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- [发明专利]存储器的测试方法-CN202310946495.6在审
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楚西坤
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长鑫科技集团股份有限公司
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2023-07-31
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2023-10-20
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G11C29/56
- 本公开提供一种存储器的测试方法。存储器的测试方法包括至少一个字线驱动电路测试过程,字线驱动电路测试过程包括:将第一数据写入字线驱动电路对应的存储单元;读取存储单元的第二数据;当第一数据与第二数据不同时,确定字线驱动电路异常;其中,字线驱动电路为信号走线层断裂后经修补的字线驱动电路。在本公开中,通过以写入第一数据并读取第二数据的方式测试经修补的字线驱动电路是否异常,能够识别存在异常的字线驱动电路以对存储器进行分类,从而提高了存储器的可靠性。
- 存储器测试方法
- [发明专利]一种感应放大器性能的检测方法、存储芯片-CN202210291541.9在审
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楚西坤
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长鑫存储技术有限公司
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2022-03-23
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2023-10-03
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G11C29/08
- 本申请实施例提供一种感应放大器性能的检测方法、存储芯片。其中,所述方法包括:对位于同一列的一组存储单元中的目标存储单元至少执行一次如下循环步骤,其中:所述一组存储单元包括目标存储单元和与所述目标存储单元连续的N个存储单元,所述N为大于等于2的正整数;在执行第一写操作过程中,向所述一组存储单元中写入检测数据,其中,所述检测数据中写入所述目标存储单元的数据为检测位元数据;在执行第一读操作过程中,控制所述目标存储单元的驱动位线和参考位线的预充电时长为检测时长后,读取所述目标存储单元上的目标数据;基于所述检测位元数据与所述目标数据的一致性,检测所述目标存储单元的感应放大器在所述检测时长下的性能。
- 一种感应放大器性能检测方法存储芯片
- [发明专利]存储器的检测方法-CN202210046881.5有效
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楚西坤
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长鑫存储技术有限公司
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2022-01-14
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2023-09-19
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G11C8/08
- 本公开提供一种存储器的检测方法,涉及半导体技术领域,用于解决无法测试存储器预充电时间的技术问题,该存储器的检测方法先在第一对角线和第二对角线上写入第一存储数据,之后再写入第二存储数据,按照第一读取顺序读取位于第一对角线和第二对角线上的存储单元的存储数据,并在每读取一个存储单元的存储数据之前,缩短与该存储单元连接的位线和参考位线预充电时间,以增加该存储单元读取时出错的几率,若是该存储单元的存储数据与第一存储数据不同或者与第二存储数据不同,则证明出错时的第一预设时间为该存储器对应的行预充电时间的边界值,缩短了测试时间,此外,对角线周边为未知数据,拓宽了测试环境的设定范围,可对不同的存储器进行测试。
- 存储器检测方法
- [发明专利]字线驱动电路、字线驱动方法和存储器-CN202210050699.7在审
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楚西坤
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长鑫存储技术有限公司
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2022-01-17
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2023-07-25
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G11C8/08
- 本公开涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种字线驱动电路、字线驱动方法和存储器,包括:驱动反相器,输入端用于接收字线控制信号,输出端用于输出字线驱动信号,字线驱动信号用于驱动至少一个子字线驱动器;子字线驱动器包括第一输入端、第二输入端、第三输入端和输出端;子字线驱动器,基于第一输入端输入的数据,将第二输入端输入的数据或第三输入端输入的数据同步至输出端;第一控制模块,输出端连接第二输入端,被配置为,基于第一控制信号上拉第一驱动信号;第二控制模块,输出端连接第二输入端,被配置为,基于第一控制信号下拉第一驱动信号,且对第一驱动信号的电压下拉速率满足预设值,以提高子字线驱动电路中PMOS的可靠性。
- 驱动电路方法存储器
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