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[发明专利]一种含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物、制备方法及其应用-CN201810384994.X有效
发明人：齐会民;王帆;朱亚平;郭康康;彭翔 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C08G79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物、制备方法及其应用。本发明所述的含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物的结构特征是在聚合物分子链中含有环硼氮烷和硅氮烷结构。该陶瓷前驱体聚合物的制备方法是以氯化铵、有机伯胺、三卤化硼、二氯硅烷和氨气为主要原料，在隋性气体保护下分三步反应合成硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物。首先氯化铵或有机伯胺与三卤化硼反应合成三氯环硼氮烷，然后将三氯环硼氮烷与烃基溴化镁格氏试剂反应得到烃基取代的氯代环硼氮烷，再与二氯硅烷共氨解合成硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物。本发明的含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物为无色或浅黄色粘稠状液体，可溶于常用溶剂，工艺性能优良。前驱体聚合物固化物可热解转化陶瓷，陶瓷产率高，可用于制备硅硼氮陶瓷基复合材料。
一种含环硼氮烷硅硼氮烷陶瓷前驱聚合物制备方法及其应用

[发明专利]耐高温陶瓷基复合涂层及其制备方法-CN201610439845.X在审
发明人：刘键;林德苗;吴佩萱;王真 -专利权人：中物功能材料研究院有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：一种耐高温陶瓷基复合涂层，包括以下重量份数的组分：含炔基树脂：1～99份；聚硼硅氮烷树脂或聚硅氮烷树脂：1～99份；及纳米级填料：1～99份；或包括以下重量份数的组分：含炔基聚硼硅氮烷或含炔基聚硅氮烷：上述耐高温陶瓷基复合涂层采用了炔基树脂、或含炔基聚硼硅氮烷或含炔基聚硅氮烷制备的耐高温陶瓷基复合涂层，从而该耐高温陶瓷基复合涂层可以实现在更低温度下的固化交联，形成的涂层具有更好的柔韧性。
耐高温陶瓷复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种氮杂碳硼笼离子型化合物及其制备方法-CN202011474276.5在审
发明人：张延强;焦念明;刘龙;田亚楠;张锁江 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C07D233/58 文献下载
摘要：本发明涉及一类新型氮杂碳硼笼离子型含能化合物的制备方法，属推进剂用化学品合成领域。制备过程中以癸硼烷为硼源，乙腈作为溶剂和反应物，利用质子海绵的强碱性，打破癸硼烷的电子平衡态，与极性基团氰基发生电子转移，成功将氰基引入到巢式硼笼中形成闭式氮杂碳硼笼阴离子结构；随后利用复分解反应将含能咪唑阳离子与氮杂碳硼笼组合得到氮杂碳硼笼离子化合物该类化合物充分发挥含氮基团的能量特性，同时结合离子型化合物极低蒸汽压、无挥发性毒性的优势，解决以往硼烷和碳硼烷化合物能量不足和强毒性的缺点。
一种氮杂碳硼笼离子化合物及其制备方法

[发明专利]一种硼碳氮薄膜的制备方法-CN202110276691.8在审
发明人：吕燕飞;蔡庆锋;彭雪;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C16/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼碳氮薄膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼源，甲烷作为碳源，氢气和氩气混合气体为载气，铜或镍金属薄膜作为生长基底，通过CVD法在基底表面生长单分子层厚BCN薄膜，甲烷与氨硼烷蒸气的流量比调控膜中碳含量本发明使用的源，碳源甲烷相对于其他烷类气体，含碳量低，是制备石墨烯的首选含碳起源，氮、硼源氨硼烷常用于制备h‑BN单分子层的氮、硼源。生长基底铜、镍是生长石墨烯、h‑BN单分子层常用基底。
一种硼碳氮薄膜制备方法

[发明专利]一种含硅聚硼氮烷先驱体的制备方法-CN201110307668.7无效
发明人：王军;李文华;谢征芳;王浩;王小宙;任武荣;李萌 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C08G79/08 文献下载
摘要：一种含硅聚硼氮烷先驱体的制备方法。是以三氯化硼和七甲基二硅胺烷为起始原料，按三氯化硼∶七甲基二硅胺烷的摩尔比=1∶3～1∶10）以滴加的方式加入反应器中，边滴加边搅拌；升温至150～500℃，保温10～40小时；再将反应器温度降至室温～300℃，减压蒸馏0.1～3小时，除去溶剂、低分子后，将体系降至室温即得到含硅聚硼氮烷先驱体。本发明反应过程简单，合成产率高；成本低，制得的含硅聚硼氮烷先驱体应用范围很广，可以用于制备陶瓷纤维、陶瓷块状材料，陶瓷基复合材料，特别适合于制备透波陶瓷材料。
一种含硅聚硼氮烷先驱制备方法

[发明专利]含苯环聚合物裂解转化SiBCN无金属陶瓷吸波材料及制备方法-CN201811195572.4在审
发明人：孔杰;骆春佳;赫丽华;刘平桂;唐玉生 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种含苯环聚合物裂解转化SiBCN无金属陶瓷吸波材料及制备方法，包括含苯环超支化聚硼硅氮烷的合成以及SiBCN陶瓷吸波材料的制备，本发明利用甲基二氯二苯基硅烷、二氯硅烷、三氯化硼以及六甲基二硅杂氮烷合成超支化聚硼硅氮烷，再将超支化聚硼硅氮烷交联后压片成胚体，胚体裂解成陶瓷吸波材料。本发明从陶瓷聚合物前驱体结构设计入手，进行高陶瓷产率聚硼硅氮烷前驱体的合成和交联拓扑体系的构筑，在聚硼硅氮烷前驱体结构中直接引入苯环，使苯环中的sp2杂化碳原子在裂解转化过程中直接原位形成石墨碳、碳纳米管等结构
聚硼硅氮烷吸波材料裂解超支化前驱体苯环制备含苯环聚合物金属陶瓷合成交联胚体陶瓷转化金属陶瓷基复合材料二氯二苯基硅烷陶瓷聚合物二氯硅烷三氯化硼碳纳米管吸波性能原位形成低损耗非晶态六甲基石墨碳碳原子吸波剂产率氮烷拓扑压片构筑引入

[发明专利]一种含环硼氮烷结构的SiBCN陶瓷前驱体的制备方法-CN201510355139.2在审
发明人：刘伟;曹腊梅;益小苏;谭僖;李麒 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： C08G79/08 文献下载
摘要：一种含环硼氮烷结构的SiBCN陶瓷前驱体的制备方法。属于无机非金属材料领域，包括以下步骤：首先将氯甲基硅烷制成格氏试剂，再与含氯环硼氮烷反应，得到含环硼氮烷结构的小分子产物；进一步将含Si-Cl基团的小分子产物氨(胺)解，得到相应的聚合物产物。
一种含环硼氮烷结构 sibcn 陶瓷前驱制备方法

[发明专利]摩擦改进剂及其制造方法-CN201380047969.8在审
发明人：孙一凡;F·西马德;R·奈特;J·沃德 -专利权人：雪佛龙奥伦耐有限责任公司
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C10M101/04 文献下载
摘要：包含以下物质的反应产物的润滑油添加剂组合物(a)含氮反应物，其中所述含氮反应物包含烷基链链烷醇酰胺、烷基烷氧基化链烷醇酰胺、烷基链烷醇胺、烷基烷氧基化链烷醇胺或它们的混合物，和其中所述含氮反应物含有少于10质量％的甘油烷基酯；(b)硼源；和(c)具有至少三个羟基的烃基多元醇。
摩擦改进及其制造方法

[发明专利]硅硼碳氮基复合材料及其制备方法-CN201110417954.9无效
发明人：李亚利;孟凡星 -专利权人：天津大学
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅硼碳氮基复合材料及制备方法。本发明是以聚硼硅氮烷和钨、钛、硼、氮化钛等单质或化合物粉为原料，混合后加热，形成硅硼碳氮基复合材料。典型制备步骤为：将单质或化合物粉加入聚硼硅氮烷液，50～500℃下加热得聚硼硅氮烷与单质或化合物粉的混合物；或将聚硼硅氮烷与单质或化合物粉混合，600～2000℃惰性或活性气氛下加热该混合物制备。本发明技术可将各种单质或化合物与硅硼碳氮复合，大范围调控引入单质或化合物的含量，制备含多种组分的硅硼碳氮基复合材料。本发明技术制备的硅硼碳氮基复合材料具有耐高温、抗氧化、抗高温蠕变等优异性能，可应用于航空航天和高温系统等领域。
硅硼碳氮基复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高硼含量碳硼烷聚合物及其合成方法-CN202111325790.7有效
发明人：宋育杰;段连泰;李天昊;陈科;何流;黄庆;黄政仁 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料领域，涉及一种高硼含量碳硼烷聚合物的合成方法，包括以下步骤：含炔基聚硅氮烷、十硼烷络合物和反应溶剂在惰性气氛中，于60～120℃下反应7～15h，抽干、升华，得到高硼含量碳硼烷聚合物本发明成功合成了一种高硼含量且硼含量可控的碳硼烷聚合物，为碳硼烷聚合物的生产和应用提供了新的可能。
一种含量碳硼烷聚合物及其合成方法

[发明专利]一种含硼陶瓷先驱体及其制备方法和应用-CN202210906379.7在审
发明人：黄小忠;刘锐;陈旋;刘鹏 -专利权人：湖南泽睿新材料有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：将含多面体硼烷阴离子的有机物，与含氮的有机碱单体混合，获得混合液，然后于保护气氛下反应，即得聚硼氮烷先驱体，所述反应的温度为120～300℃，反应的时间为2～6h。采用本发明制备的含硼先驱体制备的氮化硼、氮碳化硼以及硅硼氮碳材料具有很高的热稳定性，耐高温、抗氧化且密度低强度高，在发动机和燃气轮机的耐热部件、航空航天器热防护涂层、耐烧蚀材料以及核反应堆保护材料等方面有很大的应用前景
一种陶瓷先驱及其制备方法应用

[发明专利]一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法-CN202111417188.6在审
发明人：韩耀;张冰清;张剑;董衡;吕毅;赵英民;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法。所述制备方法为：将聚硅硼氮烷进行固化和裂解，得到聚硅硼氮烷裂解产物；将聚硅硼氮烷裂解产物进行处理，得到聚硅硼氮烷裂解产物粉体；将聚硅硼氮烷裂解产物粉体放入干压模具中，然后往干压模具中加入聚硅硼氮烷液体胶液并使聚硅硼氮烷液体胶液与聚硅硼氮烷裂解产物粉体混合均匀后进行压制成型，得到由聚硅硼氮烷裂解产物和聚硅硼氮烷液体胶液组成的混合物；将所述混合物进行固化、裂解和机加，得到聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样。本发明有效解决了聚硅硼氮烷裂解产物难以制备出介电性能测试试样，从而无法测试出不同裂解条件下材料的介电性能的技术难题。
一种聚硅硼氮烷裂解产物性能测试试样及其制备方法

[发明专利]一种制备含官能团的手性硼烷的卡宾插入方法-CN201510083081.0有效
发明人：徐明华;陈雕 -专利权人：中国科学院上海药物研究所
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备高光学纯度的含官能团的手性硼烷的方法。本发明方法利用铑(I)/手性双烯配合物作为催化剂，通过一价铑金属卡宾对胺‑硼络合物或氮杂卡宾‑硼烷的硼‑氢键的不对称插入反应实现。本发明方法的反应条件温和，操作简便，底物适用性好，能够以高收率及高立体选择性制备得到高光学纯度的含α‑羰基有机硼烷类化合物。
一种制备官能团手性插入方法

[发明专利]一种含硅硼氮界面的透波陶瓷基复合材料的制备方法-CN201810738515.X有效
发明人：刘勇;刘涛;王华青;刘泽新;纪宝明 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种含硅硼氮界面的透波陶瓷基复合材料的制备方法，包括：在透波陶瓷纤维预制件的表面，以硅烷，三氯化硼和氨气为前驱体，氢气为载气，氩气为稀释气体，进行化学气相沉积，得到具有非晶SiBNC涂层的纤维预制件；进行热处理，得到具有SiBN透波涂层的纤维预制件；置于环硼氮烷前驱体浆料中进行压力浸渍，然后裂解，得到含硅硼氮界面的透波陶瓷基复合材料。本发明制备的含硅硼氮界面的透波陶瓷基复合材料弯曲强度和断裂韧性高，介电性能优良，表面的硅硼氮涂层连续性和均匀性较好，不易脱落。
一种含硅硼氮界面陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]一种含铪硅硼碳氮高温吸波陶瓷及其制备方法和应用-CN202210048349.7在审
发明人：孔杰;宋燕;刘子玉;朱润秋 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种含铪硅硼碳氮吸波陶瓷的制备方法，属于吸波材料技术领域。首先制备超支化聚合物，再与四(二乙基氨基)铪进行交联，将铪元素引入超支化聚合物中形成含铪聚硼硅氮烷前驱体，最后通过热解实现前驱体到陶瓷的转化。此方法获得的含铪聚硼硅氮烷前驱体结构可控，经热解得到的含铪硅硼碳氮陶瓷在高温退火时能够生成HfC相、SiC相、HfB2相。
一种含铪硅硼碳氮高温陶瓷及其制备方法应用

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