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[实用新型]一种医院计算机线路埋藏装置-CN201920996015.6有效
发明人：张鹏飞 -专利权人：张鹏飞
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医院计算机线路埋藏装置，涉及线路埋藏技术领域，该医院计算机线路埋藏装置，包括固定块，所述固定块的中部开设有通孔，所述线路埋藏下壳体远离固定块的一端设置有卡块，所述线路埋藏上壳体的顶面设置有出线孔，所述线路埋藏上壳体远离出线孔的一端设置有卡槽，所述出线孔的内部卡接有线路保护套，所述线路保护套的表面套接有防护外壳。该医院计算机线路埋藏装置，通过线路埋藏下壳体和线路埋藏上壳体能够有效的拆分开线路埋藏壳体，便于计算机线路的埋藏，提高了计算机线路埋藏的效率，卡块卡槽能够有效的将线路埋藏下壳体和线路埋藏上壳体安装到一起，便于计算机线路埋藏后的保护，提高了计算机线路埋藏的质量。
埋藏计算机线路上壳体医院计算机出线孔固定块下壳体线路保护套一端设置卡槽卡块本实用新型防护外壳顶面卡接壳体套接通孔

[发明专利]一种次表面成像和检测的方法-CN202111142554.1在审
发明人：林国淙;丁喜冬;罗永震;陈天赐;谢伟光;陈建 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G01N27/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种次表面成像和检测的方法，包括以下步骤：获取探针与待测样品之间的静电力分布图，待测样品内埋藏有埋藏颗粒；根据静电力分布图确定埋藏颗粒的次表面图像，次表面图像用于表征埋藏颗粒的几何形状；根据次表面图像和预先建立的参数确定模型确定埋藏颗粒的埋藏颗粒参数，埋藏颗粒参数包括埋藏深度和介电常数。本发明通过获取探针与待测样品之间的静电力分布图，来确定埋藏颗粒的次表面图像，从而达到对取待测样品纳米尺度下的位置扫描成像的目的，并根据次表面图像和参数确定模型来确定埋藏颗粒的埋藏颗粒参数，获取的次表面成像结果和埋藏颗粒参数受待测样品的表面形貌的影响较小
一种表面成像检测方法

[发明专利]自动掺杂使N井及N+埋藏层隔离的半导体元件-CN200510098325.9有效
发明人：宋自强;黄志博;叶任贤;刘俊秀;张启宣;陈忠义 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一种自动掺杂使N井及N+埋藏层隔离的半导体元件，该半导体元件包括有复数个低电压N井区域偏压在不同的电位上，并藉由一共通N+埋藏层及至少一高电压N井区域与基材隔离。低电压N井区域经由一共通P+埋藏层与下方的共通N+埋藏层结合。此方法适用于形成半导体元件的基材，其包括了形成N+埋藏层在一负偏压P型半导体的一指定低电压区域，藉由植入P型杂质离子，例如铟，进入到P+埋藏层中，以形成P+埋藏层在N+埋藏层中，长出覆盖P+埋藏层的P型磊晶层，使P型杂质离子扩散进入到P型磊晶层，以致于P+埋藏层延伸进入到N+埋藏层。低电压P井区域也形成在P型磊晶层且连接到P+埋藏层。
自动掺杂埋藏隔离半导体元件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201711204360.3有效
发明人：苏布;陈鲁夫;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：第二导电类型第一埋藏层，设置于基板的高电位区中，第二导电类型第一埋藏层具有第二导电类型。第二导电类型第二埋藏层，位于第二导电类型第一埋藏层的正上方，第二导电类型第二埋藏层具有第二导电类型。第二导电类型第一埋藏层的顶面与第二导电类型第二埋藏层的顶面分别与磊晶层的顶面相距不同距离。第二导电类型第一埋藏层的掺质浓度小于第二导电类型第二埋藏层的掺质浓度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]脱水牡丹、芍药的护型与护色增色综合法-CN201110288655.X有效
发明人：成海洋;成露;成元生 -专利权人：成海洋
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： A01G5/00 文献下载
摘要：该综合法选用通过40~70目筛网的淘洗砂质为埋藏基质，在埋藏基质中加入硼砂粉剂与其充分混合；在具有良好透气性的埋藏器具内铺设稀布袋或棉纸，然后盛放埋藏基质，并将花卉埋在埋藏基质内。本发明工艺简单，操作方便，由于在花卉埋藏干燥过程中自行进行了护色，免去了对鲜花的浸泡或喷雾环节，不会对鲜花造成损害，而且效果甚优。
脱水牡丹芍药增色综合法

[发明专利]一种用于确定含埋藏缺陷的GIL壳体的安全性的方法及系统-CN201810699945.5有效
发明人：乔亚霞;王宁华;张鹏飞 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司;国网上海市电力公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01N33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于确定含埋藏缺陷的GIL壳体的安全性的方法，包括：获取气体绝缘金属封闭输电线路GIL壳体的材料特性数据；获取GIL壳体的设计工况数据，并计算GIL壳体的应力数据；对GIL壳体进行无损探伤，确定存在的埋藏缺陷以及埋藏缺陷的缺陷数据；将存在的埋藏缺陷分别等效为表面缺陷，根据埋藏缺陷的缺陷数据确定表面缺陷的缺陷数据，并当为多个埋藏缺陷时，根据合并策略判断是否对相邻的表面缺陷进行缺陷合并；计算每个埋藏缺陷的缺陷应力强度因子本发明可提高含埋藏缺陷的GIL壳体的安全性和剩余寿命的评估的精度，便于工程人员实际应用，降低了维护成本，为特高压GIL壳体的检修和维护提供了技术支持。
一种用于确定埋藏缺陷 gil 壳体安全性方法系统

[发明专利]一种确定磁性材料中埋藏缺陷深度的方法及系统-CN201810817167.5在审
发明人：徐坤山;石娟;冯明光;任万忠 -专利权人：烟台大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G01N27/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种确定磁性材料中埋藏缺陷深度的方法及系统，其方法包括以下步骤，S1，基于磁屏蔽作用和磁导率变化理论，利用等效磁荷法在磁性材料外部建立埋藏缺陷漏磁场强度模型；S2，测量待测磁性材料试样外部的磁场参数，并将所述磁场参数代入到所述埋藏缺陷漏磁场强度模型中进行计算，得到待测磁性材料试样的埋藏缺陷的深度。本发明的方法利用等效磁荷法建立埋藏缺陷漏磁场模型可以比较准确的计算出磁性材料内部埋藏缺陷的深度。
磁性材料埋藏缺陷漏磁场磁场参数强度模型磁导率变化磁屏蔽外部测量

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111159007.4在审
发明人：施江林;林育廷 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体结构，其包括硅基板、埋藏字线、主动区、隔离区及氮化物柱。硅基板具有载体表面。埋藏字线埋藏在硅基板中。主动区及隔离区位于载体表面上。氮化物柱分别设置于隔离区。埋藏字线沿第二方向延伸。氮化物柱位于隔离区中的埋藏字线下方。亦提供了一种半导体结构的制造方法。本揭示的半导体结构可借由埋藏字线下方的氮化物柱来减少字线干扰。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN202111170494.4在审
发明人：施江林;林育廷 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种DRAM，其包括硅基板、埋藏字线及主动区。硅基板具有载体表面。埋藏字线埋藏在硅基板中。主动区位于载体表面上。埋藏字线与主动区相交。每一埋藏字线在主动区中的一者中具有第一宽度，且在主动区外具有第二宽度，并且第一宽度大于第二宽度。亦提供了一种DRAM的制造方法。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN201110196006.7有效
发明人：郭泽绵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储器及其制造方法，上述动态随机存取存储器包括一埋藏位线，设置于一基板内沿一第一方向延伸的一第一沟槽的下部中；一对埋藏字元线，分别设置于上述基板内沿一第二方向延伸的一第二沟槽的一对侧壁上；一辅助字元线，沿上述第一方向设置于平行于上述埋藏位线的一另一埋藏位线的上方，且与上述另一埋藏位线隔绝，其中上述辅助字元线的两端分别连接上述对埋藏字元线。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]基于古地温梯度的低温年代数据处理方法、系统及设备-CN202210269240.6在审
发明人：丁汝鑫 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于古地温梯度的低温年代数据处理方法、系统及设备，该方法包括基于角度不整合之上沉积盆地的地层获取M个样品和样品的参数；对样品的参数采用深度与时间方程求解对应样品的埋藏史时间；将埋藏史时间作为地层分界线采用深度计算公式对样品进行深度计算，得到对应样品的埋藏深度，根据样品的埋藏深度与时间构建样品的埋藏史曲线；假设N条古地温梯度‑时间曲线并通过N条古地温梯度‑时间曲线构建地温梯度‑时间函数，样品的埋藏深度和地温梯度‑时间函数将对应样品的埋藏史曲线转换为样品的
基于地温梯度低温年代数据处理方法系统设备

[发明专利]一种铬污染土壤的堆浸修复系统-CN202010535800.9有效
发明人：甘信宏;刘见波;张琨;徐建;粟丰;刘国强;李亮 -专利权人：生态环境部南京环境科学研究所;天津师范大学
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： B09C1/00 文献下载
摘要：该铬污染土壤的堆浸修复系统，包括埋藏外壳，所述埋藏外壳埋藏于地面以下，所述埋藏外壳的内部放置有储存件，所述储存件内储存有铬污染的土壤堆体，所述埋藏外壳的内部还填充有修复土壤，所述储存件的外表面连接有喷淋管件，所述喷淋管件向储存件内喷淋修复液，所述埋藏外壳的外表面开设有流通口；所述埋藏外壳的内部固定连接有内置支撑板，所述内置支撑板开设有放置口，所述储存件放置于放置口内；该铬污染土壤的堆浸修复系统，结构简单，
一种污染土壤修复系统

[实用新型]一种埋藏式高稳定直流充电桩-CN201920426842.1有效
发明人：陶旭;何仕玉;张文飞 -专利权人：安徽能通新能源科技有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： B60L53/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及充电桩技术领域，具体为一种埋藏式高稳定直流充电桩，包括充电桩本体、设置在充电桩本体外的壳体及埋藏桶，所述埋藏桶埋入地面下，且埋藏桶桶口高出地面，所示壳体滑动连接在埋藏桶内，所述埋藏桶的桶内设有气缸本实用新型通过设置支撑组件和侧缓冲件，可以实现在垂直方向和水平方向的抗震作用，通过将充电桩本体置于壳体内，可对充电桩本体起到一定的保护作用，通过壳体与埋藏桶的滑动配合，可实现对充电桩本体的保护。
充电桩埋藏壳体本实用新型支撑组件缓冲件气缸直流充电桩滑动配合抗震作用壳体滑动高稳定埋藏式内侧壁内底壁伸缩臂外侧壁埋入桶口体内

[发明专利]厚壁管材内壁裂纹埋藏深度超声检测方法-CN201711296551.7有效
发明人：宋慧斌;毛月娟;王海岭;刘燕;苗逢春;王建新;贺志强;张平 -专利权人：内蒙古北方重工业集团有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚壁管材内壁裂纹埋藏深度超声检测方法，采用脉冲反射法对钢管进行手动超声检测，利用衍射信号，测定钢管内壁纵向裂纹埋藏深度。本发明能够对厚壁管材内壁裂纹的埋藏深度进行准确测量，解决了厚壁管材内壁裂纹埋藏深度的超声检测技术难题，具有较高的经济效益和社会效益。
管材内壁裂纹埋藏深度超声检测方法

[发明专利]一种生烃窗计算方法、装置及相关设备-CN202210270328.X在审
发明人：丁汝鑫 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种生烃窗计算方法、装置及相关设备，该方法包括：通过对地层古厚度进行恢复来确定每一样品所在地层在每个时间点的上界的古深度及下界的古深度；基于上界的古深度及下界的古深度进行随机搜索，得到每一样品所在地层的若干候选埋藏史曲线，所述候选埋藏史曲线包含沉积间断期的埋藏史；对每条候选埋藏史曲线进行平均值计算，得到目标埋藏史曲线；通过镜质体反射率计算得到目标地层深度，并根据目标地层深度和各目标埋藏史曲线，确定生烃窗，其中，目标地层深度下的地层能够达到生烃条件本申请通过对沉积间断期的埋藏史曲线进行模拟计算，对地层的剥蚀量进行了恢复，从而计算出生烃窗，为油气地质勘探提供了科学依据。
一种生烃窗计算方法装置相关设备

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