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[发明专利]一种高功率因子的线性LED驱动电路-CN201410321451.5有效
发明人：林美玉;王晓飞 -专利权人：广州市力驰微电子科技有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明高功率因子的线性LED驱动电路，其特征在于所述高功率因子的线性LED驱动电路包括4个N型高压管，5个电阻，1个齐纳二极管，3个高压发光二极管，2个比较器，1个跨导运算放大器，1个控制逻辑电路及其电路连接结构，其中第二N型高压管MN2‑第四N型高压管MN4、第一比较器、第二比较器和跨导运算放大器依据输入电压的高低来进行控制第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管的发光与不发光，第一N型高压管MN1设置在集成在LED驱动电路内部的高压启动电路。
一种功率因子线性 led 驱动电路

[发明专利]一种防爆、防短路、无频闪的高压灯带驱动控制电路-CN202010704764.4在审
发明人：汪剑飞 -专利权人：江门市亮剑科技照明有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H05B47/165 文献下载
摘要：本发明公开了一种防爆、防短路、无频闪的高压灯带驱动控制电路，包括电源输入端J1、主控芯片J2、电源输出端J3、整流桥D1、控制芯片U1、变压器T1、保护芯片U3、保护芯片U4、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q4、场效应管Q5、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D4、二极管D5、二极管D8、二极管D9、二极管D12、二极管D13、二极管D14、二极管D15、二极管D17、极性电容C2、极性电容
一种防爆短路无频闪高压驱动控制电路

[发明专利]双向功率阀及其控制方法和使用其的混合多端高压直流系统-CN201580080654.2有效
发明人：杨晓波;贝尔特·伯格达尔;苑春明;姚大伟;杨超 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01H9/54 文献下载
摘要：提供用于发生在高压直流导体中的电流的双向功率阀(1)、用于其的控制方法以及采用双向功率阀的混合多端高压直流系统。双向功率阀(1)包括第一导通方向(D1)的第一功率二极管布置(10)，第二导通方向(D2)的第二功率二极管(11)布置；与第二功率二极管(11)串联连接的机械隔离开关(12)；其中：第一功率二极管布置(10)与串联连接的第二功率二极管布置(11)和机械隔离开关(12)并联连接；并且第一功率二极管布置(10)的第一导通方向(D1)与第二功率二极管布置(11)的第二导通方向(D2)彼此相反。可以以对开关事件定时精度更低要求来实现电流的换向和重换向，这使得机械隔离开关(12)和功率二极管的使用成为可能。因而这将导致成本和功率传输损耗显著降低。
双向功率用于控制方法使用混合多端高压直流系统

[实用新型]一种带有IC功能的高压发光二极管-CN201721535441.7有效
发明人：汤勇 -专利权人：深圳市威尔晟光电有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有IC功能的高压发光二极管，包括支架、多个发光二极管芯片、IC芯片和封装胶，所述多个发光二极管芯片包括三原色发光二极管芯片，所述多个发光二极管芯片和所述IC芯片分别固设于所述支架上，每个所述发光二极管芯片分别与所述IC芯片连接；所述支架周边伸出多个引脚，所述多个引脚包括VOUT稳压引脚，所述VOUT稳压引脚与另一个所述高压发光二极管芯片电性连接。
发光二极管芯片引脚高压发光二极管稳压支架三原色发光二极管本实用新型芯片电性支架周边封装胶固设芯片伸出

[发明专利]降低功率器件反向恢复电流的栅极驱动电路-CN201910406222.6有效
发明人：祝靖;杨柏炜;余思远;陆扬扬;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：该栅极驱动电路包括高压LDMOS管、导通时构成续流通路的二极管或反并联有体二极管的低压MOS管、电压检测电路，功率器件关断时，电感负载产生续流电流流过续流二极管，电压检测电路检测到续流二极管导通，输出信号经控制电路处理后，使驱动电路输出高电平，从而使功率器件、高压LDMOS管的沟道导通，则续流电流从导电沟道流过，几乎不通过续流二极管，此时续流二极管几乎不存在反向恢复电流，从而达到降低功率器件反向恢复电流的目的。
降低功率器件反向恢复电流栅极驱动电路

[发明专利]一种压差保护电路-CN201610450906.2有效
发明人：潘英彬 -专利权人：广州视源电子科技股份有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H02H3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种压差保护电路，包括：第一并联二极管组、第二并联二极管组和压差比较模块；所述第一并联二极管组包含的每一个二极管的阳极均与所述压差比较模块的低压输入端连接，所述第一并联二极管组包含的每一个二极管的阴极用于与所述LED均流电路中的一路LED灯串的非共极端连接；所述第二并联二极管组包含的每一个二极管的阴极与所述压差比较模块的高压输入端连接，所述第二并联二极管组包含的每一个二极管的阳极用于与所述LED均流电路中的一路
一种保护电路

[发明专利]高压肖特基二极管及其制作方法-CN201110339641.6有效
发明人：顾力晖 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高压肖特基二极管及其制作方法，该二极管包括：P型衬底及其表面内的两个N型埋层，第一N型埋层位于阴极引出区的下方，第二N型埋层位于阴极区的下方；外延层；位于外延层表面内的两个N型阱区，第一N型阱区为该肖特基二极管的横向漂移区，且其表面内具有一阴极引出区，第二N型阱区位于第二N型埋层表面上，为该肖特基二极管的阴极区；位于第二N型埋层表面上，且包围所述阴极区的第一P型阱区；位于横向漂移区表面上的场氧隔离区该肖特基二极管能够承受高压，可用作自举二极管，其制作过程与CMOS工艺兼容，从而可将该肖特基二极管集成在高压集成电路中。
高压肖特基二极管及其制作方法

[实用新型]高压气体放电灯用电子控制器灯寿命终结保护电路-CN201620418210.7有效
发明人：武广法 -专利权人：青岛三华惠海电子有限公司
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H05B41/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了高压气体放电灯用电子控制器灯寿命终结保护电路，包括灯电压取样电路，灯电压取样电路提取输出装置的灯电压后连接稳压二极管的负极，稳压二极管的正极连接二极管D的正极，二极管D的负极连接可控硅的控制极本实用新型的电路结构简单，判断准确，且能够在高压气体放电灯寿命即将终结时起保护作用。保障了高压气体放电灯的使用者的安全。
高压气体放电灯用电控制器寿命终结保护电路

[发明专利]一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法-CN201810256911.9有效
发明人：林志伟;陈凯轩;卓祥景;吴奇隆;李俊贤 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，所述高压发光二极管包括：第一部分和第二部分，其中，第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结，通过隧穿结作用，第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层，再通过第一透明导电层，实现两个发光二极管的发光结构不同类型导电层同侧分布且水平桥接；而不同高压发光二极管结构中的第一部分和第二部分通过第二透明导电层连接，同样也是不同类型导电层同侧的水平桥接，解决了传统高压发光二极管在桥接过程中，存在高度差，而造成的高压发光二极管性能较差的问题。
一种具有水平结构高压发光二极管及其制作方法

[发明专利]具有交流回路发光二极管晶粒结构-CN200410074449.9有效
发明人：林明德;黄斐章;郭家泰 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-09-15 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有交流回路发光二极管晶粒结构，利用至少一组的交流微晶粒发光二极管形成于芯片(chip)上，交流微晶粒发光二极管利用晶粒制造工艺制作出两个微小的发光二极管反向正负并联，而可施加交流电，使两发光二极管依正负半波驱动点亮，由于具有交流回路发光二极管正负电压都使用于发光皆具顺向特性，可使发光二极管结构不仅可直接接收交流电使用，同时具备有耐高压及静电击穿保护的功能。
具有交流回路发光二极管晶粒结构

[实用新型]微波炉电源电路以及微波炉-CN201820387515.5有效
发明人：马长林;张荣宝 -专利权人：深圳戴普森新能源技术有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波炉电源电路以及微波炉，所述微波炉电源电路包括依次连接的输入端整流滤波电路、开关电路、变压器和倍压整流电路；所述倍压整流电路包括多个驱动二极管和多个电容；每个驱动二极管包括多个串联连接的整流二极管，每个整流二极管与分压电阻并联连接。本实用新型通过多个串联连接的整流二极管以及分压电阻构成的驱动二极管，解决了现有微波炉开关电源中的高压驱动二极管存在的成本高、温升大问题。
微波炉电源电路驱动二极管整流二极管倍压整流电路本实用新型分压电阻微波炉输入端整流滤波电路微波炉开关二极管并联连接多个电容高压驱动开关电路依次连接温升变压器电源

[发明专利]一种二极管钳位功率开关串联高压逆变器及其拓扑结构-CN201510958459.7有效
发明人：高聪哲;李星宇;刘向东;陈振 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明公开的一种二极管钳位功率开关串联高压逆变器及用于二极管钳位功率开关串联高压逆变器的拓扑结构，属于电力电子应用技术领域。本发明还公开基于上述的拓扑结构实现的一种二极管钳位功率开关串联高压逆变器和一种三相二极管钳位功率开关串联高压逆变器。本发明要解决的技术问题是提供一种可实现串联功率开关的两端电压均衡，并限制功率开关两端电压，满足高压大功率应用的二极管钳位功率开关串联高压逆变器及相应的拓扑结构。
一种二极管功率开关串联高压逆变器及其拓扑结构

[发明专利]一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路-CN201910528611.6有效
发明人：刘马良;刘秉政;黎雄政;胡进;朱樟明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路，包括单光子雪崩二极管SPAD和高压电压端HVDD，单光子雪崩二极管SPAD的阴极与高压电压端HVDD连接，用于产生雪崩电流脉冲；还包括：淬灭复位单元，与单光子雪崩二极管SPAD连接，用于淬灭并复位单光子雪崩二极管SPAD，并根据雪崩电流脉冲产生脉冲电压信号；电源单元VDD，用于为淬灭复位单元与提供电源。
一种应用于光子雪崩二极管快速有源电路

[发明专利]一种高压快恢复二极管芯片生产工艺-CN201410551171.3有效
发明人：孙澜;单慧;朱军;刘韵吉;杨敏红 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压快恢复二极管芯片生产工艺，属于半导体芯片领域。一种高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从下向上依次为芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极。特殊钝化层包含电场限制环。芯片生产工艺采用电场限制环的方法，成功调制快恢复二极管表面电场，在同样条件下，增加了快恢复二极管的耐压；采用特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流。它具有开关损耗低，击穿电压高，漏电流小，反向功耗少的优点，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。
一种高压恢复二极管芯片及其生产工艺

[实用新型]一种高压快恢复二极管芯片-CN201420600978.7有效
发明人：孙澜;单慧;朱军;刘韵吉;杨敏红 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压快恢复二极管芯片，属于半导体芯片领域。一种高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从下向上依次为芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极。特殊钝化层包含电场限制环。芯片生产工艺采用电场限制环的方法，成功调制快恢复二极管表面电场，在同样条件下，增加了快恢复二极管的耐压；采用特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流。它具有开关损耗低，击穿电压高，漏电流小，反向功耗少的优点，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。
一种高压恢复二极管芯片