专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果11601717个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]高压-CN202211652391.6在审
  • 李伟聪;伍济 - 深圳市威兆半导体股份有限公司
  • 2022-12-21 - 2023-05-05 - H01L29/06
  • 本申请公开一种高压,包括阴极、N型半导体衬底、N型半导体漂移层、第一氧化部、第一P型掺杂部、第P型掺杂部、第氧化部以及阳极,N型半导体衬底设置于阴极上,N型半导体漂移层设置于N型半导体衬底远离阴极的一侧,第一氧化部位于N型半导体衬底中并延伸入部分N型半导体漂移层中,第一P型掺杂部设置于N型半导体漂移层中且与第一氧化部连接,第P型掺杂部设置于N型半导体漂移层远离阴极的一侧,第氧化部位于第P型掺杂部中,并延伸入部分N型半导体漂移层中,阳极设置于第P型掺杂部远离阴极的一侧。
  • 高压二极管
  • [实用新型]高压-CN202223483800.2有效
  • 李伟聪;伍济 - 深圳市威兆半导体股份有限公司
  • 2022-12-21 - 2023-06-02 - H01L29/861
  • 本申请公开一种高压,包括阴极、N型半导体衬底、N型半导体漂移层、第一氧化部、第一P型掺杂部、第P型掺杂部以及阳极,N型半导体衬底设置于阴极上,N型半导体漂移层设置于N型半导体衬底远离阴极的一侧,第一氧化部位于N型半导体衬底并延伸入部分N型半导体漂移层中,第一P型掺杂部设置于N型半导体漂移层中且与第一氧化部连接,第P型掺杂部设置于N型半导体漂移层远离阴极的一侧,阳极设置于第P型掺杂部远离阴极的一侧
  • 高压二极管
  • [实用新型]一种负电位转换部件-CN201120054360.1有效
  • 刘艳新 - 李双喜
  • 2011-03-04 - 2011-09-14 - A61N1/02
  • 本实用新型一种负电位转换部件,包括外壳、第一高压、第高压、第一外部连接线接头、第外部连接线接头五个组成部分。所述外壳为ABS材料,采用注塑的工艺将所述第一高压、第高压、第一外部连接线接头、第外部连接线接头完全密封在所述外壳内,所述第一高压与所述第高压串联连接,所述第一高压和所述第高压耐压值均达到20KV,两个高压互相作为备用,提高其可靠性。
  • 一种电位转换部件
  • [实用新型]高压硅堆-CN201120331604.6有效
  • 梁伟国 - 梁伟国
  • 2011-09-06 - 2012-04-25 - H01L25/07
  • 本实用新型涉及一种微波炉用的高压硅堆。它包括第一高压和第高压,所述第一高压与第高压串联连接形成一个硅堆整体,该硅堆整体设有一输入端子、一输出端子、以及从第一高压和第高压串联处引出的连接端子。本实用新型设计合理,通过预先把多个高压做成组件,并在组件上提供引出端或端子,使得生产的效率大大提高。
  • 高压
  • [实用新型]一种用于微波炉的高压整流电路-CN200820046087.6有效
  • 冯文梯;吴远兴 - 美的集团有限公司
  • 2008-04-08 - 2009-01-14 - H05B6/66
  • 本实用新型是一种用于微波炉的高压整流电路。包括有高压变压器(E)、高压电容器(B)、高压(D),其中高压变压器(E)的高压端和高压电容器(B)、高压(D)组成半波倍压电路,其输出端与磁控管(A)连接,其中高压电容器(B)并接有第高压(G),第高压(G)的阳极端与高压(D)的阳极端连接及与磁控管(A)连接,第高压(G)的阴极端与高压变压器(E)的高压端连接,高压(D)的阴极接地。本实用新型当用作整流作用的高压D发生短路或高压电容器B击穿时,该第高压G都会击穿,使高压变压器E的高压端短路,使主保险丝烧毁,从而起到保护作用。本实用新型成本低,确保高压保护效果更好。
  • 一种用于微波炉高压整流电路
  • [实用新型]一种高压续流模块-CN201620261891.0有效
  • 黄福仁;黄国灿;林勇 - 福建安特微电子有限公司
  • 2016-03-31 - 2016-08-10 - H01L25/11
  • 本实用新型提供了一种高压续流模块,包括壳体和壳体相配合构成腔体的底板,壳体上盖有一盖板,腔体内设有一个高压续流组件,所述高压续流组件包括至少三个高压续流、绝缘基板、第一电极和第电极,至少三个高压续流、绝缘基板和第一电极均设于底板上,第电极设于绝缘基板上,高压续流包括一N型高掺杂硅衬底层、一第一N型掺杂半导体层、一第N型掺杂半导体层、一二极阳极层,三个高压续流极性相同的N型高掺杂硅衬底层与第一电极相连;三个高压续流极性相同的阳极层与第电极相连;第一电极和第电极均引出所述盖板。本实用新型提供的高压续流模块提高了各之间的回路电流的均流性。
  • 一种高压二极管模块
  • [实用新型]微波炉用可恢复过压保护装置-CN201120565407.0有效
  • 梁伟国 - 梁伟国
  • 2011-12-30 - 2012-08-15 - F24C7/08
  • 它包括高压和可恢复的高压,高压和可恢复的高压串联连接,其中高压输出端与可恢复的高压输出端连接。本实用新型设计合理,可恢复的过压保护装置在磁控管启动时如果反向脉冲过高,通过可恢复的反向导通,使得浪涌通过过压保护装置直接到达磁控管阴极,一方面反向串联的高压能够使得微波炉磁控管的工作电流流过高压电容
  • 微波炉可恢复保护装置
  • [实用新型]一种高压变频调速器-CN200920070803.9有效
  • 丁林平 - 威尔凯电气(上海)有限公司
  • 2009-04-21 - 2010-05-26 - H02P27/06
  • 本实用新型提供一种高压变频调速器,该高压变频调速器的功率电源电路包括整流器,连接到由功率一1、功率2、功率三3、功率四4、功率五5和功率六6组成的桥式电路,通过高压电容一7和高压电容8连接由功率场效应一9和保护一11、功率场效应10和保护12、功率场效应三13和保护三15、功率场效应四14和保护四16组成的功率控制单元电路再接电路控制器本实用新型使得高压变频调速器功率电源电路具有更高的安全性和使用寿命。
  • 一种高压变频调速器
  • [实用新型]一种半环形阵列式PCB整流硅堆-CN202222772499.0有效
  • 陈岗;夏冰成 - 鞍山雷盛电子有限公司
  • 2022-10-20 - 2023-02-03 - H01L25/07
  • 本实用新型提供一种半环形阵列式PCB整流硅堆,包括PCB半环形支架、PCB横向支架和高压,所述的PCB半环形支架包括多个,多个PCB半环形支架依次布置,通过PCB横向支架进行固定,相邻的两个PCB半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压;PCB板采用半环形支架,将串联的高压布置在两个PCB半环形支架间,可以串联的高压更多,体积更小,将串联的高压阵列式布置在两个PCB半环形支架间,高压的四周均可散热,从而增加了高压高压的散热空间,散热效果更好,相同体积的情况下,串联的高压更多,使得元件的耐压效果更好。
  • 一种环形阵列pcb整流
  • [实用新型]一种高频高压功率的开关功耗测量系统-CN202222284992.8有效
  • 许铁华 - 江苏皋鑫电子有限公司
  • 2022-08-30 - 2023-01-20 - G01R31/26
  • 本实用新型涉及一种高频高压功率的开关功耗测量系统,包括高频整流电源、直流恒流电源、开关、待试高频高压功率、电压表、正向电流表、反向电流表、温升检测部、脉冲检测部。优点是设计巧妙,使用合理,通过高频整流电源对待试高频高压功率做功得出正向检测电路中的电压电流,反向检测电路中的电压电流,待试高频高压功率表面正常工作时的热平衡稳定温度Ta,脉冲检测得出的一个脉冲周期t、正向导通时间t1、反向截止时间t2;再通过模拟直流恒流电源对待试高频高压功率做功,使待试高频高压功率表面温度达到Ta,得出此时直流电源电压以及电流,得出高频高压功率的开关功耗
  • 一种高频高压功率二极管开关功耗测量系统

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top