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[发明专利]一种高纯铁的生产工艺-CN202310496338.X在审
发明人：钱俊杰;俞鹰;蔡晨龙;方支灵;潘荣选;戴超 -专利权人：安徽铜冠产业技术研究院有限责任公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C25C1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯铁的生产工艺，包括如下步骤：S1，电解液净化除杂；S2，预电积；S3，电积。本发明公开的高纯铁的生产工艺，电积前先对铁电解液进行净化除杂，后通电再先预电积进一步除杂，最后再电积生产高纯铁，同时在电积生产时加入三价铁稳定剂与pH稳定剂，实现高纯铁的稳定生产。
一种高纯生产工艺

[发明专利]铁电存储器件-CN202211471229.4在审
发明人：南甲镇;具奉珍;穆沙拉特.哈桑;朴建柱;河龙湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：根据本发明构思的一种铁电存储器件包括：具有源极/漏极区的基板；在基板上的界面层；在界面层上的高介电层；在高介电层上的铁电层；以及在铁电层上的栅电极层。高介电层和铁电层具有不同晶体结构的相。
存储器件

[发明专利]介电元件的制造方法-CN97182437.1无效
发明人：生田目俊秀;铃木孝明;东山和寿;大石知司 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1997-11-10 - 公布日： 2000-12-06 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明的目的在于通过采用包含绝缘粒子的铁电层,提供具有高Pr和低Ec并且耐电压性能优良的薄膜化的铁电元件。包含绝缘粒子的铁电层可以有效抑制沿晶界产生的漏泄电流,并由此表面出具有高Pr、低Ec及优良的耐电压。铁电元件的结构为铁电层以薄膜的形式夹于电极之间。通过将该铁电元件装进场效应晶体管结构中,可以得到用以检测读出和写入的具有高集成度的半导体装置。
元件制造方法

[发明专利]一种铁电半导体结型神经形态忆阻器件及其制备方法-CN202210609606.X在审
发明人：王天宇;孟佳琳;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电半导体结型神经形态忆阻器件及其制备方法。该铁电半导体结型神经形态忆阻器件包括：衬底，其为高掺杂硅片；阻挡层，形成在衬底上，设有凹槽，使底部的高掺杂硅片露出作为底电极；铁电层，形成在凹槽中，与底电极相接触；顶电极，形成在铁电层上，其延伸方向与底电极的延伸方向正交，通过调节施加在顶电极的电压的大小和正负，实现神经形态计算中所需的电导权重逐级调节过程：在顶电极施加正向电压时，铁电层中的铁电畴极化方向翻转向下，器件处于低电阻的状态；施加较小的正向电压时，铁电层中铁电畴发生不完全翻转，器件处于中间电阻状态；施加负向电压时，铁电层中的铁电畴极化方向发生翻转，器件处于高电阻的状态。
一种半导体神经形态器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201510616088.4有效
发明人：许高博;殷华湘;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种铁电栅介质层的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上淀积高k栅介质层；在所述高k栅介质层上淀积应力层；在所述高k栅介质层中引入掺杂元素；对所述高k栅介质层进行退火处理，实现高k栅介质层的相变，从而形成铁电栅介质层。本发明提供的铁电栅介质层的制造方法，通过在高k栅介质层中引入掺杂元素，在应力层的夹持作用下退火形成具有铁电属性的高k栅介质层，该方法有利于与CMOS工艺相兼容，提高铁电材料在小尺寸半导体器件中的应用。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种高储能密度和高储能效率的复合陶瓷材料制备方法-CN202210209252.X有效
发明人：张洋洋;赵帅杰;李慧;张金平;高景霞;王二萍;李伟;李明阳;张翔 -专利权人：黄河科技学院
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明是一种高储能密度和高储能效率的复合陶瓷材料制备方法，有效解决了现有反铁电材料和弛豫铁电材料在高温合成时，容易造成两相反应产生杂相，使复合后储能效率下降，耐压强度降低的问题，该复合陶瓷由反铁电相粉体和包覆了氧化铝的弛豫铁电相粉体按照化学式所制成，反铁电相粉体是由PbO、HfO2和SnO2进行配料后混合而成，最后将反铁电相粉体和包覆了氧化铝的弛豫铁电相粉体进行混合，其中包覆了氧化铝的弛豫铁电相粉体，按照比例进行混合。氧化铝的包覆，能够有效增加耐压强度，同时降低两相高温时的反应扩散，保障复合材料的高储能密度及高储能效率。
一种高储能密度效率复合陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种铁电薄膜晶体管及其制备方法-CN201810237772.5有效
发明人：廖敏;贾林飞;刘晨;刘恒;彭强祥;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种铁电薄膜晶体管的制备方法。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种移相器用低压高介电可调铁电材料及其制备方法-CN202310660254.5在审
发明人：闫非;廖佳佳;周益春;廖敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明涉及一种移相器用低压高介电可调铁电材料及其制备方法，制备方法包括：步骤1、清洗单晶Si衬底，得到清洗完成的单晶Si衬底；步骤2、在所述清洗完成的单晶Si衬底上制备底电极金属层；步骤3、在所述底电极金属层的上表面制备铁电层，所述铁电层从下至上包括依次层叠的第一HfO2层、ZrO2层和第二HfO2层；步骤4、在所述铁电层上制备顶电极金属层，以得到HfO2基铁电薄膜；步骤5、对所述HfO2基铁电薄膜进行退火处理，得到低压高介电可调铁电材料本发明所制备的移相器用低压高介电可调铁电材料可以实现多种组成材料优异性能的互补，并且制备温度低至400℃，能够与Si基CMOS工艺表现出良好的兼容性，可实现大面阵、高密度集成。
一种移相器低压高介电可调材料及其制备方法

[发明专利]一种强极化取向的铁电薄膜及其制备方法-CN201810844049.3在审
发明人：李静波;王林;金海波;洪思明;桂萌琦 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种强极化取向的铁电薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：制备钛酸铁铋前驱体溶液；获取导电基底材料；将所述钛酸铁铋前驱体溶液旋涂至所述导电基底材料上，得到钛酸铁铋薄膜；热处理所述钛酸铁铋薄膜，得到未晶化钛酸铁铋薄膜；在向所述未晶化钛酸铁铋薄膜的表面施加外电场的环境下，高温下热处理所述未晶化钛酸铁铋薄膜，得到强极化取向的铁电薄膜。本发明实施例通过在铁电薄膜的制备过程中施加外电场，实现了铁电薄膜的强极化取向生长，使得制得的铁电薄膜表面平整而致密，结晶度高，晶粒的极化取向明显，从而使制得的铁电薄膜具有高光学催化性能。
铁电薄膜钛酸铁极化取向铋薄膜制备晶化导电基底材料热处理铋前驱体外电场致密表面平整表面施加催化性能制备过程晶粒结晶度旋涂施加生长

[发明专利]一种有机铁电增强中子辐射探测器及其制备方法-CN202111508237.7在审
发明人：孙晓娟;贾玉萍;黎大兵;谢智伟;刘明睿 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机铁电增强中子辐射探测器及其制备方法，该探测器包括底电极、半导体中子辐射探测器、有机铁电增强层和顶电极；本发明的有机铁电增强中子辐射探测器，突破传统聚乙烯中子转化层只能实现中子转化的固有属性，有机铁电增强层的材料为含有氢元素的有机铁电材料，不仅能实现中子转化，同时还具有铁电强极化特性，同时具备中子转化和铁电场增强的双重功能，在中子转化的同时给半导体探测器提供高的电场，在低偏压下实现高的探测效率
一种有机增强中子辐射探测器及其制备方法

[发明专利]高Tc铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件-CN01113731.2无效
发明人：杨彬;胡卫生;陈延峰;刘治国;闵乃本 -专利权人：南京大学
申请日： 2001-06-27 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：高TC铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件,利用脉冲激光沉积方法(PLD)在衬底上生长高TC铁电薄膜,生长的铁电薄膜主要为Bi3TiNbO9(BTN)和Bi3TiTaO9(BTT),在薄膜的生长过程中外加一个与衬底表面垂直的静电场本发明提供了一种高TC铁电薄膜取向控制生长方法,用此生长方法得到铁电存储器原型器件,其剩余极化较大,抗疲劳性好,具有较好的实用前景。
tc 薄膜取向控制生长方法存储器原型器件

[发明专利]高铁调度员心理旋转能力的测试方法及系统-CN201710765369.5有效
发明人：郭孜政;张骏 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： A61B5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种高铁调度员心理旋转能力的测试方法及系统，所述方法包括：通过展示模块对测试题进行展示；通过脑电采集模块采集高铁调度员对所述测试题作答时的脑电数据；通过记录模块记录所述高铁调度员对所述测试题作答时的作答结果及作答时长；基于全部测试题中每一个测试题对应的脑电数据、作答结果及作答时长确定所述高铁调度员心理旋转能力的测试结果。应用本发明实施例，能客观地、全面地评估高铁调度员心理旋转能力，并可以对高铁调度员心理旋转的能力进行量化展示，为高铁调度员的选拔、业绩考核提供参考依据。
调度员心理旋转能力测试方法系统

[发明专利]一种具有高介电常数的反铁电电容及其制备方法-CN202310361687.0在审
发明人：罗庆;王博平;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高介电常数的反铁电电容及其制备方法。一种反铁电电容，包括依次堆叠的底电极、反铁电层、顶电极；其中，反铁电层采用HZO，厚度为6～10nm。本发明可以提供一种具有超高介电常数的反铁电电容，其很大的应用前景。
一种具有介电常数反铁电电容及其制备方法

[发明专利]一种PEALD低温制备铁电薄膜的方法及铁电薄膜-CN201811002707.0有效
发明人：廖敏;游朋先;郑帅至;彭强祥;尹路;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种铁电薄膜的制备方法，属于铁电薄膜制备技术领域，包括：S1：用衬底材料制备衬底；S2：在第一预设温度范围内，采用等离子增强原子层沉积方法对所述衬底进行处理，得到预定厚度的铁电薄膜。通过该方法制备的铁电薄膜，在制备过程中与硅衬底材料的兼容性高，而且制备的铁电薄膜其应用时的铁电性能具有较高的自发极化、剩余极化值大、抗疲劳性高、保持时间长等特性。
铁电薄膜制备衬底制备技术领域等离子增强硅衬底材料原子层沉积衬底材料低温制备抗疲劳性剩余极化铁电性能制备过程自发极化兼容性预设应用

[发明专利]一种铪基铁电存储器及其制备方法-CN202110683895.3有效
发明人：朱颢;陈佩瑶;刘逸伦;曹园园;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种铪基铁电存储器及其制备方法。该铪基铁电存储器包括多个铪基铁电存储器单元，所述铪基铁电存储器单元包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；铪基铁电体，其为经退火后的铪铝氧薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述铪铝氧薄膜上。基于高质量的铁电HAO薄膜形成非易失性铁电存储器单元，实现了长期保持，高耐用性和稳定的存储特性，以及高剩余极化强度，并利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现了存算一体的功能。
一种铪基铁电存储器及其制备方法

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