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[发明专利]利用半导体器件的金属化系统中的覆盖层作为化学机械抛光和蚀刻停止层-CN200980142932.7无效
发明人： T·沃纳;K·弗罗贝格;F·福伊斯特尔 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：在先进金属化系统的制造期间，可在去除多余金属的CMP(化学机械抛光)工艺中部分保留形成在敏感介电材料上的介电覆盖层，从而避免如传统方法须在该CMP工艺期间实质上完全消耗该介电覆盖材料后沉积专用的蚀刻停止材料因而，可实现降低的工艺复杂度和/或提高的灵活性，并结合增加的低k介电材料的完整性。
利用半导体器件金属化系统中的覆盖层作为化学机械抛光蚀刻停止

[发明专利]一种阻燃低介电覆铜板及其制备方法-CN201911363690.6有效
发明人：周友;邹静;孟宪媛;马兴华;陈立兴 -专利权人：艾蒙特成都新材料科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B32B38/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻燃低介电覆铜板及其制备方法，其特征是：该阻燃低介电覆铜板由28～44质量份环氧树脂、56～72质量份不饱和含磷酚醛固化剂、21～48质量份碳氢树脂、0.1～0.5质量份促进剂、0.1～本发明阻燃低介电覆铜板在实现无卤化阻燃的同时，具有优良的介电性能、耐热性、机械强度等性能。
一种阻燃低介电覆铜板及其制备方法

[发明专利]覆铜箔层压板用低介电复合膜及包括其的覆铜箔层压板-CN202080097785.2在审
发明人：郑智鸿;赵友铉;金元秀;金斗永 -专利权人：象牙弗隆泰克株式会社
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B32B27/36 文献下载
摘要：本发明涉及用于覆铜箔层压板(CCL)的低介电复合膜，更具体地，涉及具有显着低的介电常数和介电损耗和优异的机械性能、还呈现显着低热膨胀系数效果的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜及包括其的低介电覆铜箔层压板。
铜箔层压板用低介电复合包括

[发明专利]一种对位芳纶纸复合基无卤低介电覆铜板及其制备方法-CN202210974350.2在审
发明人：范翠玲;高晓佳;庄锐;李双昌;王先利;魏楠 -专利权人：黄河三角洲京博化工研究院有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B32B27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种对位芳纶纸复合基无卤低介电覆铜板及其制备方法；该制备方法包括以下步骤：a)将对位芳纶纸依次进行高温预处理、偶联剂处理和干燥，得到处理后的对位芳纶纸；b)将步骤a)得到的处理后的对位芳纶纸在无卤树脂体系胶液中进行浸渍处理，取出后经烘烤，得到预浸料；c)将步骤b)得到的预浸料两面覆盖铜箔，进行复合，得到对位芳纶纸复合基无卤低介电覆铜板。与现有技术相比，本发明提供的制备方法选用对位芳纶纸为原料，配合特定工艺步骤实现整体较好的相互作用，制备得到的对位芳纶纸复合基无卤低介电覆铜板具有良好的剥离强度和较小的密度及吸水率，较优的介电性能和耐热性
一种对位芳纶纸复合基无卤低介电覆铜板及其制备方法

[发明专利]一种高散热低介电覆铜板及其制备方法-CN202310500846.0在审
发明人：周培峰 -专利权人：江门建滔电子发展有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B32B15/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种高散热低介电覆铜板及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1.将改性聚苯醚树脂、环氧树脂、固化剂、固化促进剂加入反应釜中，50‑60℃下搅拌1‑2h后加入改性填料、溶剂，继续搅拌6‑8h后得到胶液控制含胶量为45‑55％，流动度为10‑20％；S3.将8张步骤S2得到的半固化片叠合，在最上方的半固化片的上表面覆盖一张铜箔，然后置于真空热压机中，160‑220℃下热压90‑240min得到高散热低介电覆铜板本发明提供的高散热低介电覆铜板具有较好的散热、耐热性能以及较低的介电参数、吸水率。
一种散热低介电覆铜板及其制备方法

[发明专利]半导体结构、有机中介层及其形成方法-CN202111305467.3在审
发明人：蒋伟韩;郑明达;郑敬禾;张纬森;许鸿生;萧景文;陈俊宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：该有机中介层包括互连级介电材料层、至少一介电覆盖层、接合级介电层以及双层电感结构。互连级介电材料层内埋重分布互连结构。所述至少一介电覆盖层覆于最顶层互连级介电材料层之上。接合级介电层覆盖于所述至少一介电覆盖层之上。双层电感结构可包括下导电线圈、导电通孔结构以及上导电线圈。下导电线圈内埋于最顶层互连级介电材料层内。导电通孔结构垂直地延伸通过所述至少一介电覆盖层。上导电线圈内埋于接合级介电层内，并包括铜。
半导体结构有机中介及其形成方法

[发明专利]一种低介电覆铜板-CN201110190895.6有效
发明人：董辉;郭江程;沈宗华;张俊勇;温建文;廖文悦;陈华刚 -专利权人：浙江华正新材料股份有限公司;杭州联生绝缘材料有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： B32B27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种低介电覆铜板，其由下述方法制备而得：1）将空心玻璃微球、溶剂、偶联剂、表面活性剂、环氧树脂、固化剂、促进剂搅拌混合而得混合液；2）将电子级玻璃纤维布浸渍，然后烘烤，再经冷却获得半固化片；3将一片以上半固化片进行叠置，并在叠置后的半固化片两面各覆上一层铜箔，而得板材；4）将叠置好的板材两面分别叠合上不锈钢板，然后送进叠合式压机，压制后保温；5）将压制好的板材与不锈钢板拆解开；6）将与钢板分离的板材裁边而得低介电覆铜板本发明的低介电覆铜板介电常数低、强度高、平整性好、热膨胀系数小、性能稳定，性价比高，热性能稳定、机械强度高的同时降低了成本，简化了工艺。
一种低介电覆铜板

[发明专利]一种低介电覆铜板-CN201711179920.4在审
发明人：杨菲;李凡;师剑英 -专利权人：陕西生益科技有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： B32B27/30 文献下载
摘要：本发明提出一种低介电覆铜板，采用无规排列的聚四氟乙烯纤维网、单向排列的聚四氟乙烯纤维层和纤维布等作为增强材料，多次浸渍聚四氟乙烯乳液，达到所需厚度。本发明中聚四氟乙烯乳液与聚四氟乙烯纤维的相容性更好，更加有利于聚四氟乙烯树脂浸透到聚四氟乙烯纤维中；采用该结构制作的复合材料和层压板具有更低介电常数、低介质损耗角正切、低吸湿性、同时还具有优异的耐腐蚀性和较高的机械强度
一种低介电覆铜板

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210084440.4在审
发明人：熊德智;吴俊德;王谊珍;张亦谆;涂元添 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开了一种形成半导体器件的方法，包括：去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成第一沟槽；在第一沟槽中形成替换栅极堆叠件；凹陷替换栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成第二沟槽；在第二沟槽中选择性地沉积导电覆盖层；在第二沟槽中和导电覆盖层上方形成介电硬掩模；以及使用蚀刻气体蚀刻介电硬掩模以在介电硬掩模中形成开口。该导电覆盖层比替换栅极堆叠件更能抵抗蚀刻气体。该方法还包括：形成位于导电覆盖层上方并且接触导电覆盖层的栅极接触插塞。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体元件-CN201910429880.7在审
发明人：游家权;张家豪;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：第一介电层在栅极结构上方形成。导电覆盖层穿过第一介电层并且在栅极结构上方形成。导电覆盖层的顶表面在间隔层的顶表面之上。半导体元件进一步包括在导电覆盖层上方形成的导电层。导电层与导电覆盖层电耦接。
半导体元件

[发明专利]金属层面形成方法及具介电质-金属黏附的集成电路结构-CN201610258553.6有效
发明人： F·P·安德森;E·C·库尼三世;M·S·杜什邦;D·C·莫舍 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及金属层面形成方法及具介电质‑金属黏附的集成电路结构，具体揭示具有改进的介电覆盖层‑金属线黏附性的后端工艺金属层面的形成方法。该方法包括一个或多个制程步骤，其经设计以于给定金属层面中的一条或多条金属线较厚时解决介电覆盖层‑金属线黏附性。这些制程步骤可包括例如：(1)基于金属线的图案密度选择性调整用以在该些金属线上沉积该介电覆盖层的沉积工具，以确保这些金属线实际获得360℃至400℃之间的温度；以及/或者(2)在形成下一金属层面之前在该介电覆盖层上沉积较薄的介电层
金属层面形成方法具介电质黏附集成电路结构

[发明专利]半导体集成电路及其制造方法-CN200710169399.6有效
发明人：吴仓聚;章勋明;梁明中;蔡信谊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-26 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：首先，形成低介电常数层于半导体基底上，并形成介电覆盖层于低介电常数层上。以等离子体蚀刻进行第一蚀刻程序，形成第一开口于介电覆盖层且形成第二开口于低介电常数层中，其中第一开口与该第二开口的宽度大抵等于第一尺寸。本发明能够以维持材料的低介电常数的方式来形成内连线结构。
半导体集成电路及其制造方法

[发明专利]一种用于低介电覆铜板生产的涂胶设备-CN202010838826.0在审
发明人：董立波 -专利权人：豪能电子科技有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： B05C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于低介电覆铜板生产的涂胶设备，包括工作台，所述工作台顶部的左侧固定连接有机架，所述机架内腔的顶部设置有涂胶辊，所述机架前侧的顶部设置有与涂胶辊配合使用的传动装置。本发明通过设置工作台、机架、涂胶辊、传动装置、涂胶装置、壳体、卡紧机构、出料管、收集盒、定位机构、卡板、把手、导流板、定位槽、卡槽和通口的配合使用，解决了现有低介覆铜板生产的涂胶设备在使用过程中涂胶滚筒上会存在胶水不均匀的现象，导致覆铜板涂胶不均匀，产品质量较低，从而影响对板材加工，给使用者带来不便，增加经济损失的问题，该用于低介电覆铜板生产的涂胶设备，具备涂胶均匀的优点，值得推广。
一种用于低介电覆铜板生产涂胶设备

[发明专利]半导体装置和其形成方法-CN202110300680.9在审
发明人：龚耀雄;赖朝文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体装置包括基板、位于基板上的金属比特线、位于金属比特线的相对两侧壁上的比特线间隔层、邻近金属比特线的接触件、位于接触件的相对两侧壁上的接触件间隔层、介于比特线间隔层和接触件间隔层之间的气隙、位于气隙上方的介电覆盖膜、位于介电覆盖膜上的间隔层，以及覆盖金属比特线、间隔层和接触件的覆盖层。其中，介电覆盖膜的下表面和接触件的上表面共平面，覆盖层接触介电覆盖膜。借此，本发明的半导体装置可避免装置中的覆盖层填入气隙中，从而维持气隙结构的完整性，以减少半导体装置中的寄生电容。
半导体装置形成方法

[发明专利]集成电路的内连线结构-CN200510069549.7有效
发明人：黄瑞仁;蔡明兴;眭晓林;苏鸿文;柯亭竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路的内连线结构，包括：在一半导体基板上方形成第一导线，然后在此第一导线上方形成一导电覆盖层以改善元件的可靠度。之后，在此导电覆盖层上方形成一蚀刻停止层，并在此蚀刻停止层上方形成一金属层间介电层。接着，在上述蚀刻停止层、金属层间介电层、以及导电覆盖层内形成一介层窗开口与一沟渠。然后，在此第一导线内形成一凹部。此凹部可以在蚀刻上述介电层时，借由过度蚀刻的方式而形成；此凹部也可以利用另外的方法而形成，例如进行氩离子溅射蚀刻。之后，将此沟渠、开口以及凹部填满而形成第二导线。本发明降低了因第二导线透过导电覆盖层与第一导线耦接而发生的高接触电阻及RC延迟的问题。
集成电路连线结构

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