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[发明专利]非易失性存储器-CN200710003743.4无效
发明人：魏鸿基;毕嘉慧 -专利权人：力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非易失性存储器，包括基底、多个NAND型存储单元区块、多个虚拟选择栅极线与多个阱区延伸结构。基底中设置有第一导电型阱区。多个NAND型存储单元区块设置于基底上，且在行方向上成镜像配置。NAND型存储单元区块各包括多个存储单元行、多条选择栅极线、多条源极线与多条位线。这些存储单元行配置成行/列阵列，在列的方向上每隔N行存储单元行(N为正整数)设置有两行虚拟存储单元行。每相邻两NAND型存储单元区块的源极线之间设置有两条虚拟选择栅极线。阱区延伸结构设置于两条虚拟选择栅极线之间的基底上，且位于虚拟位线下，并电连接虚拟位线与第一导电型阱区。
非易失性存储器

[实用新型]非易失性存储器-CN201520483612.0有效
发明人：郑宗文;郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司;郑宗文;郑育明
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非易失性存储器，具有存储单元。该存储单元包括：堆叠栅极结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区与漏极区、控制栅极和栅间介电层，其中堆叠栅极结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，进而增加存储器元件的可靠度。
非易失性存储器

[实用新型]非易失性存储器-CN202122666336.X有效
发明人：刘大平;潘荣华 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本公开提供一种非易失性存储器，涉及存储器技术领域。该存储器包括：存储单元阵列、第一锁存单元、第二锁存单元、第一缓存单元、第二缓存单元、错误校正码(ECC)单元和输出控制单元，其中，ECC单元用于分别通过第一锁存单元和第二锁存单元依次获取第一缓存单元和第二缓存单元中缓存的数据并进行
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器-CN200580004220.0有效
发明人：加藤清 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-02-04 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：通过在使用具有两个状态的、只能在一个方向上转换的存储元件的OTP型非易失性存储器中使用至少两个存储元件形成用于存储1位数据的存储单元。在使用具有H状态(第一状态)和L状态(第二状态)(下文简称为H和L)且只能在从L至H的一个方向上电转换的存储元件的OTP型非易失性存储器中，通过使用两个或两个以上存储元件形成用于存储1位数据的存储单元。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器-CN200580047649.8有效
发明人：汉斯·波依;卡伦·阿滕伯勒 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器(50)。提供了第二电极(56)。也提供了第一电极(51)。在第一电极(51)和第二电极(56)之间提供了具有多个电阻可变的相变单元(54)的记录层。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器-CN98804054.9无效
发明人： T·W·王 -专利权人：硅芯片公司
申请日： 1998-04-06 - 公布日： 2000-05-03 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种非易失性存储器单元形成在嵌入的P－阱中,不需要任何迭置的控制栅。结果可以用常规逻辑线路工艺形成非易失性存储器单元。通过使用衬底热电子注入效应和其发射极用作电荷注入器的横向双极晶体管,编程效率提高了,并使编程电压和电流与其他器件中较高的电压和电流相比降低了。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器-CN02823913.X无效
发明人：山本伸一;小川一文;美浓规央 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-12-16 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供非易失性存储器，其在基板上至少含有第一电极(71)、与第一电极(71)隔离的第二电极(72)、将第一电极(71)和第二电极(72)电连接的导电性有机薄膜(73)。这样，便提供了能够利用导电性有机薄膜(73)的电阻值的变化进行记录的写入和读出，而且容易集成化的非易失性存储器。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器-CN02824786.8无效
发明人：田中英行;大塚隆;森田清之;森本廉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-12-04 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储器(1)，包括：具有贯通表背面的多个第一电极(15)的绝缘基板(11)；在绝缘基板(11)的一方面侧形成的第二电极(12)；和夹持在第一电极(15)与第二电极(12)之间，通过在第一电极(15)与第二电极(12)之间加上电脉冲，改变电阻值的记录层(14)，在构成单一的存储单元(MC)的区域中，使多个第一电极(15)与记录层(14)电连接。如果利用该非易失性存储器(1)，则可以减少消耗功率，能够得到高的设计自由度和可靠性。
非易失性存储器

[发明专利]控制非易失性存储器器件的初始化的方法以及存储器系统-CN202011038170.0在审
发明人：金真怜;柳载德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：为了控制非易失性存储器器件的初始化，在装配包括第一非易失性存储器器件和第二非易失性存储器器件的存储器系统之前，将用于第一非易失性存储器器件的初始化的信息数据存储在第一非易失性存储器器件中。在装配存储器系统之后，将信息数据从第一非易失性存储器器件移动到第二非易失性存储器器件。基于存储在第二非易失性存储器器件中的信息数据来初始化第一非易失性存储器器件。通过将信息数据从第一非易失性存储器器件移动到具有快速的读取操作速度的第二非易失性存储器器件并使用从第二非易失性存储器器件读取的信息数据，有效地减少第一非易失性存储器器件的初始化时间。
控制非易失性存储器器件初始化方法以及存储器系统

[发明专利]对存储器设备中的非易失性存储器和易失性存储器进行同时存取的技术-CN201680067507.6有效
发明人： K·A·库查尔;C·C·拉德;R·P·曼戈尔德;S·K·塔卡尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：用于对存储器模块设备的存储器设备进行存取的技术，包括：接收来自主机的存储器读取请求，并且响应于存储器读取请求，对存储器模块设备的活动非易失性存储器设备的区块进行读取，而同时对存储器模块设备的易失性存储器设备进行存取易失性存储器设备与备用非易失性存储器设备共享存储器模块设备的数据总线的数据信号线，该备用非易失性存储器设备与活动非易失性存储器设备的区块相关联。在写入操作期间，对活动非易失性存储器设备的区块中的每个活动非易失性存储器设备和与活动非易失性存储器设备的区块相关联的备用非易失性存储器设备进行写入，以促进非易失性存储器设备的恰当损耗均衡。备用非易失性存储器设备可以替换活动非易失性存储器设备的区块中的失效非易失性存储器设备。在这种情况下，在活动非易失性存储器设备的区块的读取操作期间易失性存储器设备不再被同时存取。
存储器设备中的非易失性存储器和易进行同时存取技术

[发明专利]非易失性存储器的检测方法及相关设备-CN202110592072.X在审
发明人：吕晶 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G11C29/14 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种非易失性存储器的检测方法及相关设备，其中非易失性存储器的检测方法包括：控制服务器模拟器向非易失性存储器发送设定格式数据；向非易失性存储器发送保存指令，并在非易失性存储器响应于保存指令后，断开非易失性存储器的外部电源；向非易失性存储器发送恢复指令；在监测到非易失性存储器完成恢复动作后，获取非易失性存储器中存储的恢复数据，并将恢复数据与设定格式数据进行比对，以得到非易失性存储器的检测结果该非易失性存储器的检测方法检测过程无需依赖于服务器，整个检测过程不会涉及到服务器的重启，能够节省服务器重启所需的时间，能够大大减小检测非易失性存储器的时间成本，提高非易失性存储器的检测效率。
非易失性存储器检测方法相关设备

[发明专利]主机及其存储器模块和存储器控制器-CN202011396081.3在审
发明人：毕鉴忠 -专利权人：毕鉴忠;山东存储之翼电子科技有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供一种不具有控制器且不具有内置电源的存储器模块和其存储器控制器。存储器模块包含连接部分、第一非易失性存储器芯片以及第二非易失性存储器芯片。母板的存储器控制器通过连接部分由第一非易失性存储器芯片的本地接口存取第一非易失性存储器芯片。第二非易失性存储器芯片配置成存储第一非易失性存储器芯片的元数据的至少一个指针。第二非易失性存储器芯片的存储器类型不同于第一非易失性存储器芯片的存储器类型。存储器控制器通过连接部分存取存储在第二非易失性存储器芯片中的指针。
主机及其存储器模块控制器

[发明专利]存储装置-CN202010766527.0在审
发明人：金熙城;申铉旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储装置，其包括第一非易失性存储器装置、第二非易失性存储器装置和数据线。第二非易失性存储器装置具有与第一非易失性存储器装置不同的类型。数据线被第一非易失性存储器装置和第二非易失性存储器装置共享。通过数据线将第一数据同时提供至第一非易失性存储器装置和第二非易失性存储器装置，将第一数据写入至第二非易失性存储器装置，并且通过从第二非易失性存储器装置读取第一数据并将读取的第一数据提供至第一非易失性存储器装置将第一数据再编程至第一非易失性存储器装置中
存储装置

[发明专利]对系统进行配置的方法、计算系统以及物品-CN201380075623.9有效
发明人： J.K.让索涅;M.涅尔西赛安;A.巴米迪帕泰;J.E.斯科特 -专利权人：惠普发展公司，有限责任合伙企业
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G06F21/50 文献下载
摘要：响应于启动包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的系统，所述第一非易失性存储器包含系统引导代码，执行第二非易失性存储器的供应。所述供应包括检查第二非易失性存储器未被初始化，并且响应于确定了第二非易失性存储器未被初始化，将系统引导代码从第一非易失性存储器拷贝到第二非易失性存储器。
系统进行配置

[发明专利]存储器系统-CN202210008664.7在审
发明人：关川静香 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式提供能够适当地控制对非易失性存储器的访问的存储器系统。存储器系统具备非易失性存储器和控制器。非易失性存储器至少包括存储器芯片。控制器电连接于非易失性存储器，在向非易失性存储器发送包括第1指示和第2指示的序列的情况下，当非易失性存储器满足条件时，向非易失性存储器发送第1指示，在经过了第1期间之后，向非易失性存储器发送第2指示，在非易失性存储器不满足条件的情况下，向非易失性存储器发送第1指示，在经过了与第1期间不同的第2期间之后，向非易失性存储器发送第2指示。
存储器系统