专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种显示面板的制程方法和显示面板-CN201811568113.6有效
  • 葛邦同 - 惠科股份有限公司
  • 2018-12-21 - 2021-12-17 - H01L27/12
  • 本发明公开了一种显示面板的制程方法和显示面板,制程方法包括第一基板制程方法,第一基板制程方法包括步骤:在基板沉积底层材料;对底层材料的上表面,采用准分子紫外光照射操作,并进行水洗操作,完成底层结构的表面的洁净工作;在底层材料上方沉积第二层金属;通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层;在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层;在镀第二层金属之前进行准分子紫外光照射和水洗的制程,可以有效减少底层结构表面的有机物和氧化物的残留
  • 一种显示面板方法
  • [发明专利]设定装置的工艺制程的方法和用于处理基板的装置-CN202210650471.1在审
  • 美浓谷惠太;武田大辉 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-06-09 - 2022-12-20 - H01L21/67
  • 本公开涉及一种设定装置的工艺制程的方法和用于处理基板的装置,能够在设定用于处理基板的装置的工艺制程时简便地执行工艺制程的编辑。包括以下工序:一边对显示器的屏幕进行工艺制程制程设定表的显示,一边受理制程设定表的设定值的编辑;将被受理设定值的编辑后的所述工艺制程存储到所述存储部,以与显示切换命令相应地在全显示状态与缩略显示状态之间切换的方式显示于所述屏幕,在所述全显示状态下,显示与制程设定表的全部设定项目对应的设定值,在所述缩略显示状态下,仅显示与过去曾被受理过设定值的编辑的设定项目对应的设定值。
  • 设定装置工艺方法用于处理
  • [发明专利]基板处理装置及蚀刻基板的控制方法-CN201911064906.9在审
  • 钟孟达;林建中;冯传彰;林世佳;何宗育 - 辛耘企业股份有限公司
  • 2019-11-04 - 2020-11-10 - H01L21/67
  • 一种基板处理装置及蚀刻基板的控制方法,基板处理装置包含基板承载模块、流体供应模块、侦测模块及控制模块。基板承载模块包括旋转台以供设置基板。流体供应模块包括喷嘴以供应蚀刻液。侦测模块包括光源发射器及光谱接收器,光源发射器用以发射光线至基板,光谱接收器用以接收从基板反射的光线并产生光谱信号。控制模块与流体供应模块及侦测模块电连接,并在基板被蚀刻过程中接收光谱信号且对应所接收的光谱信号产生实时光谱数据,再分析实时光谱数据以获得特征数据并据以判断是否已达蚀刻终点。通过在蚀刻制程中可以精准控制蚀刻终点,能使先进制程基板的小线宽精准蚀刻(侧蚀)容易控制,并能节省制程时间以增加产能且延长蚀刻药水寿命。
  • 处理装置蚀刻控制方法
  • [发明专利]超薄玻璃基板制程方法以及显示面板制程方法-CN202011158629.0在审
  • 周晧煜;蒋承忠;吴天鸣;黄俊杰;陈风 - 恩利克(浙江)显示科技有限公司
  • 2020-10-26 - 2021-02-12 - C03C15/00
  • 本发明提供了超薄玻璃基板制程方法以及显示面板制程方法,超薄玻璃基板制程方法包括:提供一玻璃母材,玻璃母材上预设n个基板区域和围绕基板区域的骨架区域,n大于等于2;在玻璃母材的基板区域的上下表面中的至少一侧形成面板功能层,面板功能层包括TFT背板、有机发光层、触控检测层、指纹识别层、盖板中的一种或组合,在面板功能层背离基板区域的一侧形成刻蚀保护层;至少刻蚀玻璃母材的骨架区域,令基板区域自玻璃母材脱离,并且在基板区域的边沿形成应力消散边缘;去除刻蚀保护层得到独立的玻璃基板。本发明能够自玻璃母材获得玻璃基板的同时,进行多个区域进行功能层的同时加工,能够避免刀轮切割和激光切割对已经成型的功能层的伤害。
  • 超薄玻璃基板制程方法以及显示面板
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202011147776.8在审
  • 小佐井一树;篠原和义 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-10-23 - 2021-05-11 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够抑制在对基板处理部进行了清洗处理之后液处理的性能恶化的技术。本公开的一形态的基板处理装置具备基板处理部、排液部以及控制部。基板处理部从处理液供给部向所载置的基板供给处理液而进行液处理。排液部具有与积存处理液的积存部连接的回收路径,对液处理使用后的处理液进行排液。控制部执行液处理的处理制程以及清洗基板处理部和排液部的清洗制程。另外,作为清洗制程,控制部在执行了从清洗液供给部供给清洗液而清洗基板处理部和排液部的清洗动作之后,执行从处理液供给部供给处理液而将附着于基板处理部和排液部的清洗液置换成处理液的恢复动作。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]超薄玻璃基板制程方法以及显示面板制程方法-CN202011344817.2有效
  • 周晧煜;蒋承忠;吴天鸣;黄俊杰;陈风 - 恩利克(浙江)显示科技有限公司
  • 2020-11-26 - 2022-08-23 - C03C15/00
  • 本发明提供了超薄玻璃基板制程方法以及显示面板制程方法,超薄玻璃基板制程方法包括:提供一玻璃母材,玻璃母材上预设n个基板区域和围绕基板区域的骨架区域,n大于等于2;至少在玻璃母材的基板区域的上下表面分别形成刻蚀保护层,刻蚀保护层包括主体区域以及至少一沿预设弯折路径延展的薄化区域;至少刻蚀玻璃母材的骨架区域,令基板区域自玻璃母材脱离,通过薄化区域在基板区域沿预设弯折路径形成至少一弯折应力消散槽,并且在基板区域的边沿形成应力消散边缘;去除刻蚀保护层得到独立的具有弯折应力消散槽的玻璃基板。本发明能够自玻璃母材获得玻璃基板的同时,在玻璃母材上设置弯折应力消散槽,提高面板在预设弯折路径上的弯折性能。
  • 超薄玻璃基板制程方法以及显示面板
  • [发明专利]贴合基板的制造方法-CN200680047234.5有效
  • 三谷清 - 信越半导体株式会社
  • 2006-11-27 - 2008-12-24 - H01L21/02
  • 本发明是提供一种贴合基板的制造方法,是贴合有源层用晶圆与支撑基板用晶圆而成的贴合基板的制造方法,其特征是具备:第一制程,是在前述有源层用晶圆的表面,沿着外周部,在整个圆周的内侧,设置沟槽;第二制程,是以设置有前述沟槽的面作为贴合面,来贴合前述有源层用晶圆与前述支撑基板用晶圆;及第三制程,是将前述有源层用晶圆薄膜化,并除去前述有源层用晶圆的沟槽外侧的未结合部分。以此,能提提供一种贴合基板的制造方法,在薄膜化有源层用晶圆时,能够将制程简略化,且能够防止破裂或缺损、产生灰尘等,并能够管理有源层用晶圆的边缘部的形状。
  • 贴合制造方法
  • [发明专利]TFT基板的制作方法及其结构-CN201510213939.0有效
  • 李文辉 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2015-04-29 - 2018-03-06 - H01L21/77
  • 本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构,该TFT基板的制作方法通过使用灰阶光罩,将栅极绝缘层、半导体层、及蚀刻阻挡层通过一道光刻制程一同制作,将光刻制程的次数由十道减少至八道,减少了光罩的使用量,简化了生产制程本发明的TFT基板结构,其中的栅极绝缘层、半导体层、及蚀刻阻挡层可使用灰阶光罩通过一道光刻制程一同制作,结构简单,易于制作,可有效提高生产效率及良率。
  • tft制作方法及其结构
  • [实用新型]真空溅镀系统-CN201921973356.8有效
  • 郭金柱;郑博仁;黄泳钊 - 威欣系统股份有限公司
  • 2019-11-15 - 2020-08-11 - C23C14/34
  • 一种真空溅镀系统,适用于在至少一基板上沉积薄膜,所述真空溅镀系统包含腔体、基座、自动化横移台车,及自动化取放片单元。所述腔体界定出制程腔室及邻近所述制程腔室的低真空腔室,并包括设置于所述制程腔室与所述低真空腔室之间的真空阀门。所述基座设置于所述制程腔室且用于承载所述至少一基板。所述自动化横移台车可移动地设置于所述低真空腔室并供至少一待溅镀基板置放。所述自动化取放片单元可移动地设置于所述低真空腔室且用以移动置放于所述基座上的所述至少一基板,或是置放于所述自动化横移台车上的所述至少一待溅镀基板。通过前述真空溅镀系统的结构,可避免在制造过程中破真空更换所述至少一基板且可降低耗费的时间并增加产能。
  • 真空系统
  • [发明专利]微流体致动器-CN201811451909.3在审
  • 莫皓然;余荣侯;张正明;戴贤忠;廖文雄;黄启峰;韩永隆;蔡长谚 - 研能科技股份有限公司
  • 2018-11-30 - 2020-06-09 - B81B3/00
  • 一种微流体致动器,包含基板、腔体层、振动层、下电极层、压电致动层、上电极层、孔板层以及流道层。基板通过蚀刻制程形成出流孔洞、第一进流孔洞以及第二进流孔洞。腔体层形成于基板上,并通过蚀刻制程形成储流腔室。振动层形成于腔体层上。下电极层形成于振动层上。压电致动层形成于下电极层上。上电极层形成于压电致动层上。孔板层通过蚀刻制程形成出流口及进流口。流道层形成于孔板层之上,通过光刻制程形成出流通道及进流通道,并接合于基板。提供驱动电源至上电极层以及下电极层,以驱动并控制振动层产生上下位移,以完成流体传输。
  • 流体致动器

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