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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]对非易失性存储器装置进行编程的方法-CN201710412107.0有效
发明人：崔允熙;李升妍;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：提供了一种对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对三维非易失性存储器装置进行编程的方法中，至少执行一次编程循环。编程循环包括用于对多个存储器单元中的被选择的存储器单元进行编程的编程步骤和用于验证被选择的存储器单元是否被编程通过的验证步骤。在对被选择的存储器单元进行编程时，可以改变施加到共同连接到所述多个存储器单元的共源极线的电压的电平。因此，在编程操作中，可以减小对共源极线进行充放电所需要的功耗，同时增大升压效率。
非易失性存储器装置进行编程方法

[发明专利]非易失性存储器装置的操作方法-CN201710024781.1有效
发明人：任琫淳;朱相炫;郑基镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性存储器，其包括其中页缓冲器按照矩阵形式排列的页缓冲器阵列。本发明还提供了一种操作非易失性存储器的方法，其包括：根据操作模式从页缓冲器阵列的多列中选择列；对存储在包含于选择的列中的页缓冲器中的失效比特计数；以及基于失效比特的计数值计算关于第n编程状态的失效比特值。
非易失性存储器装置操作方法

[发明专利]非易失性存储装置的操作方法-CN202211132043.6在审
发明人：徐准浩;李柱元;康淑恩;李度暻;郑永旭;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种非易失性存储装置的操作方法，包括：对第一字线执行1级编程步骤和1级验证步骤，存储第一时间戳，对第二字线执行1级编程步骤和1级验证步骤，存储第二时间戳，基于第一时间戳和第二时间戳计算延迟时间，确定延迟时间是否大于或等于阈值，基于延迟时间将与第一字线相关联的至少一个2级验证电压从第一电压电平调整为第二电压电平，以及对第一字线执行2级编程步骤和2级验证步骤。至少一个1级验证电压的电平低于第二电压电平，并且第二电压电平低于第一电压电平。
非易失性存储装置操作方法

[发明专利]存储器装置和控制存储器装置中的ECC操作的方法-CN201710056587.1有效
发明人：任载禹;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器装置、存储器装置和对存储器装置进行错误检查和纠正(ECC)操作的方法。存储器单元阵列包括形成在相对于基底沿垂直方向延伸的垂直沟道中的存储器单元。垂直沟道平行于第一方向以Z字形方式布置。读写电路经由位线连接到存储器单元。地址解码器对地址进行解码以将解码的地址信号提供到读写电路。存储器单元包括外单元和内单元。外单元中的一个外单元与共源极节点之间的距离小于内单元中的一个内单元与共源极节点之间的距离。存储器单元的数据分布在ECC扇区之中，存储器单元的数据输入输出顺序被布置为使得每个ECC扇区具有基本相同数目的外单元和内单元。每个ECC扇区对应于ECC操作单元。
存储器装置控制中的 ecc 操作方法

[发明专利]非易失性存储器设备和存储设备-CN202111011803.3在审
发明人： 朱相炫;朴泰敏;金亨洙;任载禹;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器设备和存储设备。该非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，包括单元串；行解码器，通过接地选择线与单元串中的每个单元串的接地选择晶体管连接，通过字线与单元串中的每个单元串的存储器单元连接，并通过串选择线与单元串中的每个单元串的串选择晶体管连接；以及页面缓冲器，通过位线与单元串连接。在检查操作的第一时段中，页面缓冲器向位线施加第一偏置电压，并且行解码器向接地选择线施加关断电压，向串选择线施加导通电压，并且向字线施加第一检查电压。在检查操作的第二时段中，页面缓冲器感测位线的电压的第一改变。
非易失性存储器设备存储

[发明专利]非易失性存储器设备和操作非易失性存储器设备的方法-CN201611141785.X有效
发明人：李浩俊;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种操作非易失性存储器设备的方法，包括：从NAND串中包括的多个选择晶体管当中选择第一选择晶体管；以及对第一选择晶体管的第一阈值电压执行检查操作。检查操作包括：将第一阈值电压与第一下限参考电压水平比较；以及当第一阈值电压低于第一下限参考电压水平时，对第一选择晶体管执行编程操作。当第一阈值电压等于或高于第一下限参考电压水平时，对第一阈值电压的检查操作结束。
非易失性存储器设备操作方法

[发明专利]非易失性存储器设备和操作其的方法-CN201610998616.1有效
发明人：郑基镐;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种非易失性存储器设备包括每个均包括在基板上垂直地形成的单元串的存储块。单元串耦合到多个位线。单元串每个均包括连接到串选择晶体管的存储单元。一种操作非易失性存储器设备的方法包括：响应于擦除命令来对存储块中的第一存储块执行擦除操作，对第一存储块的存储单元执行擦除验证操作，对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中的每个的串选择晶体管执行第一读出操作，以及至少基于第一读出操作的结果来确定第一存储块是否是故障块。第一读出操作基于从多个读出方案当中选择的第一读出方案。
非易失性存储器设备操作方法

[发明专利]非易失性存储器设备以及操作其的方法-CN201610833785.X有效
发明人： 朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种非易失性存储器设备包括连接到多个单元串的公共源极线。单元串各自包括耦合到串选择线的第一选择晶体管、耦合到接地选择线的第二选择晶体管以及耦合到多个字线的多个存储单元。第二选择晶体管公共地耦合到公共源极线。操作非易失性存储器设备的方法包括：接收编程命令和访问地址；以及在浮置公共源极线的同时对根据访问地址所选择的页面执行编程操作。公共源极线基于编程命令和访问地址中的至少一个而被浮置。
非易失性存储器设备以及操作方法

[发明专利]非易失性存储器设备及其操作方法-CN202110362975.9在审
发明人：尹在鹤;任载禹;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器设备和操作方法。非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个平面，每个平面包括多个存储器块；地址解码器，连接到存储器单元阵列；电压生成器，被配置为向地址解码器施加操作电压；页缓冲器电路，包括与每个平面相对应的页缓冲器；数据输入/输出电路，连接到被配置为输入和输出数据的页缓冲器电路；以及控制单元，被配置为控制地址解码器、电压生成器、页缓冲器电路和数据输入/输出电路的操作，其中，控制单元被配置为通过检查访问地址的存储器块是否是坏块来在多操作或单一操作中操作。
非易失性存储器设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置的坏块检测方法以及测试系统-CN202011229786.6在审
发明人：尹明远;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器装置的坏块检测方法以及测试系统。所述测试系统包括：非易失性存储器装置，包括在多平面模式下进行操作的多个存储器块；以及测试机，检测非易失性存储器装置的坏块。非易失性存储器装置生成基于用于坏块的检测的擦除循环是否进行的就绪/忙碌信号。当从在多平面模式下进行操作的平面中包括的所述多个存储器块检测到至少一个正常块时，非易失性存储器装置生成具有第一忙碌间隔的就绪/忙碌信号。当在多平面模式下进行操作的平面中包括的所述多个存储器块全部被检测为坏块时，非易失性存储器装置生成具有比第一忙碌间隔短的第二忙碌间隔的就绪/忙碌信号。
非易失性存储器装置检测方法以及测试系统

[发明专利]非易失性存储器设备-CN202110078483.7在审
发明人：尹明远;尹在鹤;任载禹;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种非易失性存储器设备，包括处理电路，处理电路被配置为向第一字线施加子电压，基于连接到第一字线的多个第一存储器单元的阈值电压分布确定期望的第一读取电压，向第二字线施加子电压，基于连接到第二字线的多个第二存储器单元的阈值电压分布确定期望的第二读取电压，在同时读取连接到第一字线的第一存储器单元时向第一字线施加期望的第一读取电压，并且在同时读取连接到第二字线的第二存储器单元时向第二字线施加期望的第二读取电压，期望的第二读取电压与期望的第一读取电压不同。
非易失性存储器设备

[发明专利]非易失性存储器设备-CN202110072029.0在审
发明人：尹明远;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种非易失性存储器设备，包括：存储器块，具有连接到虚设单元的未用线以及连接到常规单元的在用线；以及控制器，在擦除操作期间将擦除电压施加到存储器块、将未用线擦除电压施加到未用线并将字线擦除电压施加到在用线。在对常规单元进行编程的编程操作期间不对虚设单元进行编程，未用线擦除电压在第一时间点从第一电压转变为浮置电压，并且控制器读取虚设单元，并基于读取虚设单元的结果来控制第一电压的大小和第一时间点中的至少一个。
非易失性存储器设备

[发明专利]移动球体的感测装置及感测方法-CN201680029769.3有效
发明人： 朱相炫;金世焕 -专利权人：高尔纵株式会社
申请日： 2016-06-10 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G06T7/13 文献下载
摘要：本发明提供一种移动球体的感测装置及感测方法，用于连续取得移动球体的图像并对其分析，根据该分析的结果计算出所述移动球体的自旋信息，即使不在球体上标识特定标记等，也能够计算出移动球体的自旋，除了在球体上存在的标志或品牌标识等外，存在凹纹部、伤痕等在图像上特征性地显示的部分，则能够利用它们，简单、迅速、准确地计算出移动球体的自旋。
移动球体装置方法

[发明专利]高尔夫影像信息自动生成系统及高尔夫影像信息自动生成方法-CN201680063726.7有效
发明人： 朱相炫 -专利权人：高尔纵株式会社
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H04N21/80 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种编辑除了进行简单的一杆进洞确认或近洞认证等外，还对正在进行高尔夫比赛的用户予以呈现从高尔夫击球到在包括该进行高尔夫击球的球的目标地点的区域上的移动的一系列过程的影像信息来自动地生成高尔夫影像信息，从而能够向用户提供对高尔夫击球的值得成为纪念的影像内容的高尔夫影像信息自动生成系统及高尔夫影像信息自动生成方法。
高尔夫影像信息自动生成系统方法

[实用新型]电动机操作式压缩机-CN202020014473.8有效
发明人：朴日永;崔二喆;朱相炫;林俊荣 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： F04C18/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电动机操作式压缩机，包括：绕动涡旋盘，其与固定涡旋盘一起限定压缩腔室；主框架，其支撑绕动涡旋盘进行绕动运动；凹槽，其置放在绕动涡旋盘和主框架中的任一个中，以面向绕动涡旋盘和主框架中的另一个，并且被限定成围绕背压腔室的闭合弯曲形状；第一密封构件，其插入凹槽中以密封背压腔室；和第二密封构件，其插入凹槽中以将第一密封构件弹性挤压成与绕动涡旋盘或主框架紧密接触，凹槽的外壁和第一密封构件之间在第一密封构件的径向方向上的距离是第一密封构件的外径和内径之差的6％至8％。
电动机操作压缩机

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