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[发明专利]鳍结构-CN201910608368.9在审
发明人： F·H·阿尔-阿穆迪;徐移恒;R·克里希南 -专利权人：格芯公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及鳍结构。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及鳍结构和制造方法。该结构包括：由衬底材料形成的多个鳍结构；位于多个鳍结构中的选定鳍结构之间的半导体材料；以及位于多个鳍结构之间的间隔内的隔离区域。
结构

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN201811229473.3在审
发明人：耿文骏;林祐宽;杨昌达;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供半导体装置结构及其形成方法。此方法包含在半导体基底之上形成第一鳍结构、第二鳍结构、及第三鳍结构。此方法包含在第一鳍结构和第二鳍结构的侧壁之上形成第一间隔物元件以及部分地移除第一鳍结构和第二鳍结构。此方法包含在第三鳍结构的侧壁之上形成第二间隔物元件以及部分地移除第三鳍结构。第二间隔物元件高于第一间隔物元件。此方法包含在第一鳍结构、第二鳍结构、及第三鳍结构之上外延生长半导体材料，则在第一鳍结构及第二鳍结构上形成合并半导体元件，且在第三鳍结构上形成隔离半导体元件。
鳍结构间隔物元件半导体装置结构侧壁移除半导体材料半导体基底半导体元件隔离半导体外延生长合并

[发明专利]半导体结构-CN202210315554.5在审
发明人：林志昌;潘冠廷;陈仕承;张荣宏;张罗衡;姚茜甯;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。半导体结构包含基板及鳍结构，鳍结构位于基板之上。鳍结构包含堆叠鳍结构、鳍底部部分及隔离层，鳍底部部分设置于堆叠鳍结构之下，隔离层设置于堆叠鳍结构与鳍底部部分之间。半导体结构还包含介电衬及间隔物结构，介电衬与堆叠鳍结构的端部接触，间隔物结构与介电衬接触。
半导体结构

[发明专利]具有替代通道材料的电性绝缘鳍片结构及其制法-CN201610005410.4有效
发明人： M·K·阿卡瓦尔达;J·A·弗伦海塞尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有替代通道材料的电性绝缘鳍片结构及其制法。提供数种半导体结构及制造方法，例如，该方法包含用下列步骤来制造半导体鳍片结构：提供在衬底上方延伸的鳍片结构，该鳍片结构包含第一鳍片部分、配置于该第一鳍片部分上面的第二鳍片部分、以及在该第一及该第二鳍片部分之间的介面，其中该第一鳍片部分与该第二鳍片部分在该鳍片结构内呈晶格失配；以及部分修改该鳍片结构以得到改质鳍片结构，该修改步骤包含：选择性氧化该介面以在该改质鳍片结构内形成隔离区，其中该隔离区电性隔离该第一鳍片部分与该第二鳍片部分，同时维持该改质鳍片结构的结构稳定性。
具有替代通道材料绝缘结构及其制法

[发明专利]半导体装置-CN202110848839.0在审
发明人：杨智铨;林京毅;苏信文;林士豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：方法和装置提供设置在基底上的第一鳍片结构、第二鳍片结构和第三鳍片结构。介电鳍片是形成在第一鳍片结构与第二鳍片结构之间，且导线是形成在第二鳍片结构与第三鳍片结构之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710465608.5有效
发明人：曾晋沅;林纬良;陈欣志;朱熙甯;谢艮轩;严永松;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割工艺包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810582240.5有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面具有鳍部结构，鳍部结构沿鳍部结构高度方向上包括掺杂区，掺杂区鳍部结构包括多层堆叠的鳍部单元，鳍部单元包括第一鳍部和位于第一鳍部顶部的第二鳍部，第一鳍部和第二鳍部的材料不同，横跨鳍部结构的伪栅结构；在伪栅结构两侧的掺杂区鳍部结构内形成源漏开口；去除所述源漏开口侧壁的部分第一鳍部，在相邻第二鳍部之间形成第一开口；在第一开口内形成掺杂层，掺杂层内具有掺杂离子；进行退火处理，使掺杂离子进入第二鳍部内。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]边界间隔物结构以及集成-CN201711281409.5有效
发明人： J·R·霍尔特;亓屹;罗先庆;彭建伟 -专利权人：格芯公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及与鳍FET器件一起使用的N‑P边界间隔物结构及其制造方法。该方法包括：形成多个第一鳍结构；在多个鳍结构中的第一鳍结构和多个鳍结构中的第二鳍结构之间形成阻挡层；以及在第一鳍结构上形成外延材料，而至少通过形成在第一鳍结构和第二鳍结构之间的阻挡层来阻挡外延材料延伸到第二鳍结构上
边界间隔结构以及集成

[发明专利]鳍临界尺寸负载优化-CN201711341333.0有效
发明人：梁家铭;莫亦先;邱怀贤;张启新;黄仁安;李依叡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本文公开了具有优化的鳍临界尺寸负载的集成电路器件。示例性集成电路器件包括包含第一多鳍结构的核心区域和包含第二多鳍结构的输入/输出区域。第一多鳍结构具有第一宽度并且第二多鳍结构具有第二宽度。在一些实施方式中，第一多鳍结构具有第一鳍间隔并且第二多鳍结构具有第二鳍间隔。第一鳍间隔小于第二鳍间隔。在一些实施方式中，第一多鳍结构的第一邻近鳍间距大于或等于三倍的最小鳍间距，并且第二多鳍结构的第二邻近鳍间距小于或等于两倍的最小鳍间距。本发明的实施例还涉及鳍临界尺寸负载优化。
临界尺寸负载优化

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202010074227.6有效
发明人：江国诚;林志昌;潘冠廷;王志豪;朱熙甯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置结构及其形成方法，形成方法包括形成衬层于第一鳍结构及第二鳍结构的侧壁上；形成虚置鳍结构于隔离结构上，虚置鳍结构位于第一鳍结构及第二鳍结构之间；形成盖层于虚置鳍结构上；形成虚置栅极结构于盖层、第一鳍结构及第二鳍结构上；形成介电层包围虚置栅极结构；移除虚置栅极结构以于介电层中形成沟槽；移除沟槽下的衬层以形成第一凹槽于第一鳍结构及虚置鳍结构之间，及第二凹槽于第二鳍结构及虚置鳍结构之间；分别形成第一栅极结构于第一凹槽中及第二栅极结构于第二凹槽中，以虚置鳍结构及盖层分隔第一栅极结构及第二栅极结构。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910740653.6有效
发明人：张冬平;纪世良;胡昌杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：形成基底，包括衬底以及凸出于衬底的初始鳍部；在靠近初始鳍部的顶部一侧，形成覆盖初始鳍部的部分侧壁的保护层，被保护层覆盖的初始鳍部作为顶部鳍部，保护层露出的初始鳍部作为初始底部鳍部；沿垂直于初始鳍部的侧壁的方向，对初始底部鳍部进行减薄处理，适于减小初始底部鳍部的宽度，在减薄处理后，剩余初始底部鳍部作为底部鳍部，底部鳍部与顶部鳍部构成鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁，且隔离结构的顶部低于顶部鳍部的底部。隔离结构露出的鳍部用于作为有效鳍部，通过减薄处理，减小了有效鳍部的顶部宽度和底部宽度的差值，从而提高了半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910134224.4有效
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的伪鳍部；在伪鳍部露出的衬底上形成隔离层，隔离层覆盖伪鳍部的部分侧壁；在伪鳍部露出的隔离层上形成鳍部；形成鳍部后，去除伪鳍部；去除伪鳍部后，在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁。后续形成横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶面和部分侧壁的栅极结构后，栅极结构能够直接对被其覆盖的部分鳍部进行控制，而位于隔离结构中的部分鳍部没有被栅极结构覆盖，不易被栅极结构直接控制，因为本发明实施例鳍部形成在隔离层上，隔离层将鳍部与衬底电隔离，使得位于隔离结构中的鳍部不易发生漏电，优化了半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构切割工艺和由此形成的结构-CN201810521136.5有效
发明人：陈嘉仁;张铭庆;陈宜群;林育贤;殷立炜;潘姿文;张正忠;徐绍华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
半导体结构切割工艺由此形成

[发明专利]鳍形态改善方法-CN202111425170.0在审
发明人：杨军伟 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍形态改善方法，包括在鳍结构的凹陷处填补氮化硅，在所述鳍结构暴露的表面上生长氧化硅，所述氮化硅能够对所述鳍结构凹陷处的硅起到保护作用，进而避免所述鳍结构凹陷处的硅被氧化，而所述鳍结构凹陷处之外的硅则会被氧化，填充氧化硅以完全包裹所述鳍结构以及填充满所述鳍结构之间的沟槽，然后进行退火处理，此时所述鳍结构凹陷处的氮化硅会起到保护作用，避免所述鳍结构凹陷处的硅被氧化，刻蚀所述氧化硅，以暴露部分所述鳍结构，去除了所述鳍结构侧壁突出的部分，从而提高了所述鳍结构垂直侧壁的平整度。
形态改善方法

[发明专利]发光二极管-CN201711172865.6有效
发明人： A·P·雅各布;S·班纳;D·纳亚克 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开一般涉及半导体结构，更具体地，涉及发光二极管以及制造方法。方法包括：在衬底材料上形成具有掺杂芯区域的鳍结构；通过包覆鳍结构的第一鳍结构的掺杂芯区域而保护鳍结构的第二鳍结构和第三鳍结构的掺杂芯区域形成第一颜色发射区域；通过包覆第二鳍结构的掺杂芯区域而保护第一鳍结构和第三鳍结构的掺杂芯区域形成第二颜色发射区域；以及通过包覆第三鳍结构的掺杂芯区域而保护第一鳍结构和第二鳍结构的掺杂芯区域形成第三颜色发射区域。
发光二极管

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