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[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置-CN201910496118.0有效
发明人： 葛邦同;付婷婷;孙松;周佑联;许哲豪 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置。其中，薄膜晶体管的制备方法包括：提供经过光阻刻蚀的基板；然后再以光阻层为掩膜对光阻层的光刻胶半保留区域的残留光刻胶和源漏极金属层进行湿法刻蚀；以光阻层为掩膜按以下步骤对光阻层的光刻胶半保留区域的N+型掺杂非晶硅层和非晶硅层进行干法刻蚀，去除N+型掺杂非晶硅层和部分非晶硅层：采用氧气和六氟化硫组成的第一混合气体刻蚀第一时间；采用氯气和六氟化硫组成的第二混合气体刻蚀第二时间；采用氧气和六氟化硫组成的第三混合气体刻蚀第三时间，其中，六氟化硫和氧气的比例为1:40～1:1。通过提高六氟化硫的比例，改善非晶硅的均匀性，从而改善显示时影像残留的问题。
薄膜晶体管制备方法显示装置

[发明专利]一种显示面板的制程方法和显示面板-CN201811568113.6有效
发明人： 葛邦同 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板的制程方法和显示面板，制程方法包括第一基板的制程方法，第一基板的制程方法包括步骤：在基板沉积底层材料；对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作；在底层材料上方沉积第二层金属；通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层；在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层；在镀第二层金属之前进行准分子紫外光照射和水洗的制程，可以有效减少底层结构表面的有机物和氧化物的残留，减少第二层金属的数据线短路或断路的现象，从而提升4mask工艺的良率。
一种显示面板方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法-CN201910225403.9有效
发明人：孙松;葛邦同 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本申请涉及一种TFT阵列基板及其制备方法，该TFT阵列基板包括：基底；栅极，形成于基底上；绝缘层，覆盖栅极；有源层，形成于绝缘层上，有源层包括铟镓锌氧化物；源极和漏极，形成于有源层上，源极和漏极包括镓锌氧化物；钝化层，形成于源极和漏极上，钝化层上开设有过孔；像素电极，形成于钝化层上，像素电极通过过孔与漏极连接，像素电极包括铟锡氧化物。选用铟镓锌氧化物作为有源层，镓锌氧化物作为源极和漏极，铟锡氧化物作为像素电极，可以减小像素电极与漏极之间的接触势垒，以及源漏极与有源层之间的接触势垒，提高器件性能。
薄膜晶体管阵列及其制备方法

[发明专利]一种显示基板及其制作方法和显示装置-CN201811350776.0有效
发明人： 葛邦同;付婷婷 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示基板及其制作方法和显示装置。一种显示基板的制作方法，包括：在衬底上形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极；其中，在有源层和栅极绝缘层的接触面进行等离子体清洗。本方案采用等离子体清洗方法处理栅极绝缘层和有源层的接触面，消除该接触面积累的正电荷，降低正电荷形成内电场的大小，阈值电压大于零，从而提高器件的稳定性。
一种显示及其制作方法显示装置

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板-CN201811606878.4有效
发明人：孙松;葛邦同 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板，所述阵列基板包括以下步骤：在衬底基板的一表面设置栅极，并在所述栅极上设置栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层背离所述栅极的表面设置靶材层；在反应腔内通入氧气，并对所述靶材层做磁控溅射处理，得到有源层；在所述有源层的表面设置相互间隔的源极和漏极。本发明技术方案旨在使有源层在制作过程中具有一定的氧气体积流量，保证有源层的性能稳定和元器件的性能稳定。
阵列制作方法显示面板

[发明专利]一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板-CN201811350775.6有效
发明人： 葛邦同;付婷婷;姚宇 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板。一种阵列基板包括金属层、绝缘层、氧化层和半导体层，绝缘层形成于所述金属层和半导体之间；氧化层形成于所述绝缘层和半导体层之间。由于器件的比例缩小，目前器件的绝缘层一般由一层绝缘材料组成，单层绝缘材料稳定性差，界面缺陷态多，漏电流大，器件抗高压能力差，容易被金属层高电压击穿(如隧穿效应)而导致器件永久性损坏，若采用至少两个绝缘结构就能很好的避免此类问题，在半导体层和绝缘层之间增加一层氧化层作为过渡层，使界面性质连续变化，从而使半导体和氧化层之间具有较低的缺陷态密度，此外再在氧化层下面加一层高介电常数的绝缘层，避免器件击穿产生，大大提高器件稳定性。
一种阵列制作方法显示面板

[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板-CN201811587240.0有效
发明人： 葛邦同 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，所述薄膜晶体管的制作方法包括：在基板上形成缓冲层；在缓冲层沉积非晶硅层；在非晶硅层上覆盖二硅化镍材料的金属种子层；所述非晶硅层在所述金属种子层的诱导作用下以及退火处理转化为多晶硅层；对所述多晶硅层进行曝光显影形成半导体层；对所述半导体层两端进行掺杂；在所述半导体层上依次沉积栅极绝缘层，栅极、层间绝缘层和源漏电极层。这种制造方法可以降低薄膜晶体管的残留金属，有效降低漏电流，同时得到的晶粒更大，使薄膜晶体管表面更为平整，性能更好。
一种薄膜晶体管制作方法显示面板

[发明专利]一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置-CN201811352465.8在审
发明人：付婷婷;葛邦同 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明属于显示器技术领域，公开了一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置。其中，该阵列基板的制造方法包括依次沉积于基板上的栅金属薄膜层、栅绝缘层、半导体层、以及金属层；在该金属层上涂覆一层光刻胶，通过曝光、显影形成未曝光区域、部分曝光区域以及完全曝光区域；通过第一次灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出对应所述部分曝光区域的金属层，通过湿蚀刻，形成金属层凹坑，通过第二次灰化处理将第一次灰化处理未刻蚀掉的残余的光刻胶刻蚀掉，进行干蚀刻，形成薄膜晶体管沟道区域图形。这样，通过采用第二次灰化处理，将残余的光刻胶刻蚀掉，保证光刻胶与金属层的边缘相齐平，降低了金属层与光刻胶之间的尺寸偏差。
一种阵列制造方法显示面板显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法-CN201910503663.8在审
发明人：孙松;葛邦同;周佑联;许哲豪 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管及其制备方法，其中，所述薄膜晶体管制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射在基板的表面制备栅极；采用溶液法于所述栅极背离所述基板的表面制备栅极绝缘层，并进行第一次退火处理；采用溶液法于所述栅极绝缘层背离所述栅极的表面制备有源层，并进行第二次退火处理；采用磁控溅射于所述有源层背离所述栅极绝缘层的表面制备源漏极，得到薄膜晶体管。本发明的技术方案能够使得薄膜晶体管的制备工艺较为简单，制备成本较低。
薄膜晶体管表面制备制备栅极绝缘层磁控溅射背离溶液法基板源层退火处理一次退火制备工艺源漏极

[实用新型]阵列基板及显示装置-CN201822111247.7有效
发明人： 葛邦同 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阵列基板及显示装置，其中，阵列基板包括：衬底基板；栅极，设置于所述衬底基板上；绝缘保护层，设置在所述栅极上；有源层，设置于所述绝缘保护层上；源极；漏极，所述漏极部分覆盖所述有源层；所述有源层位于所述源极及漏极之间的部分形成有沟道，在垂直于所述栅极的方向，所述栅极的投影完全覆盖所述有源层的投影，所述有源层的投影轮廓与所述栅极的投影轮廓的距离为2～5微米。本申请由于源极和漏极可遮挡大部分外部的环境光线，同时，将有源层在栅极上的投影轮廓与栅极的投影轮廓的距离设置在预设范围内，在不影响开口率的情况下，消除或减少栅极和源极之间以及栅极和漏极之间的反射，进而减小对有源层的照射。
源层漏极投影轮廓源极阵列基板绝缘保护层衬底基板显示装置投影本实用新型环境光线距离设置开口率沟道减小预设反射遮挡照射垂直外部覆盖申请

[实用新型]薄膜晶体管和显示装置-CN201821927494.8有效
发明人： 葛邦同 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开一种薄膜晶体管和显示装置，其中，薄膜晶体管包括栅极；半导体层，半导体层与栅极间隔设置；源极和漏极，源极和漏极设于半导体层背离所述栅极的一侧，源极和漏极于半导体层间隔设置，并可通过半导体层导通；以及绝缘层，绝缘层位于栅极和半导体层之间，绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层临近栅极设置，第二绝缘层贴合于半导体层设置，第一绝缘层的材质为氮化硅，第二绝缘层的材质为氧化硅或者氧化铝。本实用新型技术方案能够使绝缘层与半导体层形成高质量的界面，使得接触界面的缺陷态密度低，降低了载流子在非晶硅层背表面的复合，从而提升薄膜晶体管的性能。
绝缘层半导体层薄膜晶体管漏极源极本实用新型显示装置载流子缺陷态密度非晶硅层间隔设置栅极间隔背表面氮化硅氧化硅氧化铝导通贴合背离复合

[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和显示面板-CN201811587237.9在审
发明人： 葛邦同 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法和显示面板，所述薄膜晶体管的制作方法包括：提供衬底，在衬底上形成非晶硅薄膜层；图形化非晶硅薄膜层形成非晶硅层；在非晶硅层上形成二硅化镍(NiSi2)材质的金属种子层；所述非晶硅层在所述金属种子层的诱导作用下以及退火处理转化为多晶硅层；形成源漏极层。有效降低薄膜晶体管沟道中残留的金属，有效缩短结晶退火时间，可制备高质量性能稳定的低温多晶硅显示面板的薄膜晶体管(LTPS TFT,Low Temperature Poly‑Si Thin Film Transistor)。
薄膜晶体管非晶硅层显示面板非晶硅薄膜层金属种子层衬底制作薄膜晶体管沟道退火低温多晶硅多晶硅层二硅化镍退火处理诱导作用图形化源漏极制备残留金属转化

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201811589108.3在审
发明人： 葛邦同 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括如下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上形成金属种子层；图形化非晶硅层；通过退火结晶将非晶硅层转换为多晶硅层；形成源极和漏极。有效减少结晶时残留在非晶硅层上的金属，降低薄膜晶体管中的漏电流，提高薄膜晶体管的性能。
非晶硅层薄膜晶体管制作退火金属种子层多晶硅层有效减少漏电流图形化漏极源极残留金属转换

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置-CN201811243352.4在审
发明人： 葛邦同;付婷婷 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明适用于显示技术领域，提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，阵列基板的制作方法包括在源漏极金属层的湿蚀刻工艺后对导状光阻图案进行第一次灰化，岛状光阻图案包括第一部分和位于第一部分两侧的两个第二部分，第二部分的高度大于第一部分的高度，使岛状光阻图案的边缘与源漏极金属段的边缘对齐。本发明通过对岛状光阻图案增加第一次灰化工艺，使其边缘与湿蚀刻后的源漏极金属段的边缘对齐，当对源漏极金属层下方的半导体材料层进行干蚀刻时，能够使半导体材料层的边缘与源漏极金属层的边缘接近甚至对齐，降低有源层的带尾长度，防止有源层的两侧被光线照射到而产生光漏电流，保证了像素电压的稳定以及画面显示的质量。
阵列基板光阻图案源漏极金属层岛状半导体材料层边缘对齐显示装置湿蚀刻源漏极灰化源层制作金属光漏电流光线照射画面显示像素电压对齐干蚀刻带尾保证

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