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[发明专利]一种移相器用低压高介电可调铁电材料及其制备方法-CN202310660254.5在审
发明人：闫非;廖佳佳;周益春;廖敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明涉及一种移相器用低压高介电可调铁电材料及其制备方法，制备方法包括：步骤1、清洗单晶Si衬底，得到清洗完成的单晶Si衬底；步骤2、在所述清洗完成的单晶Si衬底上制备底电极金属层；步骤3、在所述底电极金属层的上表面制备铁电层，所述铁电层从下至上包括依次层叠的第一HfO2层、ZrO2层和第二HfO2层；步骤4、在所述铁电层上制备顶电极金属层，以得到HfO2基铁电薄膜；步骤5、对所述HfO2基铁电薄膜进行退火处理，得到低压高介电可调铁电材料。本发明所制备的移相器用低压高介电可调铁电材料可以实现多种组成材料优异性能的互补，并且制备温度低至400℃，能够与Si基CMOS工艺表现出良好的兼容性，可实现大面阵、高密度集成。
一种移相器低压高介电可调材料及其制备方法

[发明专利]一种梯度结构氧化铪基铁电薄膜、铁电电容器及制备方法-CN202310744856.9在审
发明人：闫非;廖佳佳;周益春;廖敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度结构氧化铪基铁电薄膜、铁电电容器及制备方法，梯度结构氧化铪基铁电薄膜的结构从下至上依次包括：第一铁电层、第二铁电层、第三铁电层和第四铁电层，且第一铁电层和第四铁电层的组成相同，均为HfxZr(1‑x)O2，第二铁电层和第三铁电层的组成相同，均为Hf(1‑x)ZrxO2，其中0x1，且x≠0.5；Hf元素在组成上自中间层向两侧递减或递增，Zr元素在组成上自中间层向两侧递增或递减。本发明得到的梯度结构氧化铪基铁电薄膜电容器不仅极化强度高、工作电压小、稳定性和可靠性优异，同时其唤醒效应和耐疲劳性能均得到改善，能够提升铁电存储器信息存储的准确性和可靠性。
一种梯度结构氧化铪基铁电薄膜电容器制备方法

[发明专利]一种层状高储能密度和高储能效率陶瓷介质及其制备方法-CN202310670794.1在审
发明人：闫非 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种层状高储能密度和高储能效率陶瓷介质及其制备方法，该陶瓷介质是由第一介质层和第二介质层交替层叠而成的层状结构，第一介质层为高极化强度介质层，材料包括(1‑x‑y)BiFeO3‑xBaTiO3‑yBa(Zn1/2Ta2/3)O3和Bi0.39Na0.36Sr0.25TiO3，其中x＝0.30‑0.40,y＝0.05‑0.15；第二介质层为高耐压强度和高储能效率介质层，材料包括(1‑z)SrTiO3‑zBiFeO3和BaBi2Nb2O9，其中z＝0.25‑0.35；该层状结构的厚度最小为25μm。采用本发明的制备方法可以得到高储能密度和高储能效率的陶瓷介质。
一种层状高储能密度效率陶瓷介质及其制备方法

[发明专利]一种铁电薄膜移相器、晶圆级相控阵芯片系统-CN202310492361.1在审
发明人：廖佳佳;李云鹏;周益春;刘马良;闫非;廖敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电薄膜移相器、晶圆级相控阵芯片系统，包括：衬底层；隔绝信号层位于衬底层上；第一、第二和第三顶层传输线电极间隔分布于隔绝信号层上；其中，第一和第二顶层传输线电极位于隔绝信号层两端，第三顶层传输线电极位于隔绝信号层中间区域；底层传输线电极，位于隔绝信号层内；中间传输线结构位于底层传输线电极中间区域，且邻接第三顶层传输线电极；MIM氧化铪基铁电电容结构位于底层传输线电极两端；金属传输线结构位于MIM氧化铪基铁电电容结构与第一顶层传输电极之间，以及位于MIM氧化铪基铁电电容结构与第二顶层传输电极之间。本发明结构可以实现晶圆一体式集成，其制备完全与现有的CMOS工艺线兼容。
一种薄膜移相器晶圆级相控阵芯片系统

[发明专利]具有多值存储特性的非易失性相变铁电晶体管及制备方法-CN202310176088.1在审
发明人：廖佳佳;王笑麟;廖敏;周益春;闫非 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多值存储特性的非易失性相变铁电晶体管及其制备方法，所述晶体管包括衬底、源极、漏极、介电层、铁电层、相变材料层和栅电极层，其中，所述源极和所述漏极分别嵌入在所述衬底上表面左右两侧；所述介电层、所述铁电层、所述相变材料层和所述栅电极层自下而上依次设置在位于所述源极与所述漏极之间的介电层上表面；所述铁电层采用具有非易失性极化翻转特性的铁电材料。本发明能够在不产生高功耗情况下通过材料的铁电极化和相变实现非易失性多值存储。
具有存储特性非易失性相变晶体管制备方法

[发明专利]基于曲面绝缘栅堆垛结构的铁电存储器件及其制备方法-CN202310201504.9在审
发明人：廖佳佳;贾世杰;周益春;闫非;廖敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于曲面绝缘栅堆垛结构的铁电存储器件，包括衬底、沟道层、源极、漏极以及曲面绝缘栅堆垛结构，其中，沟道层位于衬底的上表面，源极和漏极分别嵌入在沟道层左右两侧，曲面绝缘栅堆垛结构设置在沟道层上表面且位于源极与漏极之间；曲面绝缘栅堆垛结构包括凸状曲面和凹状曲面，且凸状曲面和凹状曲面均包括自下而上依次堆叠的绝缘层、铁电层和栅极金属层，绝缘层界面面积均大于铁电层界面面积。本发明通过曲面栅堆垛结构使得绝缘层界面相对铁电层界面存在更大的有效承受栅极电压区域面积，降低了绝缘层相对于铁电层界面处偶极子的实际分布密度，解决FeFET器件由于反复擦写造成的存储窗口退化和器件的击穿失效问题。
基于曲面绝缘堆垛结构存储器件及其制备方法

[发明专利]一种冰晶图片的自动分类方法-CN201910115964.3有效
发明人：张峰;肖海霞;刘普;杨智鹏;张敬林;闫非 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： G06V10/26 文献下载
摘要：本发明公开一种冰晶图片的自动分类方法，首先将一幅包含多时刻冰晶粒子的大图分割成单一时刻的冰晶粒子图片；根据观察到的冰晶图片数据确定冰晶类别数目，建立冰晶粒子图片数据库；将冰晶粒子数据库分为训练集和测试集两部分，使用卷积神经网络(CNN)模型对其进行训练和测试，并对CNN模型进行调整，保存测试效果最佳的模型；使用保存的模型对冰晶图片进行自动分类。此种方法可解决观测到的冰晶粒子分割问题，可解决使用传统方法对冰晶分类造成的准确率低、费时且带有主观性的问题，可使分割后的冰晶粒子图片实现自动分类。
一种冰晶图片自动分类方法

[实用新型]一种人工增雨防雹火箭定位传输装置-CN202221557453.0有效
发明人：董晓波;吕峰;闫非;杨洋;王晓青;麦榕;曾凡兵;王飞跃 -专利权人：河北省人工影响天气中心;北京信诺飞图科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： F42B12/56 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种人工增雨防雹火箭定位传输装置，其特征在于，包括底座、装置外壳、弹载天线模块、卫星定位模块和数据传输模块，所述弹载天线模块、所述卫星定位模块和所述数据传输模块固定在所述装置外壳内；所述底座内设有三处类L型凹槽，底部设有一弹簧固定连接在所述底座的底面上，所述装置外壳外表面设有三处卡扣凸起，通过所述卡扣凸起和所述凹槽能够将所述装置外壳安装到所述底座上；本实用新型可得到人工增雨防雹火箭真实的弹道轨迹和射程，从而实现火箭发射纠偏功能；同时能够将定位传输装置方便、稳定的安装到火箭弹中，方便对定位传输装置安装和回收。
一种人工增雨防雹火箭定位传输装置

[实用新型]电池密封钉校准装置及校准焊接工装-CN202220242518.6有效
发明人：陈锡春;闫非;叶松涛 -专利权人：联动天翼新能源有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01M50/636 文献下载
摘要：本申请公开一种电池密封钉校准装置及校准焊接工装，所述校准装置用于将待焊接电池的注液孔调整至目标位置，包括：电池托架，用于放置待焊接的电池；校准机构，包括可升降的校准探针，以及位于所述校准探针下方的第一电池托架安装位，所述校准探针用以与待焊接电池的注液孔相配合以校准待焊接电池的位置；所述电池托架可拆卸的安装于所述第一电池托架安装位上，待焊接电池达到标准位置时，待焊接电池的注液孔位于所述校准探针的正下方。本申请的电池密封钉校准装置可辅助工作人员将待加工的电池精准调节到需要的位置。本申请的电池密封钉校准焊接工装便于精准压紧密封钉。
电池密封校准装置焊接工装

[实用新型]用于锂离子电池负极盖板的焊接工装-CN202220242522.2有效
发明人：陈锡春;闫非;刘君安 -专利权人：联动天翼新能源有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B23K26/24 文献下载
摘要：本申请公开一种用于锂离子电池负极盖板的焊接工装，包括：电池载具；盖板载具，连接在所述电池载具上；盖板载具的范围内包含有焊接区域；焊接结构，所述焊接结构上设置有焊接腔，并且所述焊接腔和焊接区域相对应。本申请通过在焊接结构上设置焊接腔，在使用时，焊接腔将连接片和负极盖板的焊接区域包裹在内，可将焊接时产生的铜焊渣限制在焊接腔的范围内，避免铜焊渣飞溅进入电池壳体内部或者负极盖板上，可提高电池的质量。
用于锂离子电池负极盖板焊接工装

[外观设计]垃圾箱（智能垃圾分类装置）-CN202230023967.7有效
发明人：闫非 -专利权人：闫非
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： 09-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：垃圾箱（智能垃圾分类装置）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于分类垃圾箱。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
垃圾箱智能垃圾分类装置

[发明专利]一种陶瓷材料及其制备方法和用途-CN202110184641.7有效
发明人：姚武;施成;魏永起;闫非;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明属于材料领域，具体涉及一种陶瓷材料及其制备方法和用途。本发明中陶瓷材料的通式为(1‑x)(Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3)x(Sr0.7Bi0.2TiO3)，其中0.1≤x≤0.4。本发明通过Sr0.7Bi0.2TiO3对Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3进行适当改性，获得的陶瓷材料同时达到高储能密度和高储能效率，其中高储能效率能够有效避免存储的能量以热的形式释放，延长材料的使用寿命。
一种陶瓷材料及其制备方法用途

[发明专利]一种无铅高储能密度和高储能效率的陶瓷电介质及其制备方法-CN202011156932.7有效
发明人：翟继卫;闫非;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于储能陶瓷介质材料技术领域，提供了一种无铅高储能密度和高储能效率的陶瓷电介质及其制备方法，通过固相反应合成内层陶瓷粉体和外层陶瓷粉体，将粉体进一步制成陶瓷浆料，通过流延成型工艺获得相应的陶瓷膜，将得到的陶瓷膜在不同温度和压力条件下进行加压，最后经1050‑1200℃高温烧结得到具有层状三明治结构的无铅高储能密度和高储能效率的陶瓷电介质，其第一、第三电介质层具有高击穿场强，第二电介质层具有高极化强度；或第一、第三电介质层具有高极化强度，第二电介质层具有高击穿场强。本发明不含铅，制备过程简单、制备工艺稳定、适合工业化批量生产，且耐压特性优异、储能密度和效率高，同时兼具多种材料优异性能于一体。
一种无铅高储能密度高储能效率陶瓷电介质及其制备方法

[发明专利]一种无铅铁酸铋基陶瓷材料及其制备方法-CN202010038508.6有效
发明人：翟继卫;闫非;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种无铅铁酸铋基陶瓷材料，该无铅铁酸铋基陶瓷材料的化学组成为(1‑x)[(1‑y)BiFeO3‑yBaTiO3]‑xNa0.73Bi0.09NbO3+zMn3O4；该无铅铁酸铋基陶瓷材料采用固相反应法和流延成型法进行制备，包括将原料按化学计量比进行配料、一次球磨、经720‑750℃煅烧后得到预合成的粉体，再经过二次球磨、过筛、流延成型等工艺得到铁酸铋基无铅高储能密度和储能效率陶瓷生坯，最后在1000‑1020℃高温烧结后得到无铅铁酸铋基陶瓷材料。与现有技术相比，本发明具有储能密度和储能效率高、烧结温度低、制备工艺稳定、符合电子元器件无铅化发展的要求、实用性高等优点。
一种铅铁酸铋基陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种铋基三明治结构的高储能密度陶瓷及其制备方法-CN202010037452.2有效
发明人：翟继卫;闫非;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种铋基三明治结构的高储能密度陶瓷，所述的高储能密度陶瓷为三层结构，包括化学组成为[Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5]0.96Sr0.04Ti0.99Ta0.01O3(BNKSTT)的最外层(即上下层)和化学组成为(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xSrNb0.5Al0.5O3(BNT‑SNA)的中间层，其中x＝0.20～0.35；制备方法为首先通过固相反应制备中间层和外层粉体，然后将粉体进一步制成陶瓷浆料，通过流延成型工艺获得相应的陶瓷膜，接着将得到的陶瓷膜在不同温度和压力条件下进行加压，最后经1060‑1200℃高温烧结得到产品。与现有技术相比，本发明具有不含有铅元素，制备过程简单、制备工艺稳定、适合工业化批量生产，并且耐压特性优异、储能密度和储能效率高，能够兼具多种材料优异的性能于一体等优点，在脉冲功率器件中拥有广泛的应用前景。
一种三明治结构高储能密度陶瓷及其制备方法

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