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[发明专利]光传输装置-CN201711088528.9有效
发明人： 村上朱实;早川纯一朗;中山秀生;大塚勤 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H04B10/07 文献下载
摘要：一种光传输装置，包括第一发光元件、第二发光元件和检测单元。第一发光元件被配置为发射光。第二发光元件被配置为发射光。第二发光元件与第一发光元件并联连接并且被配置为比第一发光元件早劣化。检测单元被配置为检测第二发光元件是否劣化。
传输装置

[发明专利]光半导体元件、光半导体装置、光传输系统以及光半导体装置的制造方法-CN201980088132.5在审
发明人：稻田智志;大野健一;皆见健史;村上朱实;早川纯一朗;大塚勤 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：光半导体元件具备：半绝缘性的半导体基板；柱状体，其形成于半导体基板的正面侧，从正面侧射出光或接受光；与柱状体连接的正面侧的电极；形成于半导体基板的背面侧的背面侧的电极；导电部件，其贯通半导体基板，对正面侧的电极与背面侧的电极进行连接，并且具有向半导体基板的正面侧突出的突出部。
半导体元件装置传输系统以及制造方法

[发明专利]发光元件阵列和光传输装置-CN201711094876.7有效
发明人：早川纯一朗;村上朱实;中山秀生;大塚勤 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：发光元件阵列和光传输装置。一种发光元件阵列包括通过连接至供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。各个发光元件被设置在沿着从端子流过布线的电流的路径的预定路径长度的位置处。所述多个发光元件按照混合的形式包括各自具有未遮蔽的光发射孔径的一个或更多个第一发光元件以及各自具有遮蔽的光发射孔径的一个或更多个第二发光元件。第一发光元件中的至少一个被设置在最长路径长度的位置处。第二发光元件中的至少一个被设置在最短路径长度的位置处。
发光元件阵列传输装置

[发明专利]发光元件阵列、光器件和图像形成设备-CN201710432803.8有效
发明人：近藤崇;早川纯一朗;城岸直辉;村上朱实;樱井淳 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：发光元件阵列、光器件和图像形成设备。一种发光元件阵列，包括：多个半导体堆叠结构，各半导体堆叠结构包括发光单元，该发光单元形成在基板上，以及光放大单元，该光放大单元沿着基板的基板表面从发光单元延伸，使得沿延伸方向的长度长于发光单元的长度，将从发光单元沿延伸方向传播的光放大，并且从沿着延伸方向形成的发光部发出经放大的光，其中，多个半导体堆叠结构被排列成使得各个光放大单元的延伸方向基本彼此平行。
发光元件阵列器件图像形成设备

[发明专利]发光元件阵列-CN202011580811.5在审
发明人：早川纯一朗;村上朱实;中山秀生;大塚勤 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：发光元件阵列。一种发光元件阵列包括通过连接至被配置为供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。在从端子沿着电流的路径到各个发光元件的布线上的路径长度当中具有最短路径长度的发光元件的数量为一。
发光元件阵列

[发明专利]发光元件阵列和光传输装置-CN201711091724.1有效
发明人：早川纯一朗;村上朱实;中山秀生;大塚勤 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：发光元件阵列和光传输装置。一种发光元件阵列包括通过连接至被配置为供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。在从端子沿着电流的路径到各个发光元件的布线上的路径长度当中具有最短路径长度的发光元件的数量为一。
发光元件阵列传输装置

[发明专利]半导体光放大器、光输出装置及距离计测装置-CN202010229206.7在审
发明人：早川纯一朗;富永大树;村上朱实;小山二三夫 -专利权人：富士施乐株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：提供半导体光放大器、光输出装置及距离计测装置。半导体光放大器具备：光源部，其形成在基板上；以及光放大部，其具有从所述光源部沿着所述基板的基板面并沿预先决定的方向延伸而形成的导电区域、以及形成在所述导电区域的周围的非导电区域，该光放大部将从所述光源部沿所述预先决定的方向传播的传播光放大，并将放大后的所述传播光朝向与所述基板面交叉的出射方向射出。所述导电区域在从与所述基板面垂直的方向观察的情况下，具有第1区域和第2区域，该第1区域从所述光源部以预先决定的宽度延伸，该第2区域与所述第1区域连续，并且该第2区域被扩宽了所述预先决定的宽度，使所述传播光在与所述预先决定的方向交叉的方向上扩展。
半导体放大器输出装置距离

[发明专利]半导体光放大元件及放大器、光输出装置及距离计测装置-CN202010126964.6在审
发明人：早川纯一朗;富永大树;村上朱实;小山二三夫 -专利权人：富士施乐株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：半导体光放大元件及放大器、光输出装置及距离计测装置。半导体光放大元件具有：光源部，其形成在基板上；以及光放大部，其具有从所述光源部沿着所述基板的基板表面向预定的方向延伸而形成的导电区域以及在所述导电区域的周围形成的非导电区域，对从所述光源部向所述预定的方向进行慢光传播的传播光进行放大，并向与所述基板表面交叉的射出方向射出放大后的所述传播光。所述传播光的最大光输出大于垂直振荡模式的最大光输出。
半导体放大元件放大器输出装置距离

[发明专利]垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法-CN201610791440.2有效
发明人：近藤崇;村上朱实;城岸直辉;早川纯一朗;樱井淳 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该垂直腔面发射激光器阵列包括：形成在基板上的接触层；形成在所述接触层上的台面结构，每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。
垂直发射激光器阵列及其制造方法

[发明专利]半导体光放大器、光输出装置以及距离测量装置-CN201910500496.1在审
发明人：早川纯一朗;村上朱实 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光放大器、光输出装置以及距离测量装置。在使用分布式布拉格反射镜波导的半导体光放大器中，与不具有反射部的情况相比，增大预先规定的方向的光输出。半导体光放大器包含：光源部，所述光源部形成在基板上；以及光放大部，所述光放大部包括从光源部沿着基板的基板面朝向预先规定的方向延伸而形成的导电区域以及形成在导电区域的周围的非导电区域，所述光放大部对从光源部向预先规定的方向传播的传播光进行放大，并将放大后的传播光向与基板面交叉的射出方向射出，导电区域具有在从与所述基板面垂直的方向观察时将传播光向与预先规定的方向交叉的方向反射的反射部。
光源部半导体光放大器导电区域光放大部基板面反射部传播基板射出分布式布拉格反射镜放大距离测量装置非导电区域光输出装置方向反射方向观察方向交叉方向延伸垂直的光输出波导

[发明专利]面发光型半导体激光元件的制造方法-CN201610769421.X有效
发明人：早川纯一朗;村上朱实;近藤崇;城岸直辉;樱井淳 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造面发光型半导体激光元件的方法，该方法包括：第一工序：在衬底上形成半导体层，该半导体层包括第一导电类型的第一半导体多层反射镜、第一半导体多层反射镜上的粗糙表面形成层、粗糙表面形成层上的有源区、有源区上的第二导电类型的第二半导体多层反射镜、以及与有源区相邻的电流限制层；第二工序：蚀刻半导体层直至粗糙表面形成层被露出，从而形成半导体层的平台结构；第三工序：对包括电流限制层和暴露于所述平台结构的周围的粗糙表面形成层的区域进行氧化；第四工序：对包括氧化的粗糙表面形成层的区域进行酸处理，从而形成粗糙表面区；和第五工序：在包括粗糙表面区的区域上形成绝缘膜。
发光半导体激光元件制造方法

[发明专利]制造光学半导体元件的方法-CN201610805765.1有效
发明人：城岸直辉;樱井淳;村上朱实;近藤崇;武田一隆;早川纯一朗 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种制造光学半导体元件的方法，该方法包括：第一步骤，在该第一步骤中，形成在半绝缘基板上形成的半导体层的圆柱结构；第二步骤，在该第二步骤中，在所述圆柱结构的外周暴露所述基板；第三步骤，在该第三步骤中，预处理包括所述第一接触层及所述基板的暴露表面的区域；第四步骤，在该第四步骤中，在所述第一接触层的所述暴露表面上形成第一电极；第五步骤，在该第五步骤中，在包括所述圆柱结构的侧面并且包括所述暴露表面的区域中形成中间层绝缘膜；第六步骤，在该第六步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第一电极配线；以及第七步骤，在该第七步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第二电极配线。
制造光学半导体元件方法

[发明专利]面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列-CN201510648476.0有效
发明人：近藤崇;村上朱实;武田一隆;城岸直辉;早川纯一朗;樱井淳 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。
发光半导体激光器和面阵列

[发明专利]光发射元件、光发射元件阵列和光传导装置-CN201710550326.5在审
发明人：早川纯一朗;村上朱实;近藤崇;城岸直辉;樱井淳 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光发射元件、光发射元件阵列和光传导装置，该光发射元件包括半导体堆叠结构，半导体堆叠结构包括光发射部分；以及光接收部分，其接收从光发射部分通过半导体层沿横向传播的光，其中，光发射部分和光接收部分共享量子层。该光发射元件还包括光反射层，光反射层覆盖光接收部分中的量子层的侧表面的1/3以上。
发射元件阵列传导装置

[发明专利]光发射器件-CN201710433525.8在审
发明人：城岸直辉;樱井淳;村上朱实;近藤崇;早川纯一朗 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明涉及一种光发射器件，其包括第一台面结构，其包括光发射部分；第二台面结构，其通过共用的半导体层与第一台面结构连接，并且第二台面结构包括光接收部分，光接收部分接收来自光发射部分通过半导体层沿横向方向传播的光；检测器，其检测由光接收部分接收的光的量；以及氧化物限制层，其形成在第一台面结构和第二台面结构上，并且包括氧化区域和非氧化区域。
发射器件

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