专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图案化二材料的制备装置-CN202111082819.3在审
  • 王斌;梁涛 - 国家纳米科学中心
  • 2021-09-15 - 2022-02-01 - C23C16/458
  • 本发明涉及二材料制备技术领域,具体是图案化二材料的制备装置,包括有腔体、三驱动部件、样品固定部件、第加热部件、抽真空部件和多个气体输送部件;所述三驱动部件安装在所述腔体底部,所述样品固定部件安装在所述三驱动部件上,所述第加热部件安装在所述腔体内,所述第加热部件用于对所述样品固定部件进行加热,所述抽真空部件与所述腔体连通,所述气体输送部件安装在所述腔体上,所述气体输送部件的出气口位于所述样品固定部件的上方。本发明实现了衬底在三方向的精确移动,使得衬底与前驱体之间可以产生相对移动,进而可以根据所需图案得到图案化二材料。
  • 图案二维材料制备装置
  • [发明专利]基于扫描结构光系统的三重建方法及其相关组件-CN202110357283.5在审
  • 刘晓利;缪裕培;杨洋;汤其剑;彭翔 - 深圳大学
  • 2021-04-01 - 2021-06-15 - G06T7/80
  • 本发明公开了种基于扫描结构光系统的三重建方法及其相关组件。该方法包括:向平面标靶投射单方向的条纹,获取条纹图案;对成像装置的位置进行标定;建立成像装置坐标系,计算成像平面上的无畸变点与光心组成的射线与平面标靶的交点;根据交点与有畸变点的绝对相位之间的多项式映射关系计算多项式映射系数,建立映射系数查找表;采集被测物体的目标图像,计算目标图像的各绝对相位对应的映射系数,利用映射系数计算对应空间三点坐标。本发明区别于传统投射正交图案,本发明通过向被测物体投射单方向条纹,得到目标图案,并查找目标图案的映射系数计算空间三点坐标,适用于基于MEMS振镜的三测量系统,有效提高了三重建的精确度。
  • 基于扫描结构系统三维重建方法及其相关组件
  • [发明专利]种透视快速响应矩阵二图案校正的方法及系统-CN200710075036.6有效
  • 尚国强 - 中兴通讯股份有限公司
  • 2007-06-14 - 2007-12-26 - G06K9/18
  • 本发明公开了种透视快速响应矩阵二图案校正的方法及系统,所述方法包括以下步骤:a.获取透视快速响应矩阵二图案;b.根据Sklansky算法求取快速响应矩阵二图案的凸包围盒,在包围盒的顶点中寻找图像坐标下的四个顶点;采用奇异值分解法来估计透视变换参数;c.根据得到的透视变换参数,对原图像进行重新采样,得到校正的快速响应矩阵二图案。本发明通过采用Sklansky算法,准确得到QR码图案的四个顶点的图像坐标,然后采用求解线性方程的方法来估计透视矩阵的参数,达到校正图像,正确解码的目的,解决了透视QR码图案解码困难的问题。
  • 一种透视快速响应矩阵二维码图案校正方法系统
  • [实用新型]浮雕组件-CN201620131363.3有效
  • 罗实 - 罗实
  • 2016-02-19 - 2016-08-10 - B44C5/04
  • 种浮雕组件,包括底板和至少个浮雕件,底板上设有容置浮雕件的容置槽,浮雕件至少包括表层面料和热熔芯层两层原料层,表层面料连接在热熔芯层上,浮雕件具有利用模具热压使表层面料和热熔芯层形成向外凸出的浮雕图案,浮雕件设置在底板的容置槽内,且浮雕件的浮雕图案向着远离底板的方向凸出。本实用新型的浮雕组件能实现皮雕工艺品、二、三图案与三浮雕图案的组合拼接,使得浮雕作品的图案构成丰富,且凹凸层次感明显,艺术效果好。
  • 浮雕组件
  • [发明专利]种渐变二码的制作方法-CN201611141476.2有效
  • 张国炜 - 张国炜
  • 2016-12-12 - 2019-12-17 - G06K19/06
  • 本发明公开了种渐变二码的制作方法,该方法包括以下步骤:S1、获取常规二码图像和目标图像;S2、将所述常规二码图像上的码点图案替换成由不同图形元件组成填充图案,获得创意二码;S3、将所述填充图案的图形元件填充到目标图像的轮廓内,并去除目标图像,获得与目标图像轮廓对应的预渐变图像;S4、基于所述预渐变图像和创意二码,生成由预渐变图像渐变成创意二码的动画。本发明能够实现二码与其他图像的关联融合,在不影响二码功能的前提下,增加了二码使用过程中的视觉效果。
  • 一种渐变二维码制作方法
  • [发明专利]种投影建模和测距系统-CN201810935603.9在审
  • 刘嘉乐;曾庆彬;赖习章 - 中山叶浪智能科技有限责任公司
  • 2018-08-16 - 2020-02-25 - G01B11/25
  • 本发明涉及计算机领域,具体涉及种投影建模和测距系统。投影出特定的图案在投影区域内;摄像头拍摄投影的特定图案,根据图案上特定规律的点序列或轨迹线反推出投影区域、投影机、摄像头之间的三位置关系,从而得到投影区域内投影点的三信息,即得到点到投影仪的距离;每个点的三信息组成的点云可算出投影区域物体的表面三信息;当操作区域的投影的点都计算出距离后,就得到该点的三坐标,所有点的三坐标构成点云,点云信息得到后就可以对点云进行建模;根据表面的三信息可以进行自动且精度更高的梯形校正;通过动态图案可以进步提高精度
  • 一种投影建模测距系统
  • [发明专利]半导体场效应晶体管及其制备方法和应用-CN202310082579.X在审
  • 刘锴;吴永煌 - 清华大学
  • 2023-01-14 - 2023-03-21 - H01L21/44
  • 本申请提供了种二半导体场效应晶体管及其制备方法和应用,该制备方法包括以下步骤:S10提供金属电极图案膜;S20将金属电极图案膜转移至二缓冲材料的表面上,以得到金属电极预图案化缓冲材料;S30对金属电极预图案化缓冲材料进行刻蚀处理,以得到金属/缓冲材料复合电极;S40将二半导体材料转移至背栅电极上,以得到二半导体材料/背栅电极堆叠;S50将金属/缓冲材料复合电极转移至二半导体材料/背栅电极堆叠中二半导体材料与背栅电极所在表面相反的另表面上,以得到二半导体场效应晶体管。该制备方法可以通过减弱费米能级钉扎来降低肖特基势垒,得到具有良好电学性能的二半导体场效应晶体管。
  • 二维半导体场效应晶体管及其制备方法应用

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