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- [发明专利]场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置-CN202110502422.9有效
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任炜强
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深圳真茂佳半导体有限公司
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2021-05-08
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2022-08-12
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H01L29/06
- 本发明涉及一种场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置，晶体管包括位于底部的漏极外延层、位于顶部的源极层以及嵌入于漏极外延层内的源极延伸倒鳍与栅极;栅极排列在源极延伸倒鳍之间,栅极两侧形成有成对由源极层至漏极外延层内部并联的对称型沟道;优选示例中,栅极两侧的沟道上方还形成有成对由源极层至漏极外延层并联的对称型领域电阻;优选示例中,漏极外延层在对应栅极的底部部位形成栅下浮空反极型结;优选示例中,漏极外延层在对应源极延伸倒鳍的底部部位形成屏蔽栅底部浮空反极型柱底结本发明首创了双倒半鳍浮空超结栅式场效晶体管(DRFJ MOSFET)架构,具有衬底背面漏极与顶面源极电子流均匀化或帮助均匀化的增益效果。
- 晶体管结构及其制造方法芯片装置
- [实用新型]场效晶体管结构与芯片装置-CN202121753228.X有效
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任炜强
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深圳真茂佳半导体有限公司
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2021-07-28
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2021-12-31
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H01L29/06
- 本实用新型涉及一种场效晶体管结构与芯片装置，晶体管包括底层的漏极衬底、顶层的金属源极层以及嵌入于漏极衬底内的源极延伸倒鳍与柵极;柵极排列在源极延伸倒鳍之间,柵极两侧形成有成对由金属源极层至漏极衬底并联的对称型沟道;优选示例中,柵极两侧的沟道上方还形成有成对由金属源极层至漏极衬底并联的对称型领域电阻;优选示例中,漏极衬底在对应柵极的底部部位形成栅下浮空反极型结;优选示例中,漏极衬底在对应源极延伸倒鳍的底部部位形成屏蔽栅底部浮空反极型柱底结本实用新型首创了双倒半鳍浮空超结柵式场效晶体管(DRFJ MOSFET)架构,具有衬底背面漏极与顶面源极电子流均匀化或帮助均匀化的增益效果。
- 晶体管结构芯片装置
- [发明专利]电源突波监测电路-CN202011154234.3有效
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陈柏升;曾华俊
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新唐科技股份有限公司
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2020-10-26
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2023-09-01
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G01R19/165
- 本发明揭露一种电源突波监测电路，其包含一第一P型场效晶体管以及一第二P型场效晶体管，其相同偏压电流所偏压，且第一P型场效晶体管的通道宽长比大于第二P型场效晶体管的通道宽长比；一电容，其一端接地，而另一端连接第一与第二P型场效晶体管的栅极、以及电源供应端；一判断电路，当第一P型场效晶体管的漏极电压下降幅度大于第二P型场效晶体管的漏极电压下降幅度时，判断电路判断电源供应端出现一负突波，而当第二P型场效晶体管的漏极电压上升幅度大于第一P型场效晶体管的漏极电压上升幅度时，判断电路判断电源供应端出现一正突波。
- 电源监测电路
- [发明专利]集成电路-CN201910905286.0在审
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廖忠志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2019-09-24
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2020-04-03
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H01L27/02
- 例示性的集成电路包括第一单元，其含有一或多个第一种全绕式栅极晶体管位于集成电路的第一区中；第二单元，其含有一或多个第二种全绕式栅极晶体管位于集成电路的第一区中，其中第二单元与第一单元相邻，其中第一种全绕式栅极晶体管为纳米晶体管与纳米线晶体管中的一者，而第二种全绕式栅极晶体管为纳米晶体管与纳米线晶体管中的另一者；以及第三单元，其含有一或多个鳍状场效晶体管位于集成电路的第二区中，其中集成电路的第二区与第一区隔有一段距离。
- 集成电路
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