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[发明专利]衬底处理方法及使用所述衬底处理方法制造的器件-CN201910445545.6有效
发明人： 闵允基 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理方法以及使用所述衬底处理方法制造的器件，所述衬底处理方法及器件可改善沉积在台阶式结构上的绝缘层的蚀刻选择性。衬底处理方法包括：在台阶式结构上形成第一层，所述台阶式结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与所述下表面的侧表面；使所述第一层的至少一部分弱化；在所述第一层上形成第二层；以及对所述第一层与所述第二层实行各向同性蚀刻工艺。
衬底处理方法使用制造器件

[发明专利]衬底处理系统-CN201910537169.3有效
发明人： 闵允基;金永勋;李学周;千承珠 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种用于提高工艺生产率的衬底处理系统。就此来说，所述衬底处理系统包括：第一室，提供在其中容置至少一个衬底的空间；第二室，被配置为将至少一个衬底转移到所述第一室；以及温度控制单元，被配置为改变所述第二室中的气体的温度。
衬底处理系统

[发明专利]衬底处理方法和使用其制造的半导体装置-CN201810379780.3有效
发明人：柳太熙;闵允基;刘龙珉 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理方法和使用其制造的半导体装置。所述衬底处理方法包含将各自包含绝缘层和牺牲层的多个堆叠结构堆叠在彼此上。方法还包含通过蚀刻堆叠结构来产生阶梯结构以及在阶梯结构的侧表面上产生分离层。方法进一步包含去除牺牲层且在去除牺牲层的空间中产生导电字线结构。分离层提供在导电字线结构之间。本发明的衬底处理方法可通过在台阶式结构的选择性区域上沉积薄膜来防止或最小化可在工艺期间出现的某些风险。
衬底处理方法使用制造半导体装置

[发明专利]衬底处理方法-CN202211234095.4在审
发明人： D.H.罗;李庚垠;H.J.李;闵允基;H.R.金;高东铉;曹成日 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C16/515 文献下载
摘要：一种能够在具有高纵横比的间隙结构的表面上形成具有改善的台阶覆盖的膜的衬底处理方法，包括：提供具有第一台阶和第二台阶部分的间隙结构；将包括源气体的气体供应到间隙结构上；从源气体产生活性物质；通过中和活性物质产生中性分子，并在朝向在第一台阶部分和第二台阶部分之间延伸的凹部的下表面的方向上移动中性分子；以及激发在朝向下表面的方向上移动的中性分子。
衬底处理方法

[发明专利]衬底处理方法及通过所述衬底处理方法制造的半导体器件-CN201810335908.6有效
发明人：柳太熙;闵允基;刘龙珉 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理方法及通过所述衬底处理方法制造的半导体器件，所述衬底处理方法可防止在具有台阶式结构的垂直与非器件中选择性地沉积接地焊盘的工艺中沉积在每一台阶上的接地焊盘的厚度不均匀，其包括：将包括绝缘层与牺牲层的堆叠结构堆叠多次；及对所述堆叠结构进行蚀刻以形成台阶式结构，所述台阶式结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与下表面的侧表面。所述方法亦包括在所述台阶式结构上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成掩模层；通过利用第一蚀刻溶液对所述掩模层的至少一部分进行蚀刻来暴露出所述阻挡层的至少一部分；及利用第二蚀刻溶液对被暴露出的所述阻挡层进行蚀刻；所述方法还包括利用第三蚀刻溶液对所述掩模层进行蚀刻。
衬底处理方法通过制造半导体器件

[发明专利]基底处理方法-CN202010999688.4在审
发明人：姜熙成;闵允基;林完奎;吴锡宰;曹成日 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种基底处理方法，其能够实现形成在阶梯结构上的薄膜的整个厚度范围中的均匀的蚀刻选择性，该方法包括：通过执行多个循环而在基底上形成薄膜，该循环包括形成至少一层以及在第一处理条件下将等离子体施加到该至少一层；以及在不同于第一处理条件的第二处理条件下将等离子体施加到薄膜。
基底处理方法

[外观设计]用于半导体制造设备的气体供应板-CN201830220130.5有效
发明人：李学周;禹正俊;安淙铉;闵允基 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： 23-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：用于半导体制造设备的气体供应板。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于安装在半导体沉积设备的反应器内，并且包括多个孔，用以均匀地向基板供应反应气体。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状，尤其是中心孔、围绕中心孔的8个孔和围绕8个孔的16个孔。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：X部放大图。
外观设计半导体制造设备气体供应板中心孔半导体沉积反应气体基板供应反应器图片