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[发明专利]含三碳硼烷笼状结构的三胺化合物及制备方法、共聚型聚酰亚胺、聚酰亚胺复合材料和应用-CN202010475457.3有效
发明人：武元娥;李松;肖沅谕;高龙飞;张雪梅;路秋勉 -专利权人：北京玻钢院复合材料有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种含三碳硼烷笼状结构的三胺化合物及制备方法、共聚型聚酰亚胺、聚酰亚胺复合材料和应用；合成了含三碳硼烷笼状结构的三胺化合物、含多碳硼烷笼状结构的共聚聚酰亚胺低聚物、聚酰亚胺树脂溶液，基于合成的三种物质制备共聚型聚酰亚胺和聚酰亚胺复合材料
含三碳硼烷笼状结构化合物制备方法共聚聚酰亚胺复合材料应用

[发明专利]一种耐氧化的聚硅氧烷组合物-CN99125052.4有效
发明人：谢择民;李永明 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 1999-11-25 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明为一种耐氧化的聚硅氧烷组合物，该组合物以一种含Fe聚硅氮烷作为添加剂，从而提高了聚硅氧烷的抗热氧化性能。提供了一种聚硅氧烷组合物的配方及加入含Fe聚硅氮烷的范围。也可用各种商品的硅油、硅橡胶和硅树脂代替本配方的聚硅氧烷胶料从而提高它们在空气中的耐高温性能。
一种氧化聚硅氧烷组合

[发明专利]可聚合组合物、聚合组合物、以及它们的制备和使用方法-CN201680052623.0有效
发明人： R·S·克洛;S·E·德莫斯;M·A·克洛普 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C08G75/045 文献下载
摘要：本发明公开了一种可聚合组合物，所述可聚合组合物包含有机硼烷‑碱络合物，其为有机硼烷与碱的络合物；解络剂，其从有机硼烷‑碱络合物中至少部分地释放有机硼烷；可聚合含硫醇组分，其包含至少一种具有多个硫醇基团的可聚合含硫醇化合物所述含硫醇化合物和烯键式不饱和化合物的组合量总计为所述可聚合组合物中所有可聚合材料的至少50重量％。所述组合物可作为两部分组合物提供。还公开了所述组合物的聚合反应产物以及制备所述组合物的方法。
聚合组合以及它们制备使用方法

[发明专利]一种复合有机前驱体法制备BN-Si₃N₄复相陶瓷连续纤维的方法-CN201710947399.8有效
发明人：张伟刚;戈敏;谭竞;卢振西 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： D01F9/10 文献下载
摘要：一种复合有机前驱体法制备BN‑Si₃N₄复相陶瓷连续纤维的方法，本发明以聚硼氮烷和聚硅氮烷所制备的复合有机前驱体为原料，聚硅氮烷有机前驱体的含量占有机前驱体总量的
有机前驱体复相陶瓷连续纤维复合聚硅氮烷高温热裂解介电性能聚硼氮烷力学性能熔融纺丝不熔化制备

[发明专利]涂料组合物及其制备方法、涂覆件及其制备方法、家用电器-CN201811172190.X在审
发明人：赵莉 -专利权人：广东美的厨房电器制造有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C09D183/10 文献下载
摘要：所述涂料组合物的制备原料包括聚硅氮烷、聚硅氧烷及含低表面能侧链的硅氧烷，所述聚硅氮烷和聚硅氧烷发生共聚反应生成聚硅氮烷‑聚硅氧烷共聚物，所述色料和含低表面能侧链的硅氧烷与所述聚硅氮烷‑聚硅氧烷共聚物相混合
涂料组合物制备聚硅氮烷涂覆件聚硅氧烷共聚物低表面能聚硅氧烷硅氧烷侧链家用电器安全级别共聚反应食品接触附着性耐温性易清洁色料应用

[发明专利]含碳癸硼烷聚酰亚胺单体及其制备方法-CN201210483523.7有效
发明人：宋育杰;陈功 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C07D209/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种含碳癸硼烷结构的聚酰亚胺单体及其制备方法，其合成路线包括这种含有碳硼烷结构的聚酰亚胺单体结构耐热性能有明显提高
含碳癸硼烷聚酰亚胺单体及其制备方法

[发明专利]一种低氮低硼低磷低碳锰铁的生产方法-CN202111615852.8有效
发明人：韩永光;王洪涛;薛金柱;管洪璞;刘冰;郑海东;王永胜;李晓峰 -专利权人：吉铁铁合金有限责任公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低氮低硼低磷低碳锰铁的生产方法，其包括如下步骤：(1)按原料比例配料；(2)各原料加入精炼电炉；(3)冶炼；(4)合金出炉制得低氮低硼低磷低碳锰铁成品。通过本发明生产方法可控制低碳锰铁中氮、硼、磷有害元素的含量，生产的低碳锰铁中氮的质量百分含量小于0.015％；硼的质量百分含量小于0.008％；磷的质量百分含量小于0.1％，本发明生产的低氮低硼低磷低碳锰铁产品可提高钢材性能，满足冶炼低碳含锰特殊钢种和军工用钢的需要。
一种低氮低硼低磷低碳锰铁生产方法

[发明专利]一种制备硼氮均相硼氮掺杂红色二氧化钛的方法-CN201810115412.8有效
发明人：刘岗;洪星星;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及光催化材料的掺杂制备技术，具体为一种制备硼氮均相硼氮掺杂红色二氧化钛的方法。该方法的具体步骤是：以含氮易分解固体有机物为掺杂氮源，将硼掺杂二氧化钛与氮源分置于样品装置中，以提供相对密闭的掺杂环境，通过控制加热温度与处理时间，实现二氧化钛的均相硼/氮掺杂，使得二氧化钛光吸收边的整体红移，所得硼/氮掺杂二氧化钛光催化材料在整个可见光范围内均具有高吸光率，显著提升其光催化应用潜力。
一种制备均相掺杂红色氧化方法

[发明专利]三维竖直NAND字线的金属填充过程-CN201880059689.1在审
发明人：劳伦斯·施洛斯;拉什纳·胡马雍;桑杰·戈皮纳特;高举文;迈克尔·达内克;凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：该方法包括提供乙硼烷和余量的氢的气体混合物，其中氢用于稳定气体混合物中的乙硼烷。该方法还包括将气体混合物输送到半导体衬底以形成硼层，其中硼层用作还原剂层以将含金属的前体转化为金属，例如将含钨的前体转化为钨。在一些实现方式中，半导体衬底包含竖直结构，例如三维竖直NAND结构，其具有在竖直结构的侧壁中具有开口的水平特征或字线，其中硼层可共形地沉积在竖直结构的水平特征中。
三维竖直 nand 金属填充过程

[发明专利]一种硼酸酯化合物的制备方法-CN201910206701.3有效
发明人：杜海峰;王桥天 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：该方法包括下述步骤：在催化剂存在的条件下，使式II所示的化合物与式III所示的氮杂卡宾硼烷进行烯烃硼氢化反应即得。本发明利用二苯基乙烯与氮杂卡宾硼烷在催化剂存在的条件下，在溶液中进行反应，实现了硼酸酯化合物的合成。
一种硼酸酯化制备方法

[发明专利]戊硼烷（9）的储存和递送-CN200580046982.7无效
发明人：卡尔·W·奥兰德;乔斯·I·阿尔诺 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种流体储存和分配系统(100)，其包括在液氮浴(128)中的用于储存处于低于大气压的含戊硼烷(9)的流体的容器(126)。该戊硼烷可以由液体或合成源(124)供给，氮气从阀门(120)供给，该阀门可以由气体调节器(R-1&R-2)控制。该流体储存和分配系统可以借助于各个阀门(AV-1～AV-16&MV-1～MV-4)可联通地连接至半导体或液晶生产设施，由此，戊硼烷(9)被用作商用硼氢化物如乙硼烷的替代物。这种系统可以包括排气泵(130)、净化装置(140)和三通阀(162)，以取样检测此处输出的戊硼烷(9)的浓度。
戊硼烷储存递送

[发明专利]一种多孔氮硼共掺杂的碳基氧还原催化剂及其制备方法和应用-CN202011058638.2有效
发明人：韩建涛;魏鹏;方淳 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明属于电催化和能源材料技术领域，具体涉及一种多孔氮硼共掺杂的碳基氧还原催化剂及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：1)获取混合原料，所述原料包括含氮的碳前驱体和四苯硼钠；2)对步骤1)得到的所述原料进行固相合成，得到粗产物；3)将步骤2)得到的所述粗产物进行清洗，得到多孔氮硼共掺的碳基氧还原催化剂上述技术方案采用四苯硼钠作为原料，四苯硼钠既作为硼源前驱体又能作为孔形成剂，使用的简单的固相合成方法，即可以得到具有多孔结构的氮硼共掺杂材料。
一种多孔氮硼共掺杂碳基氧还原催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种含三氮唑基团的多面体低聚倍半硅氧烷共聚物及其制备方法-CN201310046446.3有效
发明人：戴李宗;康启龙;曾碧榕;陈凌南;许一婷;罗伟昂;余世荣;毛杰;叶华立;李聪;陈国荣;刘新瑜;何凯斌 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C08F212/32 文献下载
摘要：一种含三氮唑基团的多面体低聚倍半硅氧烷共聚物及其制备方法，涉及一种含多个活性配位点的多面体低聚倍半硅氧烷聚合物。其特点是充分利用“Click”点击化学反应高效、条件温和以及反应快速的优点，结合RAFT活性聚合方法，制备出含多个以氮为配位点的多面体齐聚倍半硅氧烷共聚物。本发明制备的含1,2,3-三氮唑基团的多面体低聚倍半硅氧烷共聚物在药物载体、金属离子传感器和吸附分离材料等方面具有潜在应用。
一种含三氮唑基团多面体低聚倍半硅氧烷共聚物及其制备方法

[发明专利]2-氧代二氢吲哚衍生物-CN94194288.0无效
发明人：山田幸一郎;彦田匡毅;鹿野俊朗;长崎正明 -专利权人：田边制药株式会社
申请日： 1994-11-25 - 公布日： 1996-11-20 - 主分类号： C07D209/40 文献下载
摘要：公开了一种式(I)表示的2-氧代二氢吲哚衍生物及其药物上可接受的盐，其中环A表示取代的或未取代的苯环；R1表示氢原子、环烷基、取代的或未取代的芳基、含氮杂环基、含氧杂环基、含硫杂环基、含氮原子和氧原子的杂环基、含氮原子和硫原子的杂环基、低级烷氧基、可被酯化的羧基、氰基、低级烷硫基、低级烷基亚硫酰基、低级烷基磺酰基、环氧乙烷基或2-(低级烷硫基)-1-羟乙基；R2表示取代的或未取代的芳基，上式表示的基团。取代的或未取代的含氮杂单环基、取代的或未取代的含氮杂双环基、上式表示的基团，(见II式)(其中n表示1或2)、含氧杂环基、含硫杂环基、含氮原子和氧原子的杂环基或含氮原子和硫原子的杂环基；R3表示取代的或未取代的低级烷基
氧代二氢吲哚衍生物

[发明专利]一种含官能团的超支化聚硼硅氧烷及其制备方法-CN201711188783.0有效
发明人：李文杰;卓东贤;刘小英;郑燕玉;罗水源;翟波;陈少云;林晓敏 -专利权人：泉州师范学院
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C08G77/22 文献下载
摘要：本发明公开一种含官能团的超支化聚硼硅氧烷，具有超支化拓扑结构、储存性能稳定及粘度可控等特点，且与现有高分子材料具有优良的相容性。本发明还公开了一种制备该含官能团的超支化聚硼硅氧烷的制备方法，该制备方法的单体来源广、成本低、工艺易于控制，具有重要的应用价值和学术意义。
一种官能团超支化聚硼硅氧烷及其制备方法