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[发明专利]鳍状场效晶体管装置及其形成方法-CN201711283937.4有效
发明人：马志宇;沙哈吉·B·摩尔;李承翰;潘正扬;张世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种鳍状场效晶体管装置及其形成方法，鳍状场效晶体管装置的形成方法包括提供基板，其具有栅极结构于基板的第一侧上；形成凹陷，且凹陷与栅极结构相邻；以及形成具有掺杂的第一半导体层于凹陷中，第一半导体层为非顺应性
鳍状场效晶体管装置及其形成方法

[发明专利]具有埋藏鞍形鳍式场效晶体管的SRAM集成电路及其制造方法-CN201310347082.2有效
发明人： P·巴尔斯;M·哥德巴赫 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：提供一种具有埋藏鞍形鳍式场效晶体管的SRAM集成电路及其制造方法。一种方法，包含于覆盖在硅基板上面的第一氧化物层上沉积光阻，使用光阻形成局部的图案，以在氧化物层上形成两个反相器，每一个反相器具有上拉晶体管、下拉晶体管以及通栅晶体管。该方法涉及在对应于图案的氧化物层中各向异性蚀刻U型信道，且之后在硅层中各向同性蚀刻U型信道，以形成在硅中的鞍型鳍状物。在鞍型鳍状物之上沉积第二氧化物层，且在第二氧化物层之上沉积第一金属层。在第一金属层之上形成接点金属层并平坦化以形成局部互连，局部互连是耦合一个反相器的栅极电极至另一个反相器的上拉和下拉晶体管之间的节点以及至其中一个通栅晶体管的源极/漏极。
具有埋藏鞍形鳍式场效晶体管 sram 集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及其接触插塞的制造方法-CN201911046113.4有效
发明人：黄玉莲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：此开口的图案化方法可用以形成在一半导体结构的一层间介电层中的接触开口，以设置连接至鳍式场效晶体管装置的源极/漏极区的接触件。当截切幕层形成之后，在一层间介电层中形成接触开口至半导体结构的鳍式场效晶体管装置的源极/漏极区。可填充导电材料于这些接触开口中，而定义出导电接触件(例如导电插塞)。
半导体装置制造方法及其接触

[发明专利]制造高载子迁移率鳍式场效晶体管结构的方法-CN201310322298.3无效
发明人： S·弗莱克豪斯基;R·伊尔根 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/784 文献下载
摘要：一种制造高载子迁移率鳍式场效晶体管结构的方法，包括提供包括硅及高载子迁移率材料的半导体衬底，于该半导体衬底上形成一个或多个鳍式结构，以及使该衬底接受缩合程序，以缩合该高载子迁移率材料。该缩合程序形成缩合的鳍式结构，该缩合的鳍式结构本质上包括完全的高载子迁移率材料与形成于该缩合的鳍式结构上的氧化硅层。该方法更包含除去形成于该缩合的鳍式结构上的氧化硅，以曝露该缩合的鳍式结构。
制造高载子迁移率鳍式场效晶体管结构方法

[实用新型]在一集成电路中的位准移位器电路及集成电路系统-CN201520643464.4有效
发明人：何富兴;黄谷波 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本实用新型提供一种在一集成电路中的位准移位器电路及集成电路系统，位准移位器电路包含多个场效晶体管，其被耦接以提供：一第一反相器，其具有一被配置以接收一具有一第一电源电压的输入信号的输入端口、一输出埠、以及一偏压埠；一第二反相器，其具有一耦接至第一反相器的输出埠的输入埠、一输出埠、以及一耦接至一第二电源电压的偏压端口；一二极管接法的场效晶体管，其耦接在第二电源电压与第一反相器的偏压埠之间；一与二极管接法的场效晶体管并联的第一场效晶体管，其具有一耦接至第二反相器的输出的闸极；以及一与二极管接法的场效晶体管以及第一场效晶体管并联的第二场效晶体管，其具有一被配置以接收一模式选择信号的闸极。
集成电路中的移位电路系统

[发明专利]鳍型场效晶体管及其制造方法-CN201611246776.7在审
发明人：蔡俊雄;杨怀德;张简旭珂;陈科维;王英郎;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍型场效晶体管，所述鳍型场效晶体管包括衬底、至少一个栅极结构、第一间隔壁、第二间隔壁以及源极及漏极区。所述衬底具有鳍及安置于所述鳍之间的绝缘体。所述至少一个栅极结构安置于所述鳍之上且安置于所述绝缘体上。所述第一间隔壁安置于所述至少一个栅极结构的相对的侧壁上。所述源极及漏极区安置于所述至少一个栅极结构的两个相对侧上且位于所述第一间隔壁旁边。
鳍型场效晶体管及其制造方法

[发明专利]鳍状场效晶体管器件-CN201611014865.9在审
发明人：张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍状场效晶体管器件，包括衬底、至少一栅极堆叠结构、多个间隔物以及源极与漏极区域。栅极堆叠结构配置在衬底上，且多个间隔物配置在栅极堆叠结构的侧壁上。
鳍状场效晶体管器件

[发明专利]鳍状场效晶体管装置-CN202010047534.5在审
发明人：黄旺骏;杨凯杰;蔡庆威;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：鳍状场效晶体管装置包括基板与自基板延伸的至少一半导体鳍状物。半导体鳍状物可包括含有第一半导体材料的多个宽部，以及一或多个窄部。一或多个窄部的第二宽度小于宽度的第一宽度。鳍状物亦包括通道层覆盖多个宽部的侧壁以及一或多个窄部的侧壁。
鳍状场效晶体管装置

[发明专利]与本位晶体管相兼容的鳍式场效晶体管程序-CN200910150016.X有效
发明人：李介文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-06-18 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种仅有顶部沟道的鳍式场效晶体管(以下简称为finFET)器件。此处所述的方法和器件提供了与finFET工艺流程兼容的本位(native)器件。在用于形成器件的沟道区的鳍的顶部形成栅极。在一个实施例中，仅在沟道的一侧(比如，鳍的顶部)设置栅极。包含沟道的鳍的侧壁可以紧靠隔离结构。在一个实施例中，在鳍之间形成隔离结构，为栅极的形成设置一个平坦的表面。
本位晶体管兼容鳍式场效程序

[发明专利]一种化合物半导体晶圆结构-CN201210195095.8有效
发明人：林正国;李思儒;许荣豪;蔡绪孝 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明关于一种化合物半导体晶圆结构，包含一基板、一n型场效晶体管磊晶结构，一n型掺杂蚀刻终止层、一p型插入层以及一npn异质接面双极晶体管磊晶结构，可用以制作场效晶体管、异质接面双极晶体管或门流管晶体管
一种化合物半导体结构

[发明专利]半导体结构及存储单元-CN200710096679.9有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-04-23 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及存储单元，包括半导体基板，平面PMOS元件位于半导体基板的表面，且NMOS元件位于半导体基板的表面，其中此NMOS元件为鳍式场效晶体管。
半导体结构存储单元

[发明专利]半导体集成转换电路-CN01112084.3无效
发明人：高桥胜 -专利权人：新日本无线株式会社
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： H04Q7/32 文献下载
摘要：应用于双频带移动电话中的半导体集成转换电路S1包含第一到第四场效晶体管1、2、3、4,其控制着从第一到第四输入/输出端口22到25中的任一个和公用输入输出端口21之间的电连接,与第二场效晶体管2相通的第五场效晶体管5和串联谐振电路51,其具有与通过第二场效晶体管2的信号的较高频率谐波相同的谐振频率。第五场效晶体管5和串联谐振电路51串联,并被连接在公用输入输出端口21和地面之间,以使得信号的较高次谐波导入地面而对信号无传输损耗。
半导体集成转换电路

[发明专利]动态随机存取存储器单元-CN201110425199.9有效
发明人：沃纳·郑林 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储器单元，包含：第一鳍式场效应晶体管以及第二鳍式场效应晶体管。所述第二鳍式场效应晶体管与所述第一鳍式场效应晶体管相邻，包含：源极随耦晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第一鳍片；存取晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第二鳍片；写入字元线；以及读取字元线，当所述读取字元线被施以高电位时，所述源极随耦晶体管使数据得以由所述第一鳍式场效应晶体管被读取出来。
动态随机存取存储器单元

[发明专利]切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路-CN202110897436.5在审
发明人：廖庭维;陈建馀;游焜煌;邱建维;杨大勇 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路。该切换式转换器电路，用以根据脉宽调制信号，切换其中的电感一端的电压，以转换输入电压为输出电压。切换式转换器电路具有驱动电路，其包括上桥驱动器、下桥驱动器、上桥感测电路以及下桥感测电路。上桥感测电路用以感测上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅‑源极电压，而产生下桥使能信号，以使能下桥驱动器根据脉宽调制信号切换下桥金属氧化物半导体场效晶体管。下桥感测电路用以感测下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅‑源极电压，而产生上桥使能信号，以使能上桥驱动器根据脉宽调制信号切换上桥金属氧化物半导体场效晶体管。
切换转换器电路其中具有适应性时间驱动

[发明专利]半导体装置-CN200910118762.0有效
发明人：水村章;安茂博章;大石哲也 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-03-11 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管各由多个鳍式晶体管形成，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被并联连接从而在电气方面共用源极，其中所述多个鳍式晶体管各自包括鳍式活性层，所述鳍式活性层从半导体基板上突出，在所述鳍式活性层的一端上形成有用作所述源极的源极层且在所述鳍式活性层的另一端上形成有漏极层，从而形成沟道区域，所述鳍式活性层被配置为平行地彼此相邻，并且所述漏极层被布置为使电流在所述第一晶体管与所述第二晶体管中以相反的方向流过所述多个鳍式晶体管该半导体装置提供了集成的鳍式场效应晶体管之间的窄间距宽度和极好匹配。
半导体装置

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