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[发明专利]一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法-CN200910163262.9有效
发明人：史衍丽;庄继胜;余连杰;杨丽丽;孔令德;李雄军;莫镜辉;孙祥乐 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其工艺步骤为：A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.通过上述制造方法，降低了制造成本，提高了焦平面探测器的可靠性，并使焦平面探测器具有较高的外量子效率，实现了非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造。
一种非晶碲镉汞单片集成平面探测器制造方法

[发明专利]非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法-CN201210405847.9无效
发明人：史衍丽;余连杰;何雯瑾;邓功荣;李雄军;杨丽丽;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接其制备工艺步骤为衬底清洗、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属电极制备和封装测试；或者为衬底清洗、金属第二电极制备、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属第一电极制备和封装测试。本发明中的非晶态半导体材料对衬底无选择性，组成异质结的材料之间的晶格匹配性能较好，并具有显著的光电响应。
晶态碲镉汞硅异质结红外探测器及其制造方法

[实用新型]Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料-CN201320174705.6有效
发明人：王经纬;巩锋;王丛;刘铭;强宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料。Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料由下到上依次包括：晶向为211的Si衬底、在Si衬底的表面上依次生长的砷As钝化层、碲化锌ZnTe缓冲层、碲化镉CdTe缓冲层、以及三层不同组份不同厚度的碲镉汞薄膜层。
si 长波叠层双色碲镉汞材料

[发明专利]一种碲镉汞芯片及其加工方法-CN201910536651.5在审
发明人：张轶;刘世光;李春领 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提出了一种碲镉汞芯片及其加工方法，根据本发明的碲镉汞芯片，包括：碲镉汞层和电路层，碲镉汞层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设有P型电极，第二表面设有N型电极，电路层与P型电极和N型电极均连接根据本发明的碲镉汞芯片，通过将P型电极和N型电极分别设置在碲镉汞层的相对的第一表面和第二表面上，便于碲镉汞芯片的加工，且便于对碲镉汞芯片的检测和维修。而且，有利于提高电场的均匀性，降低响应率的非均匀性，从而提高了红外焦平面的探测性能。另外，大幅提高了探测器注入区面积及占空比，从而提高红外探测器的探测能力。
碲镉汞芯片第二表面第一表面碲镉汞电路层加工红外焦平面红外探测器非均匀性探测性能电场均匀性响应率占空比注入区探测器探测维修检测

[发明专利]一种碲镉汞表面绝缘层的制备方法-CN201510653717.0在审
发明人：李亚巍;乔琦;商丽燕;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞表面绝缘层的制备方法，该方法基于原子层沉积技术实现，采用臭氧作为氧源，在低于100^oC的条件下在碲镉汞上生长非晶绝缘层。
一种碲镉汞表面绝缘制备方法

[发明专利]一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法-CN201010129133.0有效
发明人：莫镜辉;李雄军;史衍丽 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法，其特征在于在真空腔体内，把探测器芯片固定在样品台上，将样品台倾角调整为4.5°，样品台温度设置为10℃，然后对真空腔体抽真空，使真空度达到6×10-4Pa；向真空腔体内通入工作气体工作压力设定为1.5×10-2Pa～2.0×10-2Pa；设置离子源参数：离子束能量为150eV～200eV，离子束流为40mA～60mA，中和电流为50mA～80mA；升起离子源与样品台间的挡板，对探测器芯片的非晶碲镉汞表面进行刻蚀清洗本发明能显著改善钝化膜与光敏元之间以及上电极与光敏元之间的附着力，提高非晶碲镉汞红外探测器的成品率。
一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法

[实用新型]一种碲镉汞芯片及红外焦平面探测器-CN201920933826.1有效
发明人：张轶;刘世光;李春领 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种碲镉汞芯片及红外焦平面探测器，根据本实用新型的碲镉汞芯片，包括：碲镉汞层和电路层，碲镉汞层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设有P型电极，第二表面设有N型电极，电路层与P型电极和根据本实用新型的碲镉汞芯片，通过将P型电极和N型电极分别设置在碲镉汞层的相对的第一表面和第二表面上，便于碲镉汞芯片的加工，且便于对碲镉汞芯片的检测和维修。而且，有利于提高电场的均匀性，降低响应率的非均匀性，从而提高了红外焦平面的探测性能。另外，大幅提高了探测器注入区面积及占空比，从而提高红外探测器的探测能力。
碲镉汞芯片本实用新型第二表面第一表面碲镉汞电路层红外焦平面探测器红外焦平面红外探测器电场非均匀性探测性能均匀性响应率占空比注入区探测器探测维修检测加工

[发明专利]一种提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法-CN202110100756.3在审
发明人：徐国庆;兰添翼;刘向阳;乔辉;贾嘉;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法。本发明利用碲镉汞半导体材料中Te‑Hg键结合能低的特点，通过氩离子束刻蚀在n型碲镉汞体内产生大量的汞填隙原子，在表面形成汞原子的稳态扩散源，汞填隙原子在体内扩散的同时，对材料内部的汞空位进行填充，实现对n型碲镉汞载流子浓度的有效调整；刻蚀过程中，汞填隙原子在氩离子的碰撞中获得能量，扩散过程中能量的释放也会改善材料内部可能存在的应力和缺陷，从而提高n型碲镉汞载流子迁移率。
一种提高型碲镉汞体晶载流子输运参数方法

[发明专利]一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法-CN201110355312.0有效
发明人：仇光寅;魏彦锋;陈倩男;孙权志;孙瑞赟 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。
一种去除碲镉汞界面霍尔样品制备方法

[发明专利]一种碲镉汞材料的钝化方法-CN201810884274.X在审
发明人：王经纬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞材料的钝化方法，包括以下步骤：在分子束外延设备中得到碲镉汞材料之后，关闭除汞源以外的碲镉汞材料生长需要的源，升高碲镉汞材料的温度；当碲镉汞材料升高至碲化镉的单晶生长温度之后，打开碲化镉源，关闭汞源，在碲镉汞材料上生长碲化镉钝化膜层。本发明在碲镉汞生长完成后直接在生长碲镉汞的分子束外延设备中进行钝化，避免了由于材料表面沾污引起的表面漏电，进而提升了探测器的性能，同时，本方法获得的碲化镉钝化膜层为质量更好的单晶材料，可以与碲镉汞吸收层形成更好的互扩散层
碲镉汞材料碲化镉碲镉汞钝化分子束外延设备生长漏电钝化膜层升高红外探测器单晶材料单晶生长扩散层吸收层探测器除汞汞源减小沾污

[发明专利]一种碲镉汞掺金母液的制备方法-CN201810965908.4在审
发明人：胡尚正;刘铭;吴卿;徐强强;折伟林;杨海燕;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞掺金母液的制备方法，包括：将碲化金加入碲镉汞混合物中，其中碲镉汞混合物按照碲镉汞母液中碲、镉、汞的比例进行配比得到；将加入碲化金的碲镉汞混合物在真空环境中加热到第一预设温度进行均匀化处理，得到碲镉汞掺金混合液体；将碲镉汞掺金混合液体进行冷却，得到碲镉汞掺金母液。本发明的技术方案可以解决母液在制备过程中Au含量低很难精确量及母液均匀化的问题，避免制备过程中母液氧化的问题，从而较好的解决原位掺杂碲镉汞外延膜浓度可控以及均匀性问题。
碲镉汞母液掺金混合物混合液体制备过程碲化制备均匀化处理均匀性问题碲镉汞外延原位掺杂真空环境均匀化可控配比预设加热冷却

[发明专利]一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法-CN202210304045.2在审
发明人：赵文;孔金丞;姜军;李沛;俞见云;李俊;陈少璠;庹梦寒;王静宇;陈姗;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法，该方法将碲锌镉晶体采用镉饱和气氛退火处理，实现镉原子热扩散消除碲锌镉晶体中导电类型转变界面、改善碲锌镉晶锭的均匀性和一致性。该方法提升了材料的光学性能、电学性能及组分均匀性和一致性，消除了碲锌镉晶锭表面的颜色转变区域。本方法具有消除碲锌镉晶体材料中的镉空位的效果，提升了碲锌镉晶体材料的红外光谱透过率，使碲锌镉基碲镉汞红外焦平面探测器组件响应图的均匀性和一致性得到显著改善。
一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面方法

[发明专利]一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法-CN202210855009.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，涉及碲镉汞芯片霍尔测试领域，包括：获得预处理碲镉汞芯片；预处理碲镉汞芯片的碲镉汞膜层需要电学引出的区域未覆盖钝化层，碲镉汞膜层除需要电学引出的区域外覆盖有钝化层；在碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长金属电极；金属电极与碲镉汞膜层形成欧姆接触；将探针与金属电极连接，并对碲镉汞膜层进行霍尔测试。本申请中在碲镉汞膜层上需要电学引出的区域生长金属电极，然后将探针与金属电极连接进行测试即可。生长金属电极的过程操作很简单，无需在需要电学引出的区域焊接导线，避免使用焊油和铟球，从而避免对碲镉汞芯片表面造成污染，同时避免铟对碲镉汞芯片性能造成的不良影响。
一种碲镉汞芯片进行霍尔测试方法

[发明专利]一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法-CN202211512462.2在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于一种半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法。本发明在碲镉汞外延材料P型热处理的过程中同时提供碲蒸气、镉蒸气和汞蒸气，克服了现有技术碲镉汞外延材料P型热处理过程中不进行镉气氛保护导致的碲镉汞外延材料内外组分不均匀的技术缺陷，解决了传统碲镉汞外延材料热处理方式造成的碲镉汞材料表面原子层组分低的问题，在调整碲镉汞P型材料电学参数的同时，也能对碲镉汞材料表面提供碲蒸气和镉气氛保护。碲镉汞P型材料在液氮温度下的载流子浓度能得到有效地控制，可提高碲镉汞光伏器件的性能和制备良率，有利于降低生产成本，实现工业化批量生产。
一种碲镉汞外延材料热处理方法

[发明专利]一种金掺杂液相外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法-CN202011156074.6有效
发明人：孔金丞;宋林伟;吴军;李东升;黄元晋;王文金;王志斌;陈姗;黄蓓;陶丽明;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金掺杂碲镉汞外延材料电学性能稳定性控制方法。本发明针对金掺杂液相外延碲镉汞材料热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体中扩散导致金掺杂碲镉汞外延材料电学参数不受控的问题，其方法包括：在金掺杂碲镉汞材料液相外延生长前，对碲锌镉衬底进行镉饱和退火，消除碲锌镉衬底中的镉空位，控制碲镉汞热处理时金掺杂原子向碲锌镉衬底中的扩散富集。本方法达到了消除碲锌镉晶体中的镉空位的效果，从而控制金掺杂碲镉汞薄膜热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体的扩散，提高了液相外延金掺杂碲镉汞薄膜电学性能稳定性及重复性控制。
一种掺杂外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法

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