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[实用新型]基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件-CN202121948782.3有效
发明人：曹荣根 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本实用新型属于光电器件技术领域，具体为一种基于二维ZrNBr/ZrNCl面内异质结的光电器件。该光电器件包括绝缘衬底、ZrNBr/ZrNCl面内异质结、第一电极和第二电极；面内异质结层位于绝缘衬底的表面上；面内异质结表面上设有防反射膜，防反射膜的两侧连接第一电极和第二电极，且第一电极和第二电极面内异质结连接，光通过防反射膜进异质结使之发生光伏效应，得到稳定的光电流，这对发展光电池有重要的意义。
基于二维 zrnbr zrncl 面内异质结光电器件

[发明专利]异质结太阳能电池片的制造方法及异质结太阳能电池片-CN202110169676.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池片的制造方法和异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池片的制造方法包括以下步骤：形成初始异质结太阳能电池片；分割初始异质结太阳能电池片，使得初始异质结太阳能电池片形成若干异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片具有分割面；分割初始异质结太阳能电池片的步骤包括：至少将部分厚度的初始太阳能电池片断裂，使分割面包括断裂面；至少对分割面中的断裂面进行清洗钝化处理。本发明提供的异质结太阳能电池片的制造方法可提高异质结太阳能电池片的光电转化效率。
异质结太阳能电池制造方法

[发明专利]异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件-CN202110808966.8在审
发明人：周肃;魏文文;符欣;龚道仁;王文静;徐晓华;李晨;程尚之;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件，属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤：对异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜通过本申请的异质结电池处理方法，能有效减小因激光切割造成的功率损失，提高切割后的异质结电池的效率。
异质结电池处理方法切片组件

[发明专利]半导体装置-CN201210458371.5有效
发明人：胜野高志;树神雅人;市川正;石井荣子 -专利权人：株式会社丰田中央研究所
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：在半导体装置（1）中，漏极（21）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电连接，源极（29）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电绝缘且构成为可与形成于第二异质结面（34）的二维电子气层电连接，栅极部（28）与第二异质结面（34）相向，导通电极（25）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层及形成于第二异质结面（34）的二维电子气层这两者电连接。形成于第一异质结面（32）的二维电子气层的电子浓度比形成于第二异质结面（34）的二维电子气层的电子浓度大。
半导体装置

[发明专利]一种低温一步法制备单层硫化钼/硫化钨面内异质结的方法-CN201811446332.7有效
发明人：陶俊光;于宸崎;陈磊;陈士强;关丽秀;陈贵锋 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及低温一步法制备单层MoS2/WS2面内异质结的方法，适用于制备二维过渡金属硫化物的异质结。该方法包括：按配比制备出前驱物和通过化学气相沉积法(CVD)制备异质结。通过相图确定前驱物中各组分的最佳配比以及反应所需的最低温度；生长异质结则是在一英寸CVD管式炉中，通过化学气相沉积法制得。通过低温下的一步法生长，很大程度上简便了实验流程，降低了异质结形成的反应温度，大大减少了实验能耗，为制备二维过渡金属硫化物异质结提供了一种方便可靠的方法，在异质结生长领域具有深远意义。
一种低温一步法制备单层硫化钨面内异质结方法

[实用新型]一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管-CN201320060399.3有效
发明人：彭应全;吕文理;罗消 -专利权人：兰州大学
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管，其特征是它由衬底、栅极、栅介质、有机载流子输运层、有机体异质结光敏层、源极和漏极组成，有机载流子输运层一面与栅介质相连，而另一面与有机体异质结光敏层相连，形成混合平面一体异质结；有机体异质结光敏层一面与有机载流子输运层相连，并与其形成混合平面一体异质结，另一面与源极和漏极相连；栅介质、源极和漏极可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触的结构
一种混合平面体异质结光敏有机场效应

[发明专利]一种制备二维过渡金属硫族化合物面内异质结的方法-CN202011398074.7在审
发明人：何大伟;白晋轩;王永生 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供一种制备二维过渡金属硫族化合物面内异质结的方法，该方法具有前驱体可在反应过程中移动以实现面内异质结连续生长的特点，实施方法为：将阳离子氧化物前驱体与NaCl固体粉末混合，形成阳离子固体粉末，同阴离子前驱体粉末，一并放入单温区管式炉中，控制单温区管式炉在不同固体粉末混合物所对应的蒸发温度停留一定的生长时间，同时配合前驱体相应的进入或离开衬底附近的生长区域，最后得到二维过渡金属硫族化合物面内异质结，本发明制备出的面内异质结相较于传统一步法和两步法成膜面积和质量均有提高，结区位置污染率降低，且该方法提供的实验条件和成本大幅度降低，为该类型材料工业化生产提供了方向。
一种制备二维过渡金属化合物面内异质结方法

[实用新型]用于承载异质结太阳能电池的硅片载片盒-CN201620685105.X有效
发明人：顾凯;张闻斌;王琪 -专利权人：苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于承载异质结太阳能电池的硅片载片盒，包括：底部；一对支撑臂，分别呈夹角设置于所述底部的相对两侧，所述支撑臂具有用以卡持异质结太阳能电池片一侧的第一拐角结构，所述第一拐角结构包括：与异质结太阳能电池片的侧边接触的第一卡合面；及与异质结太阳能电池片的正/反面接触的第二卡合面，所述第二卡合面的宽度小于2mm，上述用于承载异质结太阳能电池片的载片盒的第二卡合面不与异质结太阳能电池片的栅线所在位置的浆料接触，避免了因异质结太阳能电池片的栅线与载片盒接触，导致的异质结太阳能电池片的背电极因受热不均匀阻碍浆料中的有机物的挥发，影响异质结太阳能电池片的良率。
用于承载异质结太阳能电池硅片载片盒

[发明专利]一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺-CN202011011919.2在审
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；本发明也相应地公开上述IBC太阳能电池结构的制备工艺。本发明通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构及其制备工艺

[实用新型]一种IBC太阳能电池结构-CN202022108929.X有效
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区。本实用新型通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构

[实用新型]一种C-纳米管异质结的有机气体传感器-CN201420417812.1有效
发明人：王丽娟;都昊;李一平;邹凤君 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种C-纳米管异质结的有机气体传感器。该C-纳米管异质结的有机气体传感器，包括介电层、诱导层、半导体层、异质结层、有机气敏层。采用C-纳米管作为有机气敏层，有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。有机气敏层实现产生载流子，有机异质结层则实现有机载流子输运工作。该有机C-纳米管异质结的有机气体传感器在常温下能快速、灵敏的进行工作，并且利用真空蒸发技术一次性完成制备，简化制备流程。
一种纳米管异质结有机气体传感器

[发明专利]一种异质结电池制备方法-CN202010293089.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括分别设置于所述异质结电池正面和/或背面的导电薄膜层，所述制备方法包括在所述异质结电池正面和/或背面的设定区域内通过喷墨工艺方法去除所述设定区域内的导电薄膜层该异质结电池制备方法通过在激光切割位置或异质结电池的边缘位置通过喷墨工艺方法去除该激光切割位置和边缘位置的导电薄膜层，可避免在激光切割过程中导电薄膜层掺杂到异质结电池内部，降低异质结电池的钝化性能，并影响异质结电池的效率；同时通过该喷墨工艺方法可达到对异质结电池边绝缘的目的，可降低边绝缘区域0.25~0.5mm，达到提升异质结电池效率的目的。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]一种异质结电池的处理方法-CN202210250868.1在审
发明人：程尚之;周肃;龚道仁;符欣 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池的处理方法。所述的异质结电池的处理方法包括：提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。所述异质结电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复，避免了异质结电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。
一种异质结电池处理方法

[发明专利]一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法-CN201410624791.5有效
发明人：王丽娟;孙洋;都昊;邹凤君;李一平 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法。该碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法，包括介电层、诱导层、半导体层、异质结层、有机气敏层。采用碳纳米管作为有机气敏层，有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。特别是用碳纳米管有机气敏层实现高的气体敏感性，利用有机异质结提高载流子传输。该有机碳纳米管异质结的有机气体传感器在常温下响应速度快、灵敏性高的进行工作，并且利用真空蒸镀和溶液技术制备，工艺简单、成本低。
一种纳米管异质结有机气体传感器制备方法

[发明专利]一种基于氮面极性硼铝氮材料的金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法-CN202310027176.5在审
发明人：张金风;任泽阳;杨智清;苏凯;何琦;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮面极性硼铝氮材料的金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，包括以下步骤：获取C面单晶蓝宝石衬底；在C面单晶蓝宝石衬底上外延生长具有施主掺杂的氮面极性纤维锌矿结构的硼铝氮，形成硼铝氮外延层；在硼铝氮生长过程中，通过对硼源与铝源的比值进行调控以控制所述硼铝氮外延层的硼与铝的组分；在硼铝氮外延层上生长金刚石外延层，以形成异质结。本发明基于蓝宝石衬底材料制作金刚石异质结器件，异质结所需金刚石层由外延生长所得，突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制，同时降低了异质结制造成本，提供了获取大尺寸金刚石异质结的有效方法。
一种基于极性硼铝氮材料金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法

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