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[发明专利]一种改善刻蚀通孔工艺中刻蚀终点均匀性的方法-CN201110183459.6无效
发明人：张守龙;胡有存;张亮;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善刻蚀通孔工艺中刻蚀终点均匀性的方法，包括，在一晶圆所包含的晶体管器件上由下至上依次覆盖一采用高纵宽比工艺形成的氧化物层、刻蚀阻挡层和硅氧化物层；在所述硅氧化物层多个位置，同时自上至下刻蚀所述硅氧化物层、刻蚀阻挡层，由于所述硅氧化物层与刻蚀阻挡层在刻蚀率上的差异，使刻蚀界面停在SiN薄膜上；之后，再继续刻蚀所述高纵宽比工艺形成的氧化物层并形成分别接触晶体管器件漏区或源区及栅极的通孔。本发明在高纵宽比工艺形成的氧化物层和TEOS硅氧化物层之间生长一层相对于硅氧化物层刻蚀速率较低的刻蚀阻挡层，其可有效暂停或放慢蚀刻速率，从而抵消或减小晶圆各部分由于刻蚀工艺各薄膜厚度差异，而引起的过刻蚀问题缺陷
一种改善刻蚀工艺终点均匀方法

[发明专利]一种金属刻槽方法-CN201910108225.1在审
发明人：朱友华;秦佳明;刘轩;李毅;王美玉 -专利权人：南通大学
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属刻槽方法，包括以下步骤：S1、使用光刻胶作为掩膜，利用刻蚀气体在金属表面刻蚀，形成槽；S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化，形成金属氧化物；S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀，去除所述槽底的金属氧化物，保留槽壁的金属氧化物；S4、重复步骤S2和S3，直到刻槽深度达到要求为止。本发明通过循环次数来控制刻蚀深度，利用电感耦合等离子刻蚀机（ICP）刻蚀材料时是各向异性的特点，侧壁的刻蚀作用低于Bias方向。因此在刻蚀时，底部的金属氧化物被受到较强的轰击作用，很容易被刻蚀掉，而对侧壁的金属氧化物刻蚀作用非常小。故，侧壁的金属氧化物得以保留，防止内部的金属被刻蚀，从而能够控制线宽。
金属氧化物刻蚀侧壁金属刻槽刻蚀气体刻蚀作用电感耦合等离子金属表面刻蚀材料氧化气体保留槽光刻胶刻蚀机控制线槽壁掩膜轰击去除保留重复

[发明专利]一种微损伤减缓铝刻蚀侧腐的方法-CN201910108427.6有效
发明人：朱友华;秦佳明;刘轩;李毅;王美玉 -专利权人：南通大学
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种微损伤减缓铝蚀刻侧腐的方法，包括以下步骤：S1、使用光刻胶作为掩膜，利用刻蚀气体在金属表面刻蚀，形成槽；S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化，形成金属氧化物；S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀，去除所述槽底的金属氧化物，保留槽壁的金属氧化物；S4、重复步骤S2和S3，直到刻槽深度达到要求为止。本发明通过循环次数来控制刻蚀深度，利用反应离子刻蚀机（RIE）刻蚀材料时是各向异性的特点，侧壁的刻蚀作用低于Bias方向。因此在刻蚀时，底部的金属氧化物被受到较强的轰击作用，很容易被刻蚀掉，而对侧壁的金属氧化物刻蚀作用非常小。故，侧壁的金属氧化物得以保留，防止内部的金属被刻蚀，从而能够控制线宽。
一种损伤减缓刻蚀方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201510102964.1有效
发明人：耶罗默·纪尧姆·安娜·迪布瓦;皮特·威塞尔斯;高拉夫·辛格·比什特;贾亚拉·蒂莱高文登;埃里克·奥姆斯;纳维恩·阿格拉沃尔 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，包括形成包括针状缺陷的沟槽，在包括针状缺陷的沟槽上沉积高密度等离子体氧化物，通过施加氧化物刻蚀除去在针状缺陷上的部分高密度氧化物和线形氧化物，和在施加氧化物刻蚀之后，通过多晶硅刻蚀回刻蚀针状缺陷
半导体器件制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN200910195864.2有效
发明人：袁宏韬;李敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法：在半导体衬底上依次形成垫氧化层和刻蚀终止层；依次刻蚀刻蚀终止层、垫氧化层以及半导体衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽内表面形成衬氧化层；在浅沟槽内的衬氧化层及刻蚀终止层表面形成前层沟槽氧化物；在所述前层沟槽氧化物表面沉积第一顶层沟槽氧化物；在所述第一顶层沟槽氧化物表面进行过渡沉积沟槽氧化物，所述过渡沉积沟槽氧化物时的沉积速率大于第一顶层沟槽氧化物的沉积速率，并且小于第二顶层沟槽氧化物的沉积速率；在所述过渡沉积的沟槽氧化物表面沉积第二顶层沟槽氧化物；平坦化所填充的沟槽氧化物至显露出刻蚀终止层，并去除刻蚀终止层和垫氧化层。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]场氧化物湿法刻蚀方法以及半导体器件-CN201110342073.5在审
发明人：胡学清;龙涛 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种场氧化物湿法刻蚀方法。根据本发明的场氧化物湿法刻蚀方法包括：氧化步骤，用于氧化以形成场氧化物；紫外线固化步骤，用于利用紫外线对光刻胶进行固化；场氧化物刻蚀步骤，用于对场氧化物进行刻蚀；以及光刻胶去除步骤，用于去除光刻胶。通过在场氧化物刻蚀步骤之前进行了一个用于利用紫外线对光刻胶进行固化的紫外线固化步骤，可有效地调整场氧化物角度，使之满足要求范围，例如5-10度的范围。
氧化物湿法刻蚀方法以及半导体器件

[发明专利]消除浅沟槽隔离凹坑的方法-CN201410443664.5在审
发明人：宋振伟;徐友峰;陈晋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种消除浅沟槽隔离凹坑的方法，包括：对浅沟槽进行填充，并平坦化；对浅沟槽隔离氧化物层进行湿法刻蚀；去除衬垫氮化硅层和衬垫氧化层；在硅基衬底及浅沟槽隔离氧化物之表面沉积多晶硅层；对多晶硅层进行干法刻蚀，在浅沟槽隔离氧化物之两侧形成多晶硅侧墙；沉积掩模氧化物层；进行离子植入，定义有源区；湿法刻蚀去除掩模氧化物层；湿法刻蚀去除所述多晶硅侧墙。本发明通过在浅沟槽隔离氧化物之两侧与有源区的边界处设置多晶硅侧墙，使得在湿法刻蚀去除掩模氧化物层时，保护了所述浅沟槽隔离氧化物与所述有源区的边界处之浅沟槽隔离氧化物不被刻蚀，避免了凹坑的形成。
消除沟槽隔离方法

[发明专利]刻蚀含铋氧化物膜的方法-CN00811478.1有效
发明人： F·欣特梅尔 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2000-08-09 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀氧化物膜的方法，其中氧化物膜至少包括一种含铋氧化物，尤其包括一种铁电含铋混合氧化物，这种方法含有下列步骤a)制备衬底，在其上涂敷至少一层至少包括一种含铋氧化物的氧化物膜，b)使刻蚀液与此衬底接触，使得刻蚀液可以与氧化物膜发生反应，其中刻蚀液包括2－20重量百分比的氟离子给体，15－60重量百分比的硝酸和20－83重量百分比的水，以及c)从衬底上去掉刻蚀液。此刻蚀液也应用在含铋氧化物膜的结构化方法中。
刻蚀氧化物方法

[发明专利]导电氧化物薄膜的电刻蚀装置及方法-CN200910055089.0有效
发明人：蔡传兵;王晓祺;刘志勇;鲁玉明;周文谦 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种导电氧化物薄膜的电刻蚀装置及方法。本电刻蚀装置包括电源、与电源电连接的第一电极和第二电极，第一电极与导电氧化物薄膜定位电连接，第二电极呈针状与导电氧化物薄膜移动电接触。本电刻蚀方法的操作步骤：将第一电极的两端分别与电源和导电氧化物薄膜电连接，将第二电极的一端与电源电连接，另一端呈针状并与导电氧化物薄膜移动电接触；调制电源的电压，将第二电极沿预电刻蚀图案方向移动，便电刻蚀形成表面图案本发明在电刻蚀过程中破坏导电氧化物薄膜的导电氧化物晶体结构或化学计量比，很大程度地简化了刻蚀工艺，同时降低了制备成本和缩短了刻蚀时间。
导电氧化物薄膜刻蚀装置方法

[发明专利]刻蚀组合物以及利用其制造半导体器件的方法-CN201210546406.0有效
发明人：曺成爀;洪权;朴滢淳;金奎显;韩智惠;林廷训;李珍旭;朴宰完;郑灿槿 -专利权人：爱思开海力士有限公司;韩国首尔步瑞株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种包括甲硅烷基磷酸酯化合物、磷酸以及去离子水的刻蚀组合物，以及一种包括利用所述刻蚀组合物的刻蚀工艺的制造半导体器件的方法。本发明的刻蚀组合物显示了氮化物膜相对于氧化物膜的高刻蚀选择性。因此，在利用本发明的刻蚀组合物来去除氮化物膜时，可以通过控制氧化物膜的刻蚀速率来容易地控制有效场氧化物高度（EFH）。另外，可以防止因氧化物膜的损坏或氧化物膜的刻蚀所造成的电气特性的恶化，并且可以防止产生颗粒物，由此确保刻蚀工艺的稳定性和可靠性。
刻蚀组合以及利用制造半导体器件方法

[发明专利]一种改善深亚微米级闪存器件耦合率的沟槽氧化物的刻蚀方法-CN201610163759.0有效
发明人：黄海辉;杨渝书;乔夫龙;李程 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明方法提出一种改善深亚微米级闪存器件耦合率的沟槽氧化物的刻蚀方法，采用第一干法刻蚀+湿法腐蚀+第二干法刻蚀组合，利用干法刻蚀有效克服填充氧化物密度不均匀的特点，由第一干法刻蚀将沟槽内开口处密度疏松区域的氧化物去除，使后续刻蚀的氧化物界面保持高度相同，且密度均匀一致，然后通过湿法腐蚀去除由第一干法刻蚀造成的多晶浮栅侧壁的氧化物侧墙，使该部分侧壁完全没有氧化物覆盖，再由第二干法刻蚀实现高度一致的沟槽内氧化物底部，以及统一形貌的保护遂穿氧化层的多晶浮栅侧壁底部的氧化物侧墙
一种改善微米闪存器件耦合沟槽氧化物刻蚀方法

[发明专利]用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法-CN201310385922.4在审
发明人：肖培 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，包括：在预定工艺条件下，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀；利用湿法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行进一步刻蚀，以形成硅化物阻挡氧化物层的图案。所述预定工艺条件为：150W-250W的刻蚀功率，50mT-100mT的压力；不小于10sec的刻蚀时间。
用于硅化物阻挡氧化物刻蚀方法

[发明专利]MOSFET器件的制造方法-CN201911375756.3有效
发明人：冯大贵;吴长明;欧少敏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种MOSFET器件的制造方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底上形成有硅氧化物层；通过光刻工艺在硅氧化物层上的预定区域覆盖光阻；通过ICP刻蚀设备对除预定区域以外的其它区域的硅氧化物层进行刻蚀，直至硅衬底暴露，通过调节ICP刻蚀设备的刻蚀参数使刻蚀过程中对硅氧化物的刻蚀速率大于对硅的刻蚀速率；通过ICP刻蚀设备对其它区域的硅衬底进行刻蚀，形成沟槽，通过调节刻蚀过程中的参数控制每个沟槽之间均一性本申请通过ICP刻蚀设备对MOSFET器件的硅氧化物层和硅衬底进行刻蚀，降低了MOSFET器件的制造工艺的复杂度。
mosfet 器件制造方法

[发明专利]刻蚀用组合物及其使用方法-CN202110589162.3在审
发明人：周永平;任德营;杨永刚;宋冬门;陈嘉泽;张丝柳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本申请提供一种刻蚀用组合物及其使用方法。该组合物包括氢氟酸和水，其中，水与氢氟酸的体积比为3000：1至6000：1。该组合物能够相对于氧化物材料刻蚀氮化物材料。通过调节该组合物中水与氢氟酸的体积比，可以任意调节氮化物材料的刻蚀率和氧化物材料的刻蚀率。使用该组合物相对于氧化物材料刻蚀氮化物材料可以降低对氧化物材料的不良影响。
刻蚀组合及其使用方法

[发明专利]非易失性存储器及制造非易失性存储器的方法-CN200310113193.3有效
发明人：吉野明;秋山丰 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：在半导体衬底上形成耦合氧化物膜，再在其上形成多晶硅膜，并且，低温氧化物膜淀积至例如10nm的厚度。然后，在这一低温氧化物膜上形成氮化硅膜，并通过干刻蚀有选择地除去。那时，低温氧化物膜用作刻蚀阻挡膜，所以低温氧化物膜和多晶硅膜不会被过刻蚀。接着，干刻蚀多晶硅膜，形成凹穴。于是形成多晶硅膜的浮动栅。
非易失性存储器制造方法

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