专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种平坦化绝缘及制作方法-CN202110302613.0在审
  • 陈宇怀 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-03-22 - 2021-08-06 - H01L21/77
  • 本发明公布一种平坦化绝缘及制作方法,其中平坦化绝缘包括金属绝缘;所述金属设置在基板上;所述绝缘包括下层绝缘和上层绝缘,所述下层绝缘设置在基板上,并围绕金属,所述下层绝缘顶部和所述金属顶部相平,所述上层绝缘覆盖所述下层绝缘和所述金属,所述上层绝缘顶部平整。上述技术方案绝缘顶部保持在同一水平高度,避免产品的品质受到影响。由于绝缘顶部平坦,之后不再需要考虑段差处的膜厚度与平坦区域存在差异所带来的工艺兼容性的影响,有利于达到基板各区域线宽及间距的一致性,可以提高工艺精度,提高良率。
  • 一种平坦绝缘制作方法
  • [实用新型]一种平坦化绝缘-CN202120576742.4有效
  • 陈宇怀 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-03-22 - 2021-11-19 - H01L21/77
  • 本实用新型公布一种平坦化绝缘,包括金属绝缘;所述金属设置在基板上;所述绝缘包括下层绝缘和上层绝缘,所述下层绝缘设置在基板上,并围绕金属,所述下层绝缘顶部和所述金属顶部相平,所述上层绝缘覆盖所述下层绝缘和所述金属,所述上层绝缘顶部平整。上述技术方案绝缘顶部保持在同一水平高度,避免产品的品质受到影响。由于绝缘顶部平坦,之后不再需要考虑段差处的膜厚度与平坦区域存在差异所带来的工艺兼容性的影响,有利于达到基板各区域线宽及间距的一致性,可以提高工艺精度,提高良率。
  • 一种平坦绝缘
  • [发明专利]一种双层通风散热的柔性线路板-CN201610570232.X在审
  • 丁云飞 - 苏州福莱盈电子有限公司
  • 2016-07-20 - 2016-11-23 - H05K1/02
  • 本发明公开了一种双层通风散热的柔性线路板,包括:顶部绝缘和底部绝缘,所述顶部绝缘设置在底部绝缘的上方,所述顶部绝缘和底部绝缘之间设置有线路,所述顶部绝缘中间隔设置有数根第一散热管,所述底部绝缘中间隔设置有数根第二散热管,所述顶部绝缘上设置有数个元件,所述元件分别与线路进行线性连接,所述顶部绝缘上设置有位于元件下方的工艺孔。通过上述方式,本发明所述的双层通风散热的柔性线路板,利用第一散热管和第二散热管外接通风设备,对顶部绝缘和底部绝缘进行散热,噪音小,效率高,从而带走了元件和线路上的热量,提升了元件与线路的使用稳定性
  • 一种双层通风散热柔性线路板
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010692723.8在审
  • 黄则尧 - 南亚科技股份有限公司
  • 2020-07-17 - 2021-03-30 - H01L27/06
  • 该半导体装置包括一栅极结构,其包括内凹设置的一栅极底部绝缘、一栅极顶部绝缘设置于该栅极底部绝缘上、一栅极顶部导电设置于该栅极顶部绝缘上以及一栅极填充设置于该栅极顶部导电上,以及一电容结构,包括内凹设置的一电容底部绝缘、一电容底部导电设置于该电容底部绝缘上、一电容顶部绝缘设置于该电容底部导电上、一电容顶部导电设置于该电容顶部绝缘上以及一电容填充设置于该电容顶部导电上。该栅极底部绝缘和该电容底部绝缘是由相同材料所形成。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [实用新型]一种散热型双层线路板-CN201721289592.9有效
  • 张伟 - 苏州福莱盈电子有限公司
  • 2017-10-09 - 2018-04-13 - H05K1/02
  • 本实用新型公开了一种散热型双层线路板,包括上线路、下线路顶部绝缘和底部绝缘,所述上线路和下线路之间设置有中间粘结,所述顶部绝缘中设置有顶部散热,所述顶部绝缘上设置有指向顶部散热顶部散热孔,所述底部绝缘中设置有底部散热,所述底部绝缘上设置有指向底部散热的底部散热孔,所述上线路顶部绝缘顶部散热之间通过沿竖直方向设置的若干个顶部绝缘柱连接,所述下线路、底部绝缘和底部散热之间通过沿竖直方向设置的若干个底部绝缘柱连接
  • 一种散热双层线路板
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510287320.4有效
  • 胡志玮;叶腾豪 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2015-05-29 - 2019-07-05 - H01L27/11568
  • 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置包括一基板、一底部绝缘、二叠结构、一电荷捕捉结构以及一通道。底部绝缘设置于基板上。叠结构设置于底部绝缘上。叠结构包括多个半导体绝缘、一顶部绝缘及一高掺杂半导体。半导体绝缘交替叠于底部绝缘上。顶部绝缘设置于半导体绝缘上。高掺杂半导体设置于顶部绝缘上。电荷捕捉结构设置于各叠结构的一侧表面及底部绝缘的一上表面上。通道设置于电荷捕捉结构上,并直接接触高掺杂半导体
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器及其制备方法-CN201911410058.2在审
  • 刘景全;洪雯 - 上海交通大学
  • 2019-12-31 - 2020-05-12 - A61B18/02
  • 本发明提供了一种基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器,包括可延展基底层、底部绝缘、金属顶部绝缘;其中,可延展基底层位于结构最底层;底部绝缘设置于可延展基底层的上;金属设置于底部绝缘的上方;顶部绝缘设置于金属的上方;底部绝缘、金属顶部绝缘的形状呈蜿蜒状延伸,用以增强其延展性。本发明传感器贴附于其他物体,随其他物体表面的伸缩被重复拉伸收缩后,基于基底层本身的可延展性以及蜿蜒状的底部绝缘、金属顶部绝缘的延展性,该传感器可以正常工作。
  • 基于蜿蜒柔性mems延展传感器及其制备方法
  • [发明专利]一种层状结构的电池漏液检测装置-CN202211293786.1在审
  • 郑益;王浩;徐剑虹;钱程隆 - 杭州高特电子设备股份有限公司
  • 2022-10-21 - 2022-12-23 - H01M10/48
  • 本发明涉及电池领域,尤其是一种片状结构的电池漏液检测装置,包括:底部绝缘、中间绝缘顶部绝缘,底部绝缘、中间绝缘顶部绝缘的外周上形成有进液口;底部绝缘和中间绝缘的连接处设置有第一检测元件,中间绝缘顶部绝缘的连接处设置有第二检测元件,第一检测元件和第二检测元件均由导电材料制成,并且第一检测元件和第二检测元件之间彼此不接触;第一检测元件的第一采集端向上延伸到顶部绝缘的外表面上,第一检测元件的第一检测端位于进液口中;第二检测元件的第二采集端向上延伸到顶部绝缘的外表面上,第二检测元件的第二检测端位于进液口中。
  • 一种层状结构电池检测装置
  • [发明专利]一种层状结构的电池漏液检测装置-CN202211634579.8在审
  • 郑益;王浩;徐剑虹;钱程隆 - 杭州高特电子设备股份有限公司
  • 2022-12-19 - 2023-06-06 - G01M3/16
  • 本发明涉及电池领域,尤其是一种片状结构的电池漏液检测装置,包括:底部绝缘、中间绝缘顶部绝缘,底部绝缘、中间绝缘顶部绝缘的外周上形成有进液口;底部绝缘和中间绝缘的连接处设置有第一检测元件,中间绝缘顶部绝缘的连接处设置有第二检测元件,第一检测元件和第二检测元件均由导电材料制成,并且第一检测元件和第二检测元件之间彼此不接触;第一检测元件的第一采集端向上延伸到顶部绝缘的外表面上,第一检测元件的第一检测端位于进液口中;第二检测元件的第二采集端向上延伸到顶部绝缘的外表面上,第二检测元件的第二检测端位于进液口中。
  • 一种层状结构电池检测装置
  • [实用新型]一种耐候性好不易损坏的绝缘-CN202122207242.6有效
  • 陈莉 - 陈莉
  • 2021-09-13 - 2022-06-03 - B32B25/20
  • 本实用新型公开了一种耐候性好不易损坏的绝缘板,包括板体,所述板体包含有底层、第一绝缘、强度、第二绝缘、外包层和耐腐蚀,所述底层、第一绝缘、强度和第二绝缘均位于外包层的内腔,所述第二绝缘位于强度顶部,所述强度层位于第一绝缘顶部,所述第一绝缘位于底层的顶部,所述耐腐蚀层位于外包层的外表面,所述底层为硅橡胶,所述第一绝缘为聚乙烯塑料,所述强度聚氨酯橡胶,所述第二绝缘为玻璃纤维。本实用新型设置了板体、底层、第一绝缘、强度、第二绝缘、外包层和耐腐蚀,解决了传统的绝缘垫强度不高,弹性不好,耐候性不好,易损坏的问题。
  • 一种耐候性好不易损坏绝缘
  • [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202011279740.5有效
  • 郭振;长江;董明;吴佳佳;武俞刚;卢露 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-11-16 - 2022-04-19 - H01L27/11524
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法,先形成包括存储区和阶梯区的堆叠,再刻蚀掉存储区顶部的至少两对绝缘间牺牲,在刻蚀后的堆叠上形成一绝缘,接着去除位于阶梯区顶部的所述绝缘,最后去除位于阶梯区顶部间牺牲,同时使堆叠的表面平坦化。这样在存储区的顶部绝缘,在阶梯区的顶部还是绝缘间牺牲交替堆叠的结构,可以大大降低刻蚀台阶时的工艺难度。另外,通过先将阶梯区的绝缘去除,后续进行化学机械研磨时,在存储区顶部绝缘与阶梯区顶部的堆叠结构交界处,可以减少形成凹槽、凸起或高度差等缺陷。
  • 一种半导体器件及其制备方法

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