“靶材磁透率”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2104037个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种CoFeB合金靶材及其制备方法-CN202211462233.4在审
发明人：张俊飞;蔡新志;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于磁记录靶材领域，具体公开了一种CoFeB合金靶材及其制备方法。本发明所述CoFeB合金靶材，包括如下质量百分含量的元素组分：钴元素15‑35％，铁元素50‑60％，硼元素15‑30％。本发明在制备CoFeB合金靶材时，采用氮化硼涂层和钼纸作为间隔层，能有效降低CoFeB合金靶材中的C含量，并通过调节加压烧结的条件进而调控靶材内部的晶粒尺寸、靶材致密度以及透磁率，使最终制得的CoFeB合金靶材内部晶粒尺寸均匀，有较高的透磁率，C和O含量极低，组分准确、均匀。
一种 cofeb 合金及其制备方法

[发明专利]一种钴钽锆合金靶材的制备方法及其应用-CN201911149326.X有效
发明人：肖柱;方梅;李周;朱云天;陈志永 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C22C19/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴钽锆合金靶材的制备方法及其应用，属于特种材料制备技术领域，制备方法包括：通过成分设计、高真空垂熔+高真空电子束熔炼、三维等温热锻开坯和变角度控制轧制工艺等，以控制合金的组织结构及靶材性能，制备出高品质的钴钽锆合金靶材，所述的钴钽锆合金靶材，氧含量≤15ppm，平均晶粒度为5～20μm，靶材中相分布均匀，透磁率大于40％，透磁率不均匀性小于2％。本发明所设计的工艺，能够有效控制成品靶材的氧含量、组织结构均匀性及磁性能，这为其溅射出高品质薄膜提供了原材料保障。
一种钴钽锆合金制备方法及其应用

[发明专利]一种制备高性能铁磁性靶材的方法-CN202011640847.8有效
发明人：罗俊锋;张巧霞;徐国进;张博厚;李勇军;庞欣;熊晓东;冯昭伟;滕海涛 -专利权人：有研科技集团有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B21D22/14 文献下载
摘要：本发明公开了属于靶材制备技术领域的一种制备高性能铁磁性靶材的方法。该方法包括将铁磁性靶坯通过旋压使靶坯均匀变形的步骤。利用本发明方法制备的铁磁性金属靶材透磁率高、均匀性好。
一种制备性能铁磁性方法

[发明专利]一种用于制作磁性直流磁控溅射钴靶材的方法-CN200310124552.5无效
发明人：陈俭 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制作磁性直流磁控溅射钴靶材的方法，用于直流磁控溅射的钴靶材的制作过程得到高磁透率的钴靶材，其特定是包括以下步骤：一准备高纯度的钴原料；二将钴原料融化浇铸成钴铸锭；三铸锭检验；四将钴铸锭切割成小的片状毛坯；五将毛坯钴锭进行热压、冷轧和热处理的循环过程，在上述循环过程中，在垂直于毛坯钴锭的方向加上一个强磁场，制成钴靶材元件；六在步骤五的钴靶材元件的靶面上加工成型，形成钴靶材部件；七将步骤六形成的钴靶材部件结合到背板上，制成最终的钴靶材。本发明由于在传统工艺中施加强磁场，不仅得到<0001>方向的磁诱生织构，提高磁透率；并且工艺控制难度降低重复性好，使传统工艺设备得到利用，因此极为实用。
一种用于制作磁性直流磁控溅射钴靶材方法

[发明专利]一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法-CN201410231799.5有效
发明人：王传军;唐志龙;张俊敏;闻明;毕珺;沈月;宋修庆;管伟明 -专利权人：贵研铂业股份有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶中，铂的含量为0～5原子％，靶材的平均晶粒尺寸小于80微米且单个晶粒尺寸不大于150微米，靶材具有均匀分布的衍射峰强度组合，且单个方向上的衍射峰强度不大于50％，靶材的透磁率(PTF)在大于40％且在各个不同方向上测量的数值差别在5％以内。所述的镍铂合金溅射靶材，能减少溅蚀现象发生，具有较长的使用寿命，使用该靶材所制备出的薄膜具有较好的均匀性；本发明的另一个目的在于提供一种获得上述具有高透磁率(PTF)的具有低铂含量的镍铂合金靶材的制备方法
一种合金溅射及其制备方法

[发明专利]一种CoFeSiB合金靶材及其制备方法-CN202211462235.3在审
发明人：张俊飞;蔡新志;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于磁记录靶材领域，具体公开一种CoFeSiB合金靶材及其制备方法。本发明所述CoFeSiB合金靶材，包括如下质量百分含量的元素组分：钴元素82‑88％，铁元素4‑6％，硅元素7‑9％，硼元素1‑3％。本发明所述CoFeSiB合金靶材成分均匀、准确，氧含量极低，晶粒尺寸均匀细小，靶材透磁率高，在后续应用中表现出良好的溅射效果。
一种 cofesib 合金及其制备方法

[发明专利]一种高性能铁磁性靶材的制备方法-CN201911395580.8在审
发明人：罗俊锋;郭力山;熊晓东;徐国进;张巧霞;刘芳;李勇军;庞欣;刘丹 -专利权人：有研亿金新材料有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了属于靶材制备技术领域的一种高性能铁磁性靶材的制备方法，所述方法包括，首先准备靶坯和背板，将靶坯加工至成品厚度尺寸，然后采用温差法焊接，保证靶材平面度，通过振动时效消除焊接内应力，最后通过加工背板完成靶材成品制备，所述方法适用于制备直径为Φ300‑450mm的大面积靶坯。采用本发明所述方法制备的大面积高纯铁磁性金属靶材厚度均匀性好，焊接应力小，透磁率分布均匀，靶材溅射薄膜均匀性好。
一种性能铁磁性制备方法

[发明专利]一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法-CN201711393545.3有效
发明人：彭寿;茆令文;鲍兆臣;张少波;杨金发;朱启煌;王瑞瑞;年士旺;陶明山 -专利权人：凯盛科技股份有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明公开一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法，包括以下步骤：S1、选取高阻高透氧化物靶材，所述氧化物为金属氧化物或非金属氧化物，采用所述高阻高透氧化物靶材磁控溅镀得到的单一薄膜在8～30nm厚度条件下的光透过率＞96%、电阻＞1*1010Ω；S2、将高阻高透氧化物靶材与ITO靶材共同做为阴极溅射靶；S3、利用步骤S2所述的阴极溅射靶，采用磁控溅射镀膜工艺，在玻璃基板表面制备复合ITO薄膜，ITO靶材功率0.5～1.5 kw，高阻高透氧化物靶材功率2～6 kw；S4、制备得到复合ITO薄膜的电阻5*106～7*1010Ω，完成高阻高透ITO玻璃基板的制备，无需向偏光片胶水中加入导电粒子，简化工艺过程、降低生产成本，提高膜层性能。
一种高阻高透 ito 玻璃制备方法

[发明专利]垂直磁记录介质软磁性底层用钴基合金靶材的制造方法-CN200610136948.5无效
发明人：郭蔚;李勇军;李应国 -专利权人：湖南中精伦金属材料有限公司
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：垂直磁记录介质软磁性底层用钴基合金靶材的制造方法，包括下述步骤，按量取Co、Ta、Zr三种元素原料放入坩埚中，进行真空熔炼并浇铸成铸锭，将所得铸锭进行热等静压，后进行热轧变形；将热轧锭进行机加工制得所需形状的靶材本发明工艺方法简单，成本低，材料性能好且质量稳定，所生产的钴钽锆合金靶材纯度高、成份均匀、透磁率高，适于工业化生产，可替代现有垂直磁记录介质软磁性底层用钴基合金靶材的生产方法。
垂直记录介质磁性底层用钴基合金制造方法

[发明专利]高纯细晶金属镍热挤压旋转靶材-CN201610207000.8有效
发明人：曹兴民;庄志杰;顾宗慧 -专利权人：基迈克材料科技（苏州）有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：高纯细晶金属镍热挤压旋转靶材,生产工艺步骤主要包括：将原料镍采用真空电子束熔炼成高纯度镍锭，对镍锭进行加热处理，然后对加热后的镍锭直接进行挤压，再对挤压后的镍靶进行退火处理，最后对经过退火的镍靶进行必要的机械加工制备成所需旋转靶材所得靶材晶粒细小、纯度高、内部组织均匀，靶材利用率显著提高，且工艺简单，生产成本低，有利于获得透磁率高、磁性能好、厚度小而均匀的高质量薄膜，满足半导体溅射工艺需要。
高纯金属挤压旋转

[实用新型]一种磁性靶材磁透率检测装置-CN202320093253.2有效
发明人：李心然;居炎鹏;王永超;赵泽良 -专利权人：河南东微电子材料有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N27/72 文献下载
摘要：本实用新型涉及磁透率检测技术领域，具体为一种磁性靶材磁透率检测装置，包括旋转检测台和屏蔽箱，所述旋转检测台活动安装在屏蔽箱的内部，同时屏蔽箱由外屏蔽体和内屏蔽体组合而成，在外屏蔽体、内屏蔽体之间设置有气隙同时气隙的内部固定安装有若干组等距分布的非导磁率材料块，且通过设置的由外屏蔽体和内屏蔽体组合而成的屏蔽箱可使得整个检测过程与外部大环境隔离屏蔽，从而使得整个检测过程不受大环境磁场干扰，可使得检测数据准确性高，进而有效的克服了现有的溅射靶盘透磁率检测装置在进行磁透率检测时无外部屏蔽隔离结构，受到大环境中的其他磁场干扰，导致磁透率检测结果准确性降低的缺陷。
一种磁性靶材磁透率检测装置

[发明专利]Ni-Fe-W合金靶材及其制造方法-CN201310596436.7有效
发明人：张凤戈;穆健刚;李建奎;姚伟;梁俊才;姜海;马志伟;文彬;王雷 -专利权人：安泰科技股份有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ni-Fe-W合金靶材及其制造方法。该靶材按原子百分比由以下元素组成：Fe2-20%，W2-15%，Ni65～96%。采用本发明的制造方法得到的合金靶材具有成品成分控制精确，成分分布均匀、无偏析，无夹杂，晶粒细小均匀，成品的纯度高，密度大，磁透率高且各处均匀等优点。
ni fe 合金及其制造方法

[发明专利]一种高纯钴靶材的制备方法-CN201410152954.4有效
发明人：邵玲;王广欣;赵学义 -专利权人：昆山海普电子材料有限公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯钴靶材的制备方法，包括依次进行的如下步骤：将纯度为99.999%以上的高纯钴锭进行径向锻造和退火处理；将处理后高纯钴锭截成短节，对短节进行纵向墩粗和退火处理；将处理后的高纯钴锻件进行多次压延和退火处理得到钴钯坯；将钴钯坯进行机械加工，然后通过低熔点焊料与铜背板粘接在一起，即得高纯钴靶材。本发明获得了内部致密、微观组织均匀的钴锻件，克服了钴靶材由于质地坚硬易碎，在之后压延过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。压延和退火处理可以提高钴靶材的磁透率。
一种高纯钴靶材制备方法

[发明专利]一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法-CN201810653336.6在审
发明人：余永强;马立云;那嘉;周传水;向光;王友乐;张玲莉;柯尚文;李隽;康明锋;范家伟;董永亮 -专利权人：广东凯盛光伏技术研究院有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效透氧的ITO靶材摆放‑烧结方法，步骤如下：1)将ITO粉末成型，得到ITO靶坯，再对ITO靶坯进行干燥；2)将垫片放置在承烧板上，再在垫片上放置一层直径0.5～1mm的瓷球，再将ITO靶坯放置在瓷球上；3)将步骤2)设置好ITO靶坯的承烧板放进烧结炉进行烧结，再进行打磨，得到ITO靶材。本发明可以大大提高ITO靶坯烧结时的透氧率，增加了ITO靶材烧结后的密度，提高了ITO靶材的质量，且烧结后ITO靶材底面不会产生垫片印，不会污染靶材，减少了后加工过程中因磨削而造成的靶材消耗。
烧结垫片承烧板靶材瓷球摆放烧结炉透氧率底面磨削成型打磨消耗污染

[发明专利]一种镍铁铜钼合金靶材的制备方法-CN202110447431.2有效
发明人：张俊飞;蔡新志;童培云;朱刘;冉成义 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍铁铜钼合金靶材的制备方法。所述镍铁铜钼合金靶材的制备方法包括如下步骤：(1)将Mo原料和原料Ni加入熔炼炉中，在真空环境下进行悬浮熔炼，冷却后得到合金锭A；(2)将原料Fe和原料Cu添加入步骤(1)含有合金锭A熔炼炉中，在真空环境下继续熔炼处理，冷却后得到合金锭B；(3)将合金锭B在真空环境下精炼三次，进行第三次精炼后将合金锭B的熔体进行浇铸得到铸锭；(4)将步骤(3)得到的铸锭进行轧制处理，得到所述镍铁铜钼合金靶材。本发明先熔炼镍钼合金，再加入原料Fe和Cu再次熔炼，然后结合三次均质精炼，较大程度保证所述镍铁铜钼合金靶材组分的均匀性，使所述靶材具有高电阻率，高相对密度和高透磁率的性能。
一种镍铁铜钼合金制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条