成于振动层上。压电致动层形成于下电极层上。上电极层形成于压电致动层上。孔板层通过蚀刻制程形成出流口及进流口。流道层形成于孔板层之上，通过光刻制程形成出流通道及进流通道，并接合于基板。提供驱动电源至上电极层以及下电极层，以驱动并控制振动层产生上下位移，以完成流体传输。
下电极层振动层基板孔洞蚀刻制程压电致动电极层孔板层腔体层流道层微流体致动器出流通道光刻制程进流通道流体传输驱动电源上下位移接合出流口储流腔进流口驱动

[实用新型]基板堆栈式封装结构-CN03204356.2无效
发明人：彭镱良 -专利权人：立卫科技股份有限公司
申请日： 2003-02-19 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本实用新型是一种基板堆栈式封装结构，包括一主基板，其上设置有一子基板，再于该子基板上安装一芯片，并有复数引线电性连接芯片、子基板与主基板；最后再利用一封装胶体包覆该引线、芯片、子基板及部分主基板。本实用新型在芯片尺寸缩小或是输入输出接点数提高至相当程度时，仍可使用现有的封装制程与设备，故可有效控制成本，不会增加额外成本及制程难度。
堆栈封装结构

[发明专利]TFT基板的制造方法-CN201610455613.3有效
发明人：卢马才;赵书力 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种TFT基板的制造方法。该TFT基板的制造方法包括：步骤10、在基板上利用第一道光罩形成TFT栅极图案；步骤20、在该基板上利用第二道光罩形成有源层图案、源漏极金属电极图案；步骤30、在该基板上沉积钝化层，以及涂布光阻，利用第三道光罩工艺定义像素电极图案本发明TFT基板的制造方法提供了PR上沉积ITO有效剥离方法用于3Mask TFT制程，将会大大提高制程效率及降低难度，有效提升3Mask TFT制程能力。
tft 制造方法

[发明专利]CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法-CN201710807548.0在审
发明人：李亚玲 -专利权人：李亚玲
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法，其于玻璃基板经CVD制程机台进行沉膜后，自CVD制程机台的进出口退出的过程中，由传感器感应触发信号，控制拍摄单元以单色灯源照射配合拍摄镜头拍摄该完成沉膜的玻璃基板的图像，撷取玻璃基板上CVD沉膜与玻璃基板边缘的视觉测量计算，并记录至储存单元，由判定单元比对沉膜偏移距离，自动进行CVD沉膜偏移测量与监控，满足实时并量化的监控机制。
玻璃基板制程机台偏移制程监控测量玻璃基板边缘传感器感应储存单元触发信号监控机制拍摄单元拍摄镜头判定单元偏移测量偏移距离视觉测量单色灯比对撷取照射量化图像进出口拍摄退出记录配合

[发明专利]TFT基板及其制作方法-CN201610566026.1在审
发明人：李子然 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT基板及其制作方法。本发明的TFT基板的制作方法，通过将数据线、栅极线、及栅极制作于同一层，可节约一道光罩，通过采用一道半色调光罩形成TFT基板中的多个过孔与像素电极，可节约一道光罩，从而与现有技术相比，本发明可以节约两道光罩，降低生产成本，节约制程时间，提高生产效率，且制程中不会对半导体层造成电性损伤。本发明的TFT基板，制程简单，生产成本低，且具有良好的电学性能。
tft 及其制作方法

[发明专利]指纹识别装置的制造方法-CN202210718749.4在审
发明人：张丹妮 -专利权人：业泓科技（成都）有限公司;业泓科技股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：本发明提供一种指纹识别装置的制造方法，在薄膜晶体管(TFT)基板的基本制程上形成相对应的组件结构后，选择可剥离胶贴靠在指纹辨识装置的侦测活动区，再选择封装材，在上下对接的薄膜晶体管基板的基板层外缘接着，再将该堆栈结构进行薄化制程后，置入碱液中，将该封装材解离，以及将可剥离胶撕除，即可将上下接合的薄膜晶体管(TFT)基板完整分离，无需进行切割制程分离。
指纹识别装置制造方法

[发明专利]液晶面板及其制作方法-CN201811279025.4在审
发明人：杨超群;黄长治 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶面板及其制作方法；液晶面板包括彩膜基板；阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；以及内置偏光片，包括基板，覆于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面；第一无机层，覆于所述基板上；金属线栅层，覆于所述第一无机层上本发明的液晶面板及其制作方法，将内置偏光片的制程设置在彩膜基板的制程之前进行，以降低制程的难度；有效解决了由量子点彩膜基板发出的光无法进行光的通断的控制的问题。
彩膜基板液晶面板无机层制程内置偏光片金属线栅阵列基板金属线基板平行制作相对设置有效解决量子点通断

[实用新型]液晶面板-CN201821779369.7有效
发明人：杨超群;黄长治 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液晶面板，包括彩膜基板；阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；以及内置偏光片，包括基板，覆于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面；第一无机层，覆于所述基板上；金属线栅层，覆于所述第一无机层上本实用新型的液晶面板将内置偏光片的制程设置在彩膜基板的制程之前进行，以降低制程的难度；有效解决了由量子点彩膜基板发出的光无法进行光的通断的控制的问题。
彩膜基板液晶面板无机层制程本实用新型内置偏光片金属线栅阵列基板金属线基板平行相对设置有效解决量子点通断

[发明专利]晶圆结构-CN202110902170.9在审
发明人：莫皓然;张英伦;戴贤忠;黄启峰;韩永隆;李伟铭 -专利权人：研能科技股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：一种晶圆结构，包含芯片基板及至少一个喷墨芯片。芯片基板为硅基材，以至少12英吋以上晶圆的半导体制程制出。至少一个喷墨芯片以半导体制程制直接生成于芯片基板上，并切割成至少一个喷墨芯片实施应用于喷墨打印。
结构

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202210173477.4在审
发明人：周意竣 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：通过设计半导体封装装置的制造方法，包括：提供模封基板，模封基板设置有基板，基板上设置有焊球和封装焊球的模封材，模封材设置有开口，焊球对应开口设置有切面；以高温制程去除邻近焊球边缘的模封材；以高温制程对焊球进行成球作业
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]在基板上制造结构的方法-CN201711194111.0在审
发明人：廖汉文;刘俊秀;林群智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本揭露提供了用于增强形成在基板上的结构的表面形貌的方法。在一实施例中，此在基板上制造结构的方法包括：在具有浅沟槽隔离结构和扩散区的基板上执行研磨制程，执行表面形貌增强制程以扩大存于浅沟槽隔离结构和扩散区中至少一者的缺陷，检测浅沟槽隔离结构和扩散区的至少一个以侦测扩大的缺陷，以及对于侦测到扩大的缺陷做出反应来调整抛光制程的参数。
基板浅沟槽隔离结构扩散区表面形貌侦测制程抛光制程研磨制造检测

[发明专利]多晶硅薄膜的制作方法-CN200510131794.6有效
发明人：陈昱丞;林家兴;陈宏泽 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-12-14 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶硅薄膜的制作方法，是先在基板上形成硅层，然后形成一热滞留层于硅层之上，接着，利用具有陡峭能量密度梯度的激光束，进行激光加热制程，以诱发部分硅层发生超级横向长晶行为。其中，热滞留层能在激光加热制程中，对硅层的结晶行为产生辅助加热的作用，以增长超级横向长晶的长度。最后，重复地移动激光束至基板不同位置，照射激光以完成整面基板的结晶制程。
多晶薄膜制作方法

[发明专利]主动元件基板及有机电激发光显示器的制作方法-CN200410003172.0有效
发明人：陈光荣 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2004-02-24 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明提供具有保护层的主动元件基板。上述基板包括主动元件、画素电极与保护层，画素电极与主动元件电性连接，保护层全面性覆盖于主动元件与画素电极之上。在基板完成数组(array)段制程之后，于其上形成保护层，再进行切割、外送及入库储存等动作，于有机电激发光元件制程之前才去除此保护层，以避免后续有机电激发光元件制程有微粒、刮伤或污损等问题。
主动元件机电激发显示器制作方法

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条