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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110205686.8在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括衬底以及位于衬底上的鳍部，衬底包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，第一器件的沟道宽度小于第二器件的沟道宽度；隔离层，位于鳍部露出的衬底上且覆盖鳍部的部分侧壁；器件栅极结构，位于隔离层上且横跨鳍部，器件栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；鳍部侧墙，位于第一区域中的器件栅极结构下方，鳍部侧墙覆盖隔离层露出的鳍部的部分侧壁。本发明在鳍部侧墙的作用下，使第一区域中受器件栅极结构控制的鳍部高度变小，第一区域的鳍部的有效沟道宽度相应变小，从而实现第一器件和第二器件具有不同沟道宽度的效果，提高了调节器件有效沟道宽度的灵活性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种收发一体式光模块耦合点胶机-CN202210258379.0在审
发明人：赵超;柯晓玉 -专利权人：东莞市耀野自动化有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及耦合机技术领域，尤其是指一种收发一体式光模块耦合点胶机，包括定位耦合台、接收插拔耦合装置、点胶装置、发射插拔耦合装置和光固化装置，定位耦合台设有线路板定位结构、接收光路器件插装结构及发射光路器件插装结构，接收光路器件插装结构和发射光路器件插装结构分别位于线路板定位结构的两侧，接收光路器件插装结构和发射光路器件插装结构分别与接收插拔耦合装置和发射插拔耦合装置配合使用。本申请自动化地实现了接收光路器件和发射光路器件分别与对应的光纤连接器件进行插拔工作以及同步完成接收光路器件和发射光路器件的贴装，提高了生产收发一体式光模块的效率，且线路板的位置精度高和稳定性好，提高了生产的质量
一种收发体式模块耦合点胶机

[发明专利]ANPC型三电平逆变器的控制方法和系统-CN202210582815.X在审
发明人：张志;郑照红;赵德勇;胡期峰 -专利权人：江苏天合储能有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：ANPC型三电平逆变器包括三相桥臂，每一相桥臂分别包括六个开关器件，控制方法包括如下的步骤：步骤S1：获取ANPC型三电平逆变器的控制指令，控制指令包括放波指令、封波指令和/或换流指令；以及步骤S2：根据控制指令控制六个开关器件的导通和关断，其中，当控制指令为封波指令时，执行如下步骤S21～S23：步骤S21：关闭第一开关器件和第四开关器件，并同时导通第五开关器件和第六开关器件；步骤S22：关闭第二开关器件和第三开关器件；以及步骤S23：关闭第五开关器件和第六开关器件。本发明的ANPC型三电平逆变器的控制方法和系统，可以防止不同开关器件的过压失效，保护电路的安全性和稳定性。
anpc 电平逆变器控制方法系统

[发明专利]热传感器和温度测量的方法-CN202210405184.4在审
发明人：洪照俊;刘思麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01K17/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种热传感器，包括：第一温度敏感器件，生成第一温度依赖性信号，其中，第一温度敏感器件的两个支路电路中的每个包括带隙热感测器件和电流源，每个带隙热感测器件适于响应于通过带隙热感测器件的电流而生成信号；第二温度敏感器件，适于生成第二温度依赖性信号，其中，第二温度敏感器件包括单个带隙热感测器件和电流源，单个带隙热感测器件适于响应于通过单个带隙热感测器件的电流生成信号；信号处理电路，连接至第一温度敏感器件的两个支路电路
传感器温度测量方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011332682.8在审
发明人：蔡巧明 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区，第一器件的沟道长度大于第二器件的沟道长度；在基底上形成多晶硅栅极层，第一器件区的多晶硅栅极层包括底部多晶硅栅极层和凸出于底部多晶硅栅极层的多个顶部多晶硅栅极层；在多晶硅栅极层侧部的基底上形成层间介质层，层间介质层还覆盖底部多晶硅栅极层，并露出第二器件区的多晶硅栅极层顶部；去除第二器件区的多晶硅栅极层形成栅极开口；在栅极开口中形成金属栅极层。本发明在第一器件区形成指状的多晶硅栅极层，从而在形成金属栅极层的过程中，有利于改善第一器件区的多晶硅栅极层的顶面凹陷问题。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]OLED显示面板及其制作方法、OLED显示模组-CN202210122710.6在审
发明人：施国龙;谢伟佳;李伟 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该OLED显示面板包括TFT阵列基板及发光器件层。TFT阵列基板包括位于像素区中的TFT。发光器件层设于TFT阵列基板上，且发光器件层包括位于像素区中并与TFT连接的第一发光器件，及位于透光区中并与第一发光器件连接的第二发光器件。第二发光器件包括第一透明电极、设于第一透明电极上的第二OLED功能层，及设于第二OLED功能层上的第二透明电极。即本申请通过在透光区中设置第二发光器件，第二发光器件不仅可以双面出光，并且第二发光器件还与像素区中的第一发光器件连接，不需要在透光区中设置驱动电路，减少了挡光结构，从而提高CUP区的透过率，进而提高感光元件的感光效果
oled 显示面板及其制作方法模组

[发明专利]一种采集终端中RS485芯片的隔离保护电路、模块、芯片-CN202210591771.7在审
发明人：朱林;张孟;王勇;左勇;张赢 -专利权人：安徽南瑞中天电力电子有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H04B15/00 文献下载
摘要：该隔离保护电路包括隔离滤波电路、串口端保护器件，差分端保护器件。其中，隔离滤波电路包括隔离器件和滤波器件；隔离器件与RS485芯片电连接。滤波器件包括第一滤波电路、第二滤波电路和第三滤波电路。串口端保护器件连接在RS485芯片和隔离器件的串口端接口上。串口端保护器件用于泄放RS485串口管脚上的干扰信号。差分端保护器件连接在RS485芯片的差分端A、B上。差分端保护器件由4个限流电阻，3个瞬态抑制二极管，2个ESD二极管，上拉电阻、下拉电阻、热敏电阻、以及电容构成。本发明解决了RS485接口通信稳定性不足、抗干扰性能较差的问题。
一种采集终端 rs485 芯片隔离保护电路模块

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202210951642.4在审
发明人：李巍;夏景成;刘俊哲 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及显示装置，包括多个发光器件，发光器件包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件；当亮度小于第一预设亮度时，在第一预设灰阶下，第一发光器件的归一化发光效率大于第一归一化发光效率且第二发光器件的归一化发光效率大于第二归一化发光效率，和/或，第三发光器件的归一化发光效率小于第三归一化发光效率；当亮度大于第一预设亮度时，在第一预设灰阶下，第一发光器件的归一化发光效率小于第一归一化发光效率且第二发光器件的归一化发光效率小于第二归一化发光效率，和/或，第三发光器件的归一化发光效率大于第三归一化发光效率。
显示面板显示装置

[发明专利]像素单元及其制作方法、微显示屏、像素级分立器件-CN202310742884.7在审
发明人：杨志祥;王亚洲;邵明镜 -专利权人：诺视科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请公开像素单元及其制作方法、微显示屏、像素级分立器件，像素单元包括驱动背板及显示单元；显示单元设于驱动背板上，显示单元包依次垂直堆叠的第一器件层、第二器件层及第三器件层，第一器件层包括至少一个第一子像素，第二器件层包括至少一个第二子像素，第三器件层包括至少一个第三子像素，任一第一子像素、任一第二子像素或任一第三子像素在驱动背板上的投影位于其上方任一子像素在驱动背板上的投影内；第一器件层在工作状态下发出红光，第二器件层在工作状态下发出绿光，第三器件层在工作状态下发出蓝光；本申请像素单元采用垂直同轴堆叠有效提高像素密度，并且能通过调节不同器件层中子像素的体积大小以满足不同的配色需求。
像素单元及其制作方法显示屏分立器件

[发明专利]真空和常压环境SiC MOSFET器件加速老化试验平台-CN202310417773.9在审
发明人：杜雄;刘强强;任宏宇;王振业;周君洁;余瑶怡;陈锐 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空和常压环境SiC MOSFET器件加速老化试验平台，包括加热控制单元、检测控制单元、数据采集模块、置于真空环境中的第一待测器件DUT1以及置于常压环境中的第二待测器件DUT2；加热控制单元与检测控制单元并联，第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2串联后与加热控制单元和检测控制单元并联；数据采集模块分别与第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2连接，用于采集第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2的实验数据本发明能够同时在真空和常压环境下对SiC MOSFET器件进行加速老化，且保证了散热方式、加热和测量电流等其它变量的一致性，保证了试验数据的可对比性，确保最终能够准确的分析真空环境对SiC MOSFET器件老化的影响。
真空常压环境 sic mosfet 器件加速老化试验平台

[发明专利]显示基板和显示装置-CN202310629294.3在审
发明人：刘兴华;张晓晋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10K59/35 文献下载
摘要：本公开的显示基板包括设置在衬底基板上的第一颜色发光器件、第二颜色发光器件和第三颜色发光器件；在第一工作温度，第一颜色发光器件和第二颜色发光器件之间的电流效率比值的差值与第一工作温度和基准温度的差值的乘积的范围为0‑8.2，第一颜色发光器件和第三颜色发光器件之间的电流效率比值的差值与第一工作温度和基准温度的差值的乘积的范围为0‑11；在第二工作温度，第一颜色发光器件和第二颜色发光器件之间的电流效率比值的差值与第一工作温度和基准温度的差值的乘积的范围为0‑15.4；第一颜色发光器件和第三颜色发光器件之间的电流效率比值的差值与第一工作温度和基准温度的差值的乘积的范围为0‑21.6。
显示显示装置

[发明专利]像素单元及其制作方法、微显示屏、像素级分立器件-CN202310518051.2在审
发明人：王亚洲;杨志祥;邵明镜 -专利权人：诺视科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请公开像素单元及其制作方法、微显示屏、像素级分立器件，像素单元包括驱动背板及设于驱动背板上的显示单元，显示单元包括沿远离驱动背板的方向依次垂直堆叠设置的第一器件层、第二器件层及第三器件层；第一器件层、第二器件层及第三器件层中的任一器件层包括堆叠层，堆叠层包括至少一个子像素及至少一个导电层，任一子像素设于相应的导电层远离驱动背板的一侧；任一子像素为半球形结构或半椭球型结构；任一器件层包括的任一子像素与其余器件层包括的任一子像素在驱动背板上的投影不重合；本申请中的像素单元通过垂直堆叠至少三层器件层实现多色化显示以提高像素密度，且有效避免光致激发带来的杂色现象并避免光损耗，提高像素单元性能。
像素单元及其制作方法显示屏分立器件

[发明专利]双工器及其制造方法、以及多工器-CN202310191563.2在审
发明人：唐滨;赖志国;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种双工器，包括：封装基板以及设置在封装基板上的一堆叠结构；堆叠结构包括衬底、N个器件层以及信号引出结构，N个器件层纵向堆叠在衬底上且每一器件层均包括器件区和盖帽结构，N是整数且N≥2；针对于直接形成在衬底上的器件层来说，其中的器件区与衬底共同构成一个以上的谐振器；针对于非直接形成在衬底上的器件层来说，其中的器件区与相邻器件层中的盖帽结构共同构成一个以上的谐振器；每一器件层中的盖帽结构和器件区之间形成有空腔；堆叠结构中的谐振器用于构建发射滤波器和接收滤波器
双工器及其制造方法以及多工器

[发明专利]一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法-CN202211113585.9在审
发明人：陈凡;楼建设;刘大鹏;刘寅傲;王兰来 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法，其特征在于，包括下述步骤：S1，制备三种封装结构的LED器件，LED器件I芯片裸露，LED器件II芯片表面覆盖硅胶，LED器件III芯片表面覆盖荧光胶；S2，与三种器件对应分别建立三种光学和热学结构不同的模型；S3，积分球分别测试LED器件II和LED器件III的光辐射功率，分别获得LED器件III的芯片发热功率和荧光胶发热功率；S4：使用瞬态热阻法测试三种器件的芯片结温和芯片PN结‑环境整体热阻；S5，根据结构差异法，获得LED器件III的荧光胶最高温度。本发明获得LED器件III的荧光胶最高温度，解决了传统方法无法测试LED芯片表面荧光胶最高温度的不足，避免了荧光胶温度过高对LED发光效率和封装可靠性的影响。
一种结构差异获取 led 荧光最高温度方法

[发明专利]一种CMOS结构的形成方法及CMOS结构-CN202310092505.4在审
发明人：王定树;朱作华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS结构的形成方法，包括步骤：提供包括PMOS器件区和NMOS器件区的衬底，在PMOS器件区和NMOS器件区上形成有栅极结构；在衬底和栅极结构上形成氮化物层，并对氮化物层进行第一次刻蚀，以在栅极结构的两侧形成第一侧墙；形成氧化物层，并对氧化物层进行第二次刻蚀，以在第一侧墙外形成第二侧墙；形成仅暴露PMOS器件区的图案化光阻层；以图案化光阻层为掩膜，对PMOS器件区进行第三次刻蚀，以去除PMOS器件区的第二侧墙。本发明提供的CMOS结构的形成方法可形成较小侧墙宽度的PMOS器件和较大侧墙宽度的NMOS器件，可有效降低NMOS器件的热载流子注入效应的同时，提高PMOS器件的饱和电流，从而提高CMOS结构的性能。
一种 cmos 结构形成方法