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[发明专利]传输数据的方法及网络-CN200610146566.0无效
发明人：让·克洛德·费伊;德尼·鲁费;韦罗妮克·卡普德维埃尔勒 -专利权人：阿尔卡特公司
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H04Q7/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种在属于不连续覆盖网络的内容服务器(11)和终端(17)之间传输数据的方法，所述终端(17)从第一个无线电覆盖区域(14、161)经过不包含任何无线电覆盖的区域(14a)移动到第二个无线电覆盖区域
传输数据方法网络

[发明专利]半导体元件及其制备方法-CN202111282040.6在审
发明人：赖俊吉 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体元件具有一鳍件；一栅极结构，设置在该鳍件上；多个杂质区，设置在该鳍件的两侧上；多个接触点，设置在所述杂质区上；以及多个导电覆盖层，设置在所述接触点上。所述导电覆盖层包含锗化铜。
半导体元件及其制备方法

[发明专利]集成芯片结构及其形成方法、多维集成芯片-CN202011197152.7在审
发明人：黄志辉;周正贤;蔡正原;吴国铭;李昇展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：在执行边缘修整工艺之后，在第一互连结构的侧壁上形成介电覆盖结构。本发明的实施例还涉及集成芯片结构和多维集成芯片。
集成芯片结构及其形成方法多维

[发明专利]在局域网中随机访问的方法-CN200480012847.6有效
发明人：郦辉;H·维亚亚;W·茨尔瓦斯 -专利权人：西门子公司
申请日： 2004-04-01 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H04L12/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在基于无线电的局域网中控制随机访问的方法，该基于无线电的局域网包括至少一个接入点(AP)、在至少一个接入点(AP)的无线电覆盖范围内的第一无线电站(QSTA2；QSTA3)、至少一个在至少一个接入点(AP)的无线电覆盖范围之外并且同时在第一无线电站(QSTA2；QSTA3)的无线电覆盖范围之内的远程无线电站以及必要时在至少一个接入点(AP)的无线电覆盖范围之内的其它无线电站，其中至少一个接入点(AP)暂时地将用于发送信息的无线电资源(RPOLLQSTA2、RPOLLQSTA3)分配给在其无线电覆盖范围内的无线电站(QSTA2、QSTA3)，并且其中无线电站(QSTA2、QSTA3)暂时地进行对用于发送信息的无线电资源的随机访问
局域网随机访问方法

[发明专利]一种低介电和低介损玻纤覆铜板及其制备方法-CN201711440298.8有效
发明人：赵恩顺;叶伦学;杨波;黄杰;唐安斌 -专利权人：四川东材科技集团股份有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： B32B17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电和低介损玻纤覆铜板及其制备方法，该板由无碱玻璃纤维布、无机粉体、阻燃不饱和树脂组合物的热固化物和铜箔组成；制备方法是：在环氧树脂、含磷酚醛树脂、不饱和聚酯亚胺树脂、不饱和苯并噁嗪树脂、磷酸酯、引发剂、固化剂、稀释剂和溶剂混合的阻燃不饱和树脂组合物中，加入无机粉体，搅拌均匀，制得低介电和低介损胶粘剂；将无碱玻璃纤维布浸渍低介电和低介损胶粘剂，经上胶机烘道预烘，制得低介电和低介损玻纤预浸料；裁剪，按产品所需厚度将低介电和低介损玻纤预浸料和铜箔混搭重叠在一起，送入热压机中热压成型，即制得低介电和低介损玻纤覆铜板。
一种低介电低介损玻纤覆铜板及其制备方法

[发明专利]低k值介电材料沉积设备部件的清洗装置及清洗方法-CN201010022573.6无效
发明人：李景伦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种低k值介电材料沉积设备部件清洗装置及清洗方法，其中低k值介电材料沉积设备部件清洗方法包括：提供多次沉积低k值介电材料后的低k值介电材料沉积设备部件；采用上述的清洗装置对所述低k值介电材料沉积设备部件加热并采用紫外光线处理；对所述低k值介电材料沉积设备部件采用稀释的氢氟酸清洗；对所述低k值介电材料沉积设备部件采用去离子水清洗；烘干所述低k值介电材料沉积设备部件。本发明能够完全去除低k值介电材料的堆积，并且对沉积低介电材料设备的有降低成本及环保再利用效果。
值介电材料沉积设备部件清洗装置方法

[发明专利]低介电材料-CN201910318441.9在审
发明人：鄞盟松;陈礼君 -专利权人：联茂(无锡)电子科技有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明有关一种低介电材料，包含：(i)5‑50重量份的聚苯醚，数目平均分子量(Mn)＝1000‑4000，重量平均分子量(Mw)＝1000‑7000，及Mw/Mn＝1.0‑1.8；(ii)10‑90重量份的具有烯丙基的液晶高分子，Mn＝1000‑4000，Mw＝1000‑5000，Mw/Mn＝1.0‑1.8；(iii)0.01‑15重量份的双马来酰亚胺树脂；及(iV)0.01‑10重量份的高分子添加剂，其中该低介电材料Dk值:该低介电材料可应用于半固化胶片或电路基板绝缘层，且具有高Tg、低热膨胀系数、低吸水率及优异介电性能例如介电常数(Dk)及介电损耗(Df)的特性。
低介电材料重量份双马来酰亚胺树脂电路基板绝缘层数目平均分子量重量平均分子量低热膨胀系数高分子添加剂半固化胶片液晶高分子低吸水率介电常数介电损耗介电性能聚苯醚烯丙基应用

[发明专利]低介电材料-CN201610167700.9有效
发明人：鄞盟松;陈礼君 -专利权人：联茂电子股份有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明有关一种低介电材料，包含：(i)5‑50重量份的聚苯醚，数目平均分子量（Mn）=1000‑4000，重量平均分子量（Mw）=1000‑7000，及Mw/Mn=1.0‑1.8；及(ii)10‑90重量份的具有烯丙基的液晶高分子，Mn=1000‑4000，Mw=1000‑5000，Mw/Mn=1.0‑1.8，其中该低介电材料Dk值:3.4‑4.0，Df值:0.0025‑0.0050。该低介电材料可应用于半固化胶片或电路基板绝缘层，且具有高Tg、低热膨胀系数、低吸水率及优异介电性能例如介电常数(Dk)及介电损耗（Df）的特性。
低介电材料

[发明专利]显示装置-CN201110112520.8有效
发明人：李丞赈 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述显示装置包括：基板；密封构件，面对所述基板；显示单元，布置在所述基板与所述密封构件之间；驱动芯片，布置在所述基板上以向所述显示单元传输电信号；以及包括导电覆盖层和信号线的柔性电路基板，所述信号线电连接到所述驱动芯片，所述导电覆盖层覆盖所述驱动芯片。
显示装置

[发明专利]形成具有减少的腐蚀的接触插塞的方法-CN201711268936.2有效
发明人：王喻生;洪奇成;高承远;邱意为;欧阳良岳;白岳青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：导电覆盖层形成为延伸至接触开口内。在镀液中使用电化学镀将含金属材料镀在导电覆盖层上。含金属材料具有填充接触开口的部分。镀液具有低于约100ppm的硫含量。对晶圆实施平坦化以去除含金属材料的过量部分。含金属材料的剩余部分和导电覆盖层的剩余部分组合形成接触插塞。本发明实施例涉及形成具有减少的腐蚀的接触插塞的方法。
形成具有减少腐蚀接触方法

[发明专利]用于提供本地交通消息的消息分发系统和方法-CN201680055645.2有效
发明人： A.诺普 -专利权人：皇家KPN公司;荷兰应用自然科学研究组织
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H04W4/44 文献下载
摘要：检测模块被配置成检测来自所述至少一个基站的无线电覆盖区域中的用户设备的交通消息。路由模块被配置成访问将所述至少一个交通控制系统的至少一个路由地址与所述至少一个基站的无线电覆盖区域相关联的关联信息，并且将所检测到的交通消息路由到与从用户设备接收交通消息的至少一个基站的无线电覆盖区域相关联的至少一个路由地址
用于提供本地交通消息分发系统方法

[发明专利]具有斐波那契分布的电极的导管-CN201810776945.0有效
发明人： M.洛特曼;O.多塞;M.巴-塔;Y.B.兹里安 -专利权人：韦伯斯特生物官能（以色列）有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： A61B18/14 文献下载
摘要：样条具有带形状记忆的支撑臂；包围支撑臂的非导电覆盖件；被安装在远侧端部处或附近的至少一个位置传感器；被安装成包围非导电覆盖件的多个电极；以及在非导电覆盖件内延伸的多个电极引线。
具有分布电极导管

[实用新型]呼吸机报警装置-CN201520175469.9有效
发明人：侯惠如 -专利权人：中国人民解放军总医院
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G08B21/00 文献下载
摘要：一种呼吸机报警装置，包括：单片机、驱动电路、报警单元、第一电极和第二电极、以及导电覆盖层；其中，单片机用于控制驱动电路，且具有I/O端；驱动电路用于驱动报警单元；第一电极和第二电极设置于呼吸机的接头内侧，第一电极与单片机的一个I/O端连接，第二电极与信号源连接；导电覆盖层设置在气管插管一端的外侧；当气管插管的所述一端插入于所述呼吸机的接头内时，导电覆盖层电连接第一电极和第二电极，信号源的信号通过I/O
呼吸报警装置

[发明专利]用于定位具有不良无线电覆盖的区域的方法和装置-CN200680056606.0无效
发明人： M·-O·福斯罗 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H04W24/08 文献下载
摘要：一种用于为蜂窝通信系统中具有不良无线电覆盖的区域确定试探地点的方法包括使已连接的用户设备的位置相关数据在通信系统的网络部分中保持(210)更新的步骤。该方法还包括通过那个量的统计评估来为具有不良无线电覆盖的区域识别(218)试探地点。还提供一种用于为具有不良无线电覆盖的区域确定试探地点的装置。
用于定位具有不良无线电覆盖区域方法装置

[发明专利]用于互连工艺的半导体结构及其制造方法-CN201010110556.8有效
发明人：孙武;李若园 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于互连工艺中的半导体器件，包括：前端器件层；在前端器件层上形成的通孔停止层；在通孔停止层上形成的第一低k值介电层；在第一低k值介电层上形成的超低k值介电层；在超低k值介电层上形成的第二低k值介电层，其中第二低k值介电层和超低k值介电层对于等离子体刻蚀具有不同的蚀刻速率；在第二低k值介电层形成的钝化层；透过钝化层、第二低k值介电层、超低k值介电层和第一低k值介电层蚀刻至通孔停止层的通孔；以及透过钝化层、第二低k值介电层蚀刻至超低k值介电层的沟槽。本发明的半导体器件能产生均匀的薄层电阻Rs，并使得介电层保持为低k值，具有改进的电学特性。
用于互连工艺半导体结构及其制造方法