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[发明专利]一种弱P型碲镉汞材料的退火方法-CN202210123432.6有效
发明人：魏彦锋;孙权志;李珣;林春;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种弱P型碲镉汞外延材料的退火方法。采用双温区退火装置，汞源和碲镉汞材料封装在石英管中，使汞源和碲镉汞样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段，根据所要求的碲镉汞空穴载流子的浓度，分别设置汞源和碲镉汞材料的退火温度，在退火结束后的冷却阶段分别设置汞源和碲镉汞材料的降温速率，使得在整个退火过程中汞蒸气的压力满足碲镉汞材料中汞空位浓度稳定性的要求，从而提高碲镉汞外延材料电学参数的稳定性和退火工艺的重复性。
一种型碲镉汞材料退火方法

[发明专利]碲镉汞红外焦平面器件及其制备方法-CN201910763541.2有效
发明人：陈慧卿;胡尚正;吴卿;王成刚;孙浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面器件及其制备方法，所述方法包括：将砷离子从掺铟碲镉汞外延层的部分待处理表面注入掺铟碲镉汞外延层内；将注有砷离子的掺铟碲镉汞外延层放入充有气态汞的加热管内，并对加热管抽真空、加热；在加热后的掺铟碲镉汞外延层的待处理表面依次镀碲化镉膜和第一硫化锌膜；将镀有碲化镉膜和第一硫化锌膜的掺铟碲镉汞外延层放入充有气态汞的加热管内，并对加热管抽真空、加热；去除第一硫化锌膜，在碲化镉膜远离掺铟碲镉汞外延层的表面镀第二硫化锌膜采用本发明，可以降低碲镉汞红外焦平面器件的暗电流和串联电阻，提高碲镉汞红外焦平面器件的零偏阻抗值，实现碲镉汞红外焦平面器件的低成本、小尺寸、高性能。
碲镉汞红外平面器件及其制备方法

[发明专利]一种碲镉汞母液制备方法-CN202310873282.5在审
发明人：彭成盼;张国杰;王向斌;魏召;张宁锋 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B19/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞母液制备方法，包括：通过高温合成，制备具有高铟掺杂浓度的碲镉汞母液；在碲锌镉衬底上采用液相外延技术制备掺铟的碲镉汞薄膜材料；对所述掺铟的碲镉汞薄膜材料进行n型热处理之后，测定铟的掺杂浓度；将具有高铟掺杂浓度的碲镉汞母液加入至未掺杂铟的碲镉汞母液中，通过均匀化工艺，获得具有指定铟掺杂浓度的碲镉汞母液。
一种碲镉汞母液制备方法

[发明专利]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法-CN201610896191.3在审
发明人：王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本发明的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本发明的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
一种硅基短中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法

[实用新型]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料-CN201621124857.5有效
发明人：王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本实用新型的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本实用新型的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
一种硅基短中波叠层双色碲镉汞材料

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292902.9在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基复合衬底材料件依次进行除气处理和束流校正，硅基复合衬底材料件包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；在束流校正后的硅基复合衬底材料件的碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲镉汞导电层；在高电导率碲镉汞导电层上外延生长碲镉汞吸收层。碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基复合衬底材料件，包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；p型掺杂高电导率碲镉汞导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲镉汞导电层上
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种碲镉汞小线宽腐蚀方法及碲镉汞红外探测器-CN201910986653.4有效
发明人：张轶;刘世光;孙浩;刘震宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种碲镉汞小线宽腐蚀方法及碲镉汞红外探测器，用以提高小线宽精细结构腐蚀均匀性。碲镉汞小线宽腐蚀方法，包括：将带有光刻胶的碲镉汞芯片曝光后，放入显影池中浸泡在显影液中进行显影；向显影池中注入去离子水，直至将显影池中的显影液全部替换为去离子水；保持碲镉汞芯片浸泡在去离子水中的状态，用第一培养皿将碲镉汞芯片从显影池中取出；保持碲镉汞芯片浸泡在去离子水中的状态，将第一培养皿和碲镉汞芯片一起放入第二培养皿中进行腐蚀；保持碲镉汞芯片浸泡在腐蚀液中的状态，将第一培养皿连同碲镉汞芯片一起从第二培养皿中取出；保持碲镉汞芯片浸泡在腐蚀液中的状态，将第一培养皿连同碲镉汞芯片一起放入水槽中进行清洗。
一种碲镉汞小线宽腐蚀方法碲镉汞红外探测器

[发明专利]一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法-CN202211267884.8在审
发明人：高达;王丹;李震;周朋;王丛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，包括：固定衬底；利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂；在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量；预测在对应深度处碲镉汞外延表面温度偏离碲镉汞生长温度窗口程度；基于所确定的外延表面温度偏离程度，修正所述温度补偿生长方式，并重复基于所述衬底生长碲镉汞材料，直至As浓度不随碲镉汞深度发生变化本申请实施例对温度偏离度的表征方式进行了设计，修正了生长温度降低曲线，解决了碲镉汞外延表面温度无法精确表征而造成碲镉汞材料质量差的问题。
一种分子外延碲镉汞表面温度控制方法

[发明专利]一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备方法-CN202310174151.8在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;汪鑫 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料加工制备技术领域，具体提供了一种碲镉汞材料霍尔测试样品的制备工艺。本发明的碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备工艺，通过对碲镉汞外延材料正面进行表面处理并沉积介质膜进行保护，同时将碲镉汞外延材料背面的衬底和过渡层材料进行去除，避免了碲镉汞外延材料表面电荷的堆积，以及失配位错缺陷对碲镉汞外延材料霍尔测量的影响，提高了碲镉汞外延材料电学测量的准确度。
一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品制备方法

[发明专利]一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法-CN201710950103.8有效
发明人：廖清君;刘丹;钟艳红;林春;胡晓宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。
一种碲镉汞红外平面探测器失效分析方法

[发明专利]一种用于分析碲镉汞界面缺陷形成原因的方法-CN202310301001.9在审
发明人：王旭杰;杜宇;彭成盼;徐健;何鑫;周进;魏召;陈慧 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于分析碲镉汞界面缺陷形成原因的方法，包括如下步骤：步骤1.用AB胶将LPE生长完成后的碲镉汞晶片粘贴在硅片上；步骤2.通过减薄和/或者抛光将碲锌镉衬底减薄，通过显微镜观察得到碲锌镉衬底；步骤3.利用溴甲醇溶液腐蚀碲锌镉衬底将步骤2中产生的加工损伤去除，腐蚀后碲锌镉衬底；步骤4.利用位错腐蚀剂将步骤处理后的碲镉汞晶片腐蚀，得到碲锌镉衬底表面的夹杂物与位错腐蚀坑；步骤5.利用选择性腐蚀剂将碲锌镉衬底全部去除，记录外延界面的腐蚀坑形貌与位置；步骤6.通过比较碲锌镉衬底与碲镉汞外延之间界面附近的碲锌镉衬底与碲镉汞外延的腐蚀坑形貌与位置，分析碲镉汞外延的界面缺陷形成的原因。
一种用于分析碲镉汞界面缺陷形成原因方法

[发明专利]一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法-CN202111664539.3在审
发明人：龚汉红;陈世锐;陈路;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，包括如下步骤：S1：对碲镉汞芯片的正面和/或背面进行接近式光刻，使碲镉汞芯片的正面和/或背面周边产生至少一圈边框图形，边框图形位于芯片有效成像区域的外周并与芯片有效成像区域之间留有间距；S2：将光刻后的碲镉汞芯片通过湿法腐蚀的工艺手段，使步骤S1中的边框图形转移至碲镉汞芯片的正面和/或背面，将碲镉汞芯片正面和/或背面中位于芯片有效成像区域周围的碲镉汞材料进行腐蚀并在边框图形位置形成凹槽；S3：凹槽腐蚀完毕，清洗后将碲镉汞芯片进行下一步芯片工序。该方法可使划片时崩边产生的裂纹隐患阻隔在碲镉汞芯片的芯片有效成像区域外，提升了碲镉汞芯片制备的合格率。
一种有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片的分割方法-CN202310253513.2在审
发明人：陈世锐;李伟伟;丁俊毅;居龙飞;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，包括：使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；从所述切割槽切割所述碲锌镉层本发明在切割碲锌镉层之前，将碲镉汞层腐蚀掉，再切割碲锌镉层，减少了切割时的应力，从而减少了碲镉汞红外探测器芯片损坏的几率。
碲镉汞红外探测器芯片分割方法

[发明专利]碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法-CN200910198969.3有效
发明人：叶振华;黄建;胡伟达;尹文婷;林春;陈路;廖清君;胡晓宁;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题
碲镉汞红外平面芯片碲化镉原位钝化方法

[发明专利]一种红外探测器表面处理的方法-CN201811554876.5在审
发明人：祁娇娇;宁提;李春领 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器表面处理的方法，涉及红外探测器器件技术领域，该方法包含如下步骤：对碲镉汞材料进行湿法清洗；对湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀；将表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘；对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗；在干法清洗后的碲镉汞材料的表面进行镀膜处理。本发明方法通过对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗，解决了现有的碲镉汞材料在装片的过程中生成自生氧化层的问题，提高了器件芯片的性能。
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