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[发明专利]电子装置及操作电子装置的方法-CN202110245503.5在审
发明人：吴家彻 -专利权人：熵码科技股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G06F21/79 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子装置，包含第一非易失性存储器及应用电路。第一非易失性存储器存储使用全域密钥加密的加密数据。应用电路包含第二非易失性存储器、解密单元、本地密钥单元及加密单元。第二非易失性存储器存储全域密钥。解密单元耦接于第一非易失性存储器及第二非易失性存储器。解密单元从第二非易失性存储器撷取全域密钥，及使用全域密钥对加密数据进行解密以生成明文数据。本地密钥单元生成或存储本地密钥。加密单元耦接于本地密钥单元。加密单元使用本地密钥对明文数据加密以生成第二加密数据，及用第二加密数据覆盖第一非易失性存储器中的加密数据。
电子装置操作方法

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201710446458.3有效
发明人：谢明辉;连存德;林纪舜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器系统包括非易失性存储器阵列以及存储器控制器。非易失性存储器阵列用以存储数据。存储器控制器耦接非易失性存储器阵列。在电路板装设操作施加前，存储器控制器用以提供预设写入操作以写入数据至非易失性存储器阵列。在电路板装设操作施加后，存储器控制器用以提供正常写入操作以写入数据至非易失性存储器阵列。另外，一种存储器系统的操作方法也被提出。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]移动装置内的集成非易失性存储器与主易失性存储器的并行使用-CN201180032190.X有效
发明人：克里斯托弗·孔·伊·春 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明呈现一种具有非易失性存储器和主存储器的并行使用的移动装置。所述移动装置包括易失性存储器、非易失性存储器、在功能上耦合到所述非易失性存储器和所述易失性存储器的存储器控制器以及耦合到所述存储器控制器的处理器。所述处理器利用连续存储器映像寻址所述非易失性存储器和所述易失性存储器两者。或者，一种移动装置可包括易失性存储器、非易失性存储器、耦合到所述易失性存储器的存储器控制器、耦合到所述存储器控制器的处理器。所述处理器可在正常操作期间寻址所述易失性存储器。所述移动装置可进一步包括耦合到所述非易失性存储器和所述存储器控制器的阴影复制控制器，其中所述阴影复制控制器将存储在所述易失性存储器的指定部分中的信息复制到所述非易失性存储器中。
移动装置集成非易失性存储器主易失性存储器并行使用

[实用新型]一种存储器数据掉电保持装置-CN201520080084.4有效
发明人：王晔;雷志军;夏显秋 -专利权人：北京和利时机器控制技术有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种存储器数据掉电保持装置，包括：非易失性存储器、主电源、备份电源、主备切换电路，其中：非易失性存储器，用于进行数据存储；主电源，与所述非易失性存储器通过所述主备切换电路电性连接，用于在所述非易失性存储器正常工作时供电；备份电源，与所述非易失性存储器通过所述主备切换电路电性连接，用于在所述非易失性存储器正常工作时，通过所述主备切换电路进行电量存储，并在所述主电源掉电时，通过所述主备切换电路为所述非易失性存储器供电，将掉电需要存储的数据写入所述非易失性存储器本实用新型可以在备用电源的供给下实现掉电数据的存储，装置可以仅采用常用二极管、电容，电路连接关系简单、成本低。
一种存储器数据掉电保持装置

[发明专利]分析移动到非易失性存储器的RAM存储对象的方法和设备-CN200910212366.4无效
发明人： J·鲁德利克;J·赫尔伯特;J·王 -专利权人： J·鲁德利克;J·赫尔伯特;J·王
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：存储器分析系统分析存储在易失性存储器中的存储对象并识别作为将要被存储在存储器管理单元中以及从存储器管理单元直接读取的候选者的存储对象。该分析系统通过页面错误监视存储器存取并且识别将要被载入易失性存储器中的存储对象。分析系统使用页面错误来确定页面错误类型以及存储对象的写入频率，并确定存储对象的存储器存取类型。分析系统确定对象的存储器存取类型是否满足非易失性存储器技术的能力。如果存储器存取类型满足非易失性存储器技术的能力，则分析系统将存储对象识别为将要被转移至非易失性存储器并且从非易失性存储器直接读取的候选者。分析系统将存储对象候选者存储在非易失性存储器中以使得该存储对象从非易失性存储器直接读取。
分析移动非易失性存储器 ram 存储对象方法设备

[发明专利]具有多层级单元配置的非易失性存储器元件-CN202110640589.1在审
发明人： D·J·J·洛;卓荣发;陈学深 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有多层级单元配置的非易失性存储器元件，提供包括非易失性存储器元件的结构，以及制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一非易失性存储器元件包括第一电极、第二电极、以及第一电极与第二电极之间的切换层。第二非易失性存储器元件包括第一电极、第二电极、以及第一电极与第二电极之间的切换层。第一位线耦合至第一非易失性存储器元件的第一电极，以及耦合至第二非易失性存储器元件的第一电极。第二位线耦合至第一非易失性存储器元件的第二电极。
具有多层单元配置非易失性存储器元件

[发明专利]一种分层存储器阵列及其工作方法-CN201410053297.8有效
发明人：景蔚亮;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种分层存储器阵列及其工作方法，包括：易失性静态随机访问存储器阵列层(包括多个静态随机访问存储单元)；多个非易失性存储器阵列层(包括非易失性存储器单元组成的阵列)；控制端组，其包括静态随机访问存储器和非易失性存储器的多个控制端；每个易失性静态随机访问存储器的控制端控制着多个易失性静态随机访问存储器单元，每个非易失性存储器的控制端控制着多个非易失性存储器单元；非易失性存储器阵列层中的每一个非易失性存储器单元均与易失性静态随机访问存储器阵列层中的一个静态随机访问存储单元连接
一种分层存储器阵列及其工作方法

[发明专利]用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置-CN202111286472.4在审
发明人： D·J·J·洛;R·K·莱迪;陈学深 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置，揭示了包括非易失性存储器元件的结构和制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一、第二和第三非易失性存储器元件各自包括第一电极、第二电极、及在第一电极和第二电极之间的切换层。第一位线耦合到第一非易失性存储器元件的第一电极和第二非易失性存储器元件的第一电极。第二位线耦合到第三非易失性存储器元件的第一电极。
用于单元非易失性存储器元件多级配置

[发明专利]半导体存储器系统及控制其非易失性存储器的操作的方法-CN200810095327.6有效
发明人：徐熙权;孙汉求;金世振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：示例实施例涉及一种可以包括共享公共总线的易失性存储器和非易失性存储器的半导体存储器系统以及用于控制非易失性存储器的操作的方法。所述半导体存储器系统可以包括非易失性存储器和存储器控制器。所述非易失性存储器可以包括临时存储将被从存储器单元阵列读取或将被写入存储器单元阵列的数据的缓冲存储器和内部控制器。所述存储器控制器可以响应于控制信号将模式信号传输到非易失性存储器，所述控制信号与将要施加到非易失性存储器的读取模式或写入模式对应。响应于模式信号，如果将要施加读取模式，则内部处理器可以控制将被读取的数据被存储在缓冲存储器中，如果将要施加写入模式，则内部控制器可以控制缓冲存储器等待直到接收到写入命令。
半导体存储器系统控制非易失性存储器操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置、控制器及其操作方法-CN202111476322.X在审
发明人：申东旻;金真怜;朴世桓;徐荣德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器装置、控制器及其操作方法。所述控制器包括：非易失性存储器接口电路，连接到至少一个非易失性存储器装置，并且被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置；以及纠错电路，被配置为：根据从多个纠错解码等级之中选择的纠错解码等级，对从非易失性存储器接口电路接收的码字执行纠错操作，其中，非易失性存储器接口电路还被配置为：从所述至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息，基于辅助信息预测存储器单元的分布，以及根据预测的分布从所述多个纠错解码等级之中选择纠错解码等级。
非易失性存储器装置控制器及其操作方法

[发明专利]具有可编程耐久性的快闪存储器-CN200680020429.0无效
发明人：丹尼·达瑞尔;曼纳切姆·拉瑟 -专利权人：晟碟以色列有限公司
申请日： 2006-06-06 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：说明了用于配置非易失性存储器的至少一部分，以提供请求的有效耐久性的非易失性存储器设备、系统、方法和计算机可读取的代码。根据某些实施例，为非易失性存储器的一部分分配确定的物理存储器量。根据某些实施例，对于给定量的已配置的物理存储器，请求越大的有效耐久性会提供越小量的可逻辑寻址的存储器。根据某些实施例，对于给定量的可逻辑寻址的存储器，请求越大的有效耐久性会配置越大量的物理存储器。在某些实施例中，控制器用于配置非易失性存储器的所述至少一部分。作为选择或另外，驱动程序代码驻留在连接到非易失性存储器设备的主机设备上。可选地，在向非易失性存储器设备发出的命令中指定请求的耐久性的值。根据某些实施例，命令可以在制造非易失性存储器设备时和/或在非易失性存储器设备运行时发出。可以配置的示例性的非易失性存储器包括但是不局限于NAND快闪存储器、NOR快闪存储器和EEPROM存储器。
具有可编程耐久性闪存

[发明专利]用于操作非易失性存储器的方法和装置-CN202210201505.9在审
发明人： B·梅尔贝格;R·埃克斯特罗姆 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：提供了用于操作非易失性存储器的方法和装置。一种操作非易失性存储器的方法、例如计算机实现的方法，包括：确定非易失性存储器的第一块中是否有足够的空闲空间用于待写入非易失性存储器的数据，并且如果第一块中没有足够的空闲空间用于待写入非易失性存储器的数据，则将待写入的数据写入非易失性存储器的另外的块，例如第二块。
用于操作非易失性存储器方法装置

[发明专利]兼具存储处理和属性数据管理的混合存储器管理系统和方法-CN202080106334.0在审
发明人：牛迪民;关天婵;郑宏忠;李双辰 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：存储器模块可以包括配合设置至易失性存储器、非易失性存储器、非易失性存储器缓冲器和存储器映射输入/输出(MMIO)寄存器集合的混合媒体控制器。混合媒体控制器可被配置成用于向存储器模块的存储器映射空间的易失性存储器读取和写入数据。混合媒体控制器还可被配置成用于将批量数据读取和写入到存储器映射空间的非易失性存储器。混合媒体控制器还可以被配置成用于将随机访问粒度的数据读取和写入到存储器映射空间的非易失性存储器。混合媒体控制器还可以被配置成用于在存储器模块的非易失性存储器与易失性存储器之间的自索引移动数据。
兼具存储处理属性数据管理混合存储器管理系统方法

[发明专利]用于非易失性存储器系统以及存储器控制器的操作的方法-CN201611099993.8有效
发明人：朴永昊;朴赞益 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供用于非易失性存储器系统以及存储器控制器的操作的方法。一种操作包括具有多个存储器块的非易失性存储器装置的非易失性存储器系统的方法包括：选择非易失性存储器系统中的多个存储器块中的源块；基于已经对源块执行的编程和擦除循环的次数，执行针对源块的回收操作。
用于非易失性存储器系统以及存储器控制器操作方法

[发明专利]存储器写入驱动、方法、和系统-CN201680058996.9有效
发明人：巴尔·S·桑德胡;塞扎里·皮耶奇克;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：公开了用于非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备。通过控制施加到非易失性存储器设备的端子的电流和电压，可以在写入操作中将非易失性存储器设备置于多个存储器状态中的任何一个中。例如，写入操作可以跨非易失性存储器设备的端子施加编程信号，该编程信号具有特定电流和特定电压以用于将非易失性存储器设备置于特定存储器状态中。
存储器写入驱动方法系统