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[发明专利]一种靶材的制备方法-CN201811138751.4有效
发明人：李喜峰;杨祥;姜姝;潘成超;蒋文亚;李阿杰;谈艳阳 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种靶材的制备方法，其步骤包括依次制备粉末氧化物、球磨料、坯料、靶材坯体、靶材成品；其中靶材原料通过冷等静压成形得到靶材坯体，将靶材坯体放在氧气和空气的混合气氛下进行阶段升温烧结，烧结时混合气氛中的氮气和氧气补充了靶材烧结过程中氧化物的氧化还原过程，能够减少靶材的宏观及微观空隙，减少靶材裂纹和缺陷，减少后期磁控溅射时的靶材结瘤现象。本发明制备的ITO靶材相对致密度为99.7％，电阻率为1.38μΩ·cm，使用该靶材进行磁控溅射时贴合率达到99％，连续溅射100h后靶材表面结瘤率不超过10％。
一种制备方法

[实用新型]一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置-CN201520480160.0有效
发明人：耿国凌;由龙;陈帅;王洪浜;邹威 -专利权人：山东金鼎电子材料有限公司
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，包括密封腔体，以及设置于密封腔体内的放卷辊、收卷辊、镀膜主辊与靶材，放卷辊与收卷辊分别位于密封腔体内两侧，镀膜主辊处于收卷辊与放卷辊之间的下方，所述靶材包括有第一靶材与第二靶材本实用新型通过将靶材都设于密封腔体壁面上，利用氧化物自身的重量和密封腔体内气流的流动，使得氧化物溅落在无效溅射区，减少了溅射结瘤，提高ITO薄膜透过率，降低雾度和表面电阻，使产品性能更稳定，并且提高了靶材的利用率，降低了工人对靶材的清洁次数，节约了生产成本和生产时间。
一种改善靶材结瘤 ito 薄膜生产装置

[发明专利]一种不易结瘤的ITO溅射靶材及其制备方法-CN202010493265.5有效
发明人：张科;黄田奇;池铭浩;李强 -专利权人：福建阿石创新材料股份有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明提供了一种不易结瘤的ITO溅射靶材及其制备方法，属于靶材制备技术领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤：将脱脂后的ITO靶坯依次进行第一烧结和第二烧结，冷却后得到不易结瘤的ITO溅射靶材；所述第一烧结和第二烧结均在氧气通入的条件下进行；所述第一烧结的温度为1250～1350采用本发明方法制备的ITO溅射靶材，靶材致密，晶粒尺寸均匀，且无偏析，具有优异的抗结瘤性能。
一种不易 ito 溅射及其制备方法

[发明专利]低结瘤氧化铟锡靶材的制备方法-CN201811505302.9在审
发明人：孙本双;何季麟;舒永春;曾学云;陈杰;李庆奎;杨淑敏;刘洋;梁鹏;赵旭;齐超;张雨;仇晨 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了低结瘤氧化铟锡靶材的制备方法，该方法包括，氧化铟粉体、氧化锡粉体研磨混匀，得到混合粉体；混合粉体与料浆液混合，真空除气，得到料浆；料浆在压力下注入成型模具，冷等静压强化，得到靶材素坯；靶材素坯在恒温恒湿环境中干燥，在空气气氛下程序升温至脱脂温度，保持设定的时间，在氧气气氛下程序升温至烧结温度，保持设定时间；停止通入氧气，程序降温至室温，得到氧化铟锡靶材。本方法的烧结温度低，烧结时间大大缩短，有效抑制了晶粒长大，保证了氧化铟锡靶材晶粒细小、分布均匀，平均晶粒度为4～6μm；相对密度大于99.6％；电阻率低至1.24×10^‑4Ω.cm，具有长时间溅射结瘤低、不中毒的优异性能。
氧化铟锡靶材烧结结瘤程序升温混合粉体靶材料浆素坯制备恒温恒湿环境平均晶粒度氧化锡粉体氧化铟粉体程序降温晶粒长大空气气氛冷等静压氧气气氛优异性能有效抑制真空除气注入成型晶粒脱脂研磨电阻率料浆液混匀溅射模具氧气保证

[发明专利]异质结太阳电池生产系统及靶材清理机构-CN202111487569.1在审
发明人：魏科胜;薛建锋;余义 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结太阳电池生产系统及靶材清理机构，需要对靶材进行清理时，驱动组件带动清理环沿靶材的延伸方向移动，从而使得靶材插入清理腔内，进而能够利用至少两个清理件对靶材的表面进行清理，能够将搭在靶材与挡板之间的破损的硅片的碎片进行清理，避免靶材发生短路；同时，还能够对靶材表面上的粉尘进行清理，减少溅射过程中的原核点，还能减少靶材结瘤，提高镀膜品质，生产的薄膜的性能优良；并且，不需进行降温开腔清理，从而不需在清理后进行抽真空与升温，生产效率高
异质结太阳电池生产系统清理机构

[发明专利]一种IWO靶材及其制备方法与应用-CN202110805830.1在审
发明人：刘永成;陈明飞;郭梓旋;徐胜利;江长久;陈明高;莫国仁;王志杰;李跃辉 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种IWO靶材及其制备方法与应用，该靶材IWO靶材包含氧化铟和氧化钨；所述氧化钨的含量以W/(In+W)的原子数比计为0.1～0.15；所述IWO靶材的密度为6.5g/cm靶材，导电性好且透光率高；同时还解决镀膜过程中产生中毒结瘤问题而异常放电而造成生产效率低的问题；将本发明的靶材应用于太阳能电池中，提升了太阳能电池转化效率。
一种 iwo 及其制备方法应用

[发明专利]一种烧结装置及一种氧化物陶瓷靶材的制备方法-CN201911317215.5有效
发明人：李喜峰;于正航;张建华;陈龙龙;姜姝 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及靶材制备技术领域，提供了一种烧结装置及一种氧化物陶瓷靶材的制备方法。本发明提供的烧结装置包括烧结炉炉体和设置在烧结炉炉腔内的分流隔片，在烧结过程中通过分流隔片向炉腔内输送氧气，能够减小炉腔温差，控制氧气流的层状分布，精准控制靶材烧结过程中氧空位密度及第二相的析出与分布均匀性，可有效提升靶材的质量，减少烧结时长，调控烧结靶材变形量、收缩性以及第二相的形状；使用本发明的烧结装置制备氧化物陶瓷靶材，所得靶材的相对密度大于99.9％，且使用过程中不易结瘤。
一种烧结装置氧化物陶瓷制备方法

[发明专利]一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用-CN202211100981.8在审
发明人：陈明飞;王金科;刘永成;郭梓旋;徐胜利;陈明高;江长久;王志杰;莫国仁;李跃辉 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明的氧化物靶材含有In2O3、SnO2和ZnO，其中，按照原子摩尔比计，In：Sn：Zn＝9.7711：(A+N)：N；其中，0＜N＜4.386，0.3＜A≤1.2，所述氧化物靶材的密度大于99％。本发明的氧化物靶材密度高、颜色均一，且在连续使用后不会结瘤。采用本发明氧化物靶材制得的氧化物薄膜表面粗糙度低，且导电性和光透过率好，具有广泛的应用价值。
一种氧化物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种靶材的绑定方法-CN202011149681.X在审
发明人：房健威;余芳;童培云;钟小华;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明揭示了一种靶材的绑定方法，包括以下步骤：将旋转靶材和背衬管分别进行粗化处理；将旋转靶材内壁与背衬管外壁进行超声波涂铟；将背衬管竖直定位放置在旋转平台上，再将旋转靶材套设在背衬管外侧，使旋转靶材与背衬管之间形成一个焊缝空间；将旋转靶材与背衬管在指定时间内加热至指定温度后，向焊缝空间底部注入铟液，使铟液自下而上填充焊缝空间；完成注铟后，使旋转靶材与背衬管以0.5～2.5℃/min的冷却速率降至室温，即可得到完成绑定后的靶材本发明采用自下而上填充的注铟方式，能充分排出焊缝空间中的空气，使冷却后的靶材与背衬管紧密结合，可以有效避免填充铟液中出现的气泡，能显著提供靶材的绑定率，改善靶材开裂及结瘤的技术问题。
一种绑定方法

[发明专利]ITO薄膜溅射靶材的清洁方法-CN201510391872.X在审
发明人：耿国凌;由龙;陈帅;王洪浜;邹威 -专利权人：山东金鼎电子材料有限公司
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，包括如下步骤：(1)先采用吸尘器将大颗粒物吸除干净；(2)采用相应目数的砂纸对靶材溅射面进行打磨，打磨方向顺应靶材溅射面形成有的跑道的方向，去除溅射面的氧化物和杂质；(3)采用吸尘器将靶材的溅射面上由于砂纸打磨而产生的颗粒物和灰尘吸除干净；(4)采用无尘布蘸取少量酒精对靶材的溅射面进行擦拭清洁，除去没有完全吸除的灰尘；(5)重复步骤(4)，直至无尘布表面只有轻微变色通过采用以上步骤可有效清除溅射靶材表面氧化物、杂质和粉尘，进而可减少ITO薄膜生产中靶材表面结瘤，减少对靶材的清洁次数，提高生产效率，也提高靶材的利用率，降低生产成本。
ito 薄膜溅射清洁方法

[发明专利]铟锡镍氧化物靶材及其制造方法-CN201910981520.8有效
发明人：柯伯贤;谢承谚;简毓苍;刘砚鸣 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种铟锡镍氧化物靶材及其制造方法。其中，所述铟锡镍氧化物靶材是由铟、锡、镍及氧所组成，其中镍相对于铟、锡和镍的总和的含量和大于0原子百分比且小于或等于3原子百分比，且该铟锡镍氧化物靶材的平均体电阻率小于2×10‑4<本发明能显著降低铟锡镍氧化物靶材于溅镀一段时间后靶面发生的结瘤现象，故可提升溅镀过程的稳定性并获得高品质的薄膜。
铟锡镍氧化物及其制造方法

[发明专利]一种IWZO靶材及其制备方法与应用-CN202211272544.4在审
发明人：陈明飞;王金科;刘永成;郭梓旋;徐胜利;陈明高;江长久;王志杰;莫国仁;李跃辉 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种IWZO靶材及其制备方法与应用。本发明的IWZO靶材，包含In、W、Zn、O，以原子摩尔比计，In：W：Zn＝1：N：N×M；其中，所述N满足0.02≤N＜0.0721；所述M满足0.8≤M＜1.2。采用本发明原子比制得的IWZO靶材密度高、颜色均匀性好，且在连续使用过程中不结瘤、不产生尖端放电。此外，采用该IWZO靶材制得的氧化物薄膜具有低电阻率、低表面粗糙度和高透过率，可广泛用于异质结太阳能电池、显示器或光学元器件等的制备。
一种 iwzo 及其制备方法应用

[发明专利]一种镧系金属掺杂IZO靶材及其制备方法与应用-CN202211101976.9在审
发明人：陈明飞;刘永成;郭梓旋;王金科;徐胜利;陈明高;莫国仁;江长久;王志杰;李跃辉 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧系金属掺杂IZO靶材及其制备方法与应用。本发明的镧系金属掺杂IZO靶材按照质量百分比计包括：Ln系金属氧化物0.5％～10％、氧化铟60％～87％和氧化锌5％～15％，所述Ln系金属选自镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、本发明通过控制镧系金属掺杂IZO靶材中各成分的占比并结合化学共沉淀所制得的镧系金属掺杂IZO靶材具有致密性高、颜色均匀且溅射过程不易结瘤等优点，具有广泛的应用价值。
一种金属掺杂 izo 及其制备方法应用

[发明专利]一种IZO靶材前驱体及其制备方法与应用-CN202110625158.8有效
发明人：陈明飞;刘永成;郭梓旋;徐胜利;王志杰;江长久;陈明高 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种IZO靶材前驱体及其制备方法与应用，该前驱体包括以下组分：氧化铟和氧化锌；所述氧化铟和所述氧化锌的质量比为1:0.05～0.2；所述IZO靶材前驱体的比表面积在5m2本发明通过控制前驱体的制备方法解决了IZO靶材的均匀性问题；本发明的制备方法减少了IZO粉体的机械混合破碎工序，减少了混合破碎过程中杂质的引入；同时还有效的降低了生产成本。本发明制得的IZO靶材均匀性好，靶材在使用过程中不结瘤，不产生尖端放电，提高了膜层的均匀性。
一种 izo 前驱及其制备方法应用

[发明专利]一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法-CN202210029514.4有效
发明人：张莉兰;徐蒙;钟小华;高建成;凤吾生 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)将MoO2、SnO2、水和分散剂搅拌分散；(2base:Sub>、水、分散剂和粘结剂进行乳化；(4)将乳化后的溶液加入到步骤(2)球磨后的混合液中，继续球磨至粒度合格；(5)将步骤(4)球磨合格的混合溶液进行喷雾干燥造粒；(6)将造粒后的粉体制成靶坯采用本发明制备方法，可以制得一种新的掺杂了高纯度MoO2的ITO靶材，该靶材可以降低靶材的电阻率，提高靶材的导电性，解决靶材的结瘤问题。
一种纯度 mo 掺杂 ito 制备方法

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