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[发明专利]一种非对称双官能度碳硼烷衍生物及制备方法和应用-CN201811356448.1在审
发明人：单烽森;巫婷;陈功;杨继萍 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明涉及抗肿瘤领域及高分子材料领域，涉及一种非对称双官能度碳硼烷衍生物及其制备方法和应用。所述碳硼烷衍生物是以式1为代表的一系列含羧基和羟基的碳硼烷衍生物，由于“硼笼”的存在具有很高的硼含量，可解决现有硼中子辐射疗法硼含低的难题。此碳硼烷衍生物因具有“硼笼”超芳香性结构，常赋予材料优异的耐高温性能，此外，它含有羧基和羟基两种不同性质的官能团，通过自缩聚制备了以羟基和羧基封端的含碳硼烷聚酯，可进一步制备耐高温胶粘剂，满足航空航天领域对耐高温胶粘剂的迫切需求这类碳硼烷衍生物在蓬勃发展的硼中子俘获疗法及耐高温胶粘剂领域具有极大的应用价值。
碳硼烷衍生物耐高温胶粘剂羟基羧基制备方法和应用双官能度非对称制备高分子材料领域硼中子俘获疗法航空航天领域耐高温性能辐射疗法迫切需求芳香性抗肿瘤硼中子碳硼烷聚酯缩聚赋予应用

[发明专利]一种含氟聚硅氮烷及其制备方法-CN201610891761.X有效
发明人：张宗波;徐彩虹;罗永明;李永明;曾凡 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氟聚硅氮烷及其制备方法。所述含氟聚硅氮烷包含至少一种含氟基团。所述含氟聚硅氮烷的制备方法，包括如下步骤：(1)含有Si‑H键和/或Si‑X键的卤硅烷与含有可反应的活性官能团的含氟化合物进行反应，得到含氟的卤硅烷单体；(2)所述含氟的卤硅烷单体与卤硅烷单体混合，进行氨解反应，即得到含氟聚硅氮烷。本发明在单体原料阶段就进行改性，这样能提供种类更多的含氟聚硅氮烷材料。特别是与其它氯硅烷的共氨解反应，能使制备的含氟聚硅氮烷更多的性能，这为材料的后期应用提供了更多可能。
一种含氟聚硅氮烷及其制备方法

[发明专利]一种耐高温含碳硼烷聚酰亚胺树脂的合成方法-CN201710545844.8有效
发明人：邱银;冯晨;丁鹏飞;陈济轮;黑艳颖;苏会丽 -专利权人：首都航天机械公司;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明涉及树脂合成技术领域，具体公开了一种耐高温含碳硼烷聚酰亚胺树脂的合成方法，包括以下步骤：步骤一：4‑乙炔基甲苯合成4‑碳硼烷甲苯；步骤二：4‑碳硼烷甲苯合成2,6‑二硝基‑4‑碳硼烷甲苯；步骤三：2,6‑二硝基‑4‑碳硼烷甲苯合成2,6‑二氨基‑4‑碳硼烷甲苯；步骤四：2,6‑二氨基‑4‑碳硼烷甲苯合成改性聚酰亚胺树脂。本发明采用以苯乙炔封端的热固性聚酰亚胺树脂为基体，对其单体二胺进行分子设计，合成出了含碳硼烷硼笼结构的间苯二胺，再与酸酐和封端剂进行聚合反应，最终得到改性聚酰亚胺树脂，其聚合物最高使用温度可达600℃，
一种耐高温含碳硼烷聚酰亚胺树脂合成方法

[发明专利]热解氮化硼材料的制备方法-CN201710428945.7在审
发明人：高世涛;李斌;张长瑞;李端;杨雅萍;刘荣军 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种热解氮化硼材料的制备方法，包括以下步骤在真空条件下，将基底模具置于携带有环硼氮烷蒸汽的载气气氛中，采用化学气相沉积法，使不断附着在基底模具的沉积面上的环硼氮烷热解，形成热解氮化硼。该热解氮化硼材料的制备方法具有工艺简单易控、成本低、能耗低、产率高、绿色环保等优点。
氮化材料制备方法

[发明专利]含氯的硅氮烷聚合物的制备方法-CN89108959.4无效
发明人：提罗·瓦斯;马塞路斯·皮尤克特;马丁·布鲁克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1989-12-02 - 公布日： 1996-03-13 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明涉及新的含氯的硅氮烷聚合物，其制备及其继续加工成含氮化硅的陶瓷材料以及这种材料本身。按本发明的含氯的硅氮烷聚合物可通过与氨反应转化为聚硅氮烷，而聚硅氮烷可被热解成含氮化硅的陶瓷材料。
硅氮烷聚合物制备方法

[发明专利]环硼氮烷化合物的制备方法-CN201210004593.X无效
发明人：山本哲也;神山卓也 -专利权人：株式会社日本触媒
申请日： 2006-01-28 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C07F5/05 文献下载
摘要：通过a)ABH4(A是锂原子、钠原子或钾原子)表示的碱金属硼氢化物与(RNH3)nX(R是氢原子或烷基，X是硫酸根或卤素原子，n为1或2)表示的胺盐的反应，或者b)乙硼烷(B2H6)和RNH2(R是氢原子或烷基)表示的胺的反应合成环硼氮烷化合物时，将原料的含水量控制在规定值以下，使用具有规定沸点的不同溶剂的混合溶剂作为反应用溶剂，或者在反应时将原料缓缓供给反应容器。或者，对环硼氮烷化合物进行蒸馏精制处理及过滤处理。这样，可以安全且高收率地制备高纯度的环硼氮烷化合物。
环硼氮烷化合物制备方法

[发明专利]环硼氮烷化合物的制备方法-CN200610067307.9无效
发明人：山本哲也;神山卓也 -专利权人：株式会社日本触媒
申请日： 2006-01-28 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C07F5/05 文献下载
摘要：SUB> (A是锂原子、钠原子或钾原子)表示的碱金属硼氢化物与(RNH₃)_nX(R是氢原子或烷基，X是硫酸根或卤素原子，n为1或2)表示的胺盐的反应，或者b)乙硼烷(B₂H₆)和RNH₂ (R是氢原子或烷基)表示的胺的反应合成环硼氮烷化合物时，将原料的含水量控制在规定值以下，使用具有规定沸点的不同溶剂的混合溶剂作为反应用溶剂或者，对环硼氮烷化合物进行蒸馏精制处理及过滤处理。这样，可以安全且高收率地制备高纯度的环硼氮烷化合物。
环硼氮烷化合物制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610092572.2有效
发明人：熊田辉彦;信时英治;保田直纪;后藤欣哉;松浦正纯 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过使用环硼氮烷系的化合物的绝缘膜来提高绝缘材料和布线材料间的附着性或机械强度等特性的半导体器件及其制造方法。1绝缘层上形成的刻蚀阻止层3，在刻蚀阻止层3上形成的第2绝缘层4，在第2绝缘层4上形成的第3绝缘层7，被埋入到第2绝缘层4和第3绝缘层7的凹部的第2导体层5；其特征在于：第2绝缘层4和第3绝缘层7是以含碳的环硼氮烷化合物为原料、利用化学汽相淀积法而形成的；第3绝缘层7的含碳率比第2绝缘层4的含碳率低。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种2-硼化苯并噻唑衍生物的合成方法-CN202210250940.0在审
发明人：宣俊;陈泽乐;朱清玮 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种2‑硼化苯并噻唑衍生物的合成方法，在光照条件下，以金属铱配合物作为光敏剂，利用苯并噻唑化合物1与氮杂环卡宾硼烷化合物2在溶剂中进行反应。在该反应过程中，氮杂环卡宾硼烷化合物2在可见光和光敏剂作用下通过单电子转移过程产生氮杂环卡宾硼自由基阳离子，氮杂环卡宾硼自由基阳离子随后完成对苯并噻唑化合物1的硼化反应。
一种硼化苯噻唑衍生物合成方法

[发明专利]一种高硼含量的聚硅硼氮烷的制备方法-CN202111326574.4有效
发明人：宋育杰;党炎培;赵泱中;李天昊;何流;黄庆;黄政仁 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明提供一种高硼含量的聚硅硼氮烷的制备方法，包括以下步骤：S1、在碳硼烷和反应溶剂中充入惰性气体，‑4～4℃下滴加正丁基锂，15～37℃下反应2～8h；S2、在氯硅烷和反应溶剂中充入惰性气体，‑4～4℃下往其滴加S1反应产物，然后在20～70℃反应10～30h；S3、在步骤S2反应产物中加入反应溶剂，或者在步骤S2反应产物中加入反应溶剂和三氯化硼，‑4～4℃下滴加胺类化合物，20～110℃下反应1～本发明制备的聚硅硼氮烷具有硼含量较高、热稳定性优异、陶瓷产率高、合适的玻璃化转变温度等优点，扩大了聚硅硼氮烷的应用领域，提高了其应用价值。
一种含量聚硅硼氮烷制备方法

[发明专利]陶瓷基复合涂层及其制备方法-CN201511032424.7有效
发明人：刘键;林德苗;吴佩萱;王真 -专利权人：砺剑防务技术集团有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：一种陶瓷基复合涂层，以含炔基树脂、聚硼硅氮烷和/或聚硅氮烷树脂、纳填料为主要原料，以适当的有机溶剂稀释，经过研磨和分散，涂覆或浸渍在C/C材料上，然后进行固化交联、高温裂解后，形成耐高温陶瓷基复合涂层，上述涂层因为前驱体中含有炔基，不但可以降低固化交联的温度，而且在高温裂解过程中可以形成更过自由碳，有助于形成难溶金属碳化物和SiC，碳化物的形成可以碳化物的形成可以增强该陶瓷基复合涂层与碳材料的界面结合能力，同时还能发挥硅碳氮或硅硼碳氮高温陶瓷和金属碳化物材料的双重抗高温优势
陶瓷复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种硅基碳硼烷聚合物及其制备方法-CN201710318989.4有效
发明人：童德进;李战雄;褚吉成;周莹;杨录新;阎四海;戴礼;王海朋 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C08G77/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基碳硼烷聚合物及其制备方法。具体以1,1′‑烃基硅甲撑‑2,2′‑双（二甲基硅基）双碳硼烷为反应原料，制得1,1′‑烃基硅甲撑‑2,2′‑双（羟基二甲基硅基）双碳硼烷；以三乙烯基三甲基环三硅氮烷为初始原料，与二甲基氯硅烷进行反应，制得1,3,5‑三甲基‑1,3,5‑三[β‑(二甲基氯硅基)乙基]环三硅氮烷，通过缩聚，得到的共聚物具有反应性，将聚合物涂覆至碳纤维表面，可得到硅基碳硼烷交联聚合物防护的碳纤维材料，制备的碳硼烷具有非常优异的耐热和抗氧化功能。本发明提供的硅基碳硼烷聚合物制备工艺简便，制备反应条件温和，原材料易得，适合工业放大化生产。
一种硅基碳硼烷聚合物及其制备方法

[发明专利]由聚合氢化硅氮烷制备作陶瓷材料用的四氮化三硅的方法-CN91103566.4无效
发明人：蒂洛·法斯;托马斯·格尔道;马赛鲁斯·波克特;马丁·布吕克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1988-12-21 - 公布日： 1994-02-16 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：聚合的氢化硅氮烷及其制备方法，可由其制备的含四氮化三硅的陶瓷及其制备。本发明涉及新的聚合的氢化硅氮烷及其制备，该物质转化成含四氮化三硅的陶瓷材料及材料本身。为制备聚合的氢化硅氮烷，使聚合的硫代硅氮烷与NH3反应。为制备含四氮化三硅的陶瓷材料，然后对聚合的氢化硅氮烷进行热解。
聚合氢化硅氮烷制备陶瓷材料氮化方法

[发明专利]聚合的氢化硅氮烷制备方法-CN88108792.0无效
发明人：蒂洛·法斯;托马斯·格尔道;马赛鲁斯·波克特;马丁·布吕克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1988-12-21 - 公布日： 1992-11-18 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：聚合的氢化硅氮烷及其制备方法，可由其制备的含四氮化三硅的陶瓷及其制备。本发明涉及新的聚合的氢化硅氮烷及其制备，该物质转化成含四氮化三硅的陶瓷材料及材料本身。为制备聚合的氢化硅氮烷，使聚合的硫代硅氮烷与NH3反应。为制备含四氮化三硅的陶瓷材料，然后对聚合的氢化硅氮烷进行热解。
聚合氢化硅氮烷制备方法

[发明专利]高性能导热硅脂的制备方法-CN201710149415.9有效
发明人：潘科学 -专利权人：广东新翔星科技股份有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C08L83/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能导热硅脂的制备方法，其特征在于，它是将含烷氧基、苯基和硼基的聚硅氧烷及导热填料加入强力分散机，在室温下搅拌均匀，然后升温至60～100℃搅拌30～120min，最后在真空度为0.05～0.098MPa、温度为100～160℃下继续搅拌10～200min，制得高性能导热硅脂；原料质量分数如下：含烷氧基、苯基和硼基的聚硅氧烷100份；导热填料200～1200份；所述含烷氧基、苯基和硼基的聚硅氧烷的结构通式为
性能导热制备方法