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[发明专利]发光装置以及距离测定装置-CN202280016984.5在审
发明人：上野博隆;森本廉;小岛启右 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置以及距离测定装置。发光装置(2)具备：激光光源(11)；蓄电元件(33)，用于向激光光源(11)供给驱动电流；多个开关元件(34a、34b)，与激光光源(11)串联地连接；和电气元件(齐纳二极管(37))，针对至少在下游侧连接了其它开关元件(34b)的开关元件(34a)，配置在开关开闭用信号的输入部(Pa)与接地之间，将超过开关开闭用信号的电压电平的高电平的噪声引导至接地。
发光装置以及距离测定

[发明专利]光源装置、投光装置-CN201680059866.7有效
发明人：山中一彦;森本廉;春日井秀纪;松村一幸;山口秀雄;铃木信靖 -专利权人：松下半导体解决方案株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：光源装置(1)具备：半导体发光装置(10)，具备具有第一主面(18a)以及第二主面(18b)的平板状的底座(14)、以及被配置在底座(14)的第一主面(18a)侧的半导体发光元件(11)；第一固定部(40)，具备按压第一主面(18a)的第一按压面(44)，且设置有第一贯通孔(46)；以及第二固定部(20)，具备按压第二主面(18b)的第二按压面(24)，且设置有第二贯通孔(26)，通过围住第一固定部(40)的第一贯通孔(46)的第一内侧面(42)与第二固定部(20)的第二外侧面(22)嵌合，从而底座(14)被固定在第一按压面(44)与第二按压面(24)之间，第一按压面(44)与第二按压面(24)的距离为底座(14)的厚度以下，并且，在底座(14)侧方，在第一按压面(44)与第二按压面(24)之间形成有空隙部(35)。
光源装置

[发明专利]照明装置、车辆及其控制方法-CN201480044242.9有效
发明人：山中一彦;森本廉;长崎纯久;白石诚吾 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： F21S41/176 文献下载
摘要：提高照明装置的控制性，提高耐久性。具备：光源(10)；聚光单元(20)，将从光源(10)射出的第1光(71)作为聚光光(73)聚光至波长变换元件(50)的规定的焦点位置(75)；波长变换元件(50)，接收所述聚光光(73)而在发光点(80)发出第2光(81)；以及投影透镜(60)，将所述第2光(81)作为投影光(85)进行投影。该照明装置(1)通过使聚光透镜(30)的焦点位置(75)变化，使相对于投影透镜的第2光(81)的发光点(80)变化，从而能够使第2光向任意方向投影。
照明装置车辆及其控制方法

[发明专利]光源以及图像投影装置-CN201380057851.3有效
发明人：春日井秀纪;山中一彦;森本廉 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： G03B21/14 文献下载
摘要：本发明提供一种光源以及图像投影装置。在将半导体发光元件与荧光体组合的光源中，高效地放射颜色纯度高的红色光。该光源具有：半导体发光元件；被固定或者旋转的第1波长变换部；和旋转的第2波长变换部，第2波长变换部具备吸收从半导体发光元件射出的射出光且放射与射出光不同的第2波长的光的第2波长变换区域、和透过射出光的透过区域，第1波长变换部吸收射出光，且放射比第2波长的光更长波长的第1波长的光，第1波长的光透过透过区域。
光源以及图像投影装置

[发明专利]波长变换构件、光源以及汽车用前照灯-CN201480002277.6有效
发明人：长尾宣明;白石诚吾;长崎纯久;铃木信靖;山中一彦;森本廉;滨田贵裕 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： F21V9/16 文献下载
摘要：波长变换构件(10A)具备：热传导单元(17)，其具有凹部；导光路(18)，其贯通热传导单元(17)，具有设置于凹部侧的光的出射口以及设置于与凹部相反的一侧的光的入射口；和波长变换单元(14)，其至少一部分埋入凹部，与热传导单元(17)相接而设置，将通过导光路(18)而入射的第1光变换为不同波长的第2光。波长变换单元(14)的与热传导单元(17)相接的部分的面积大于导光路(18)的出射口面积。导光路(18)由填充于贯通热传导单元(17)的开口部的、热传导率比空气大的透明材料构成。
波长变换构件光源以及汽车用前照灯

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN201380027682.9无效
发明人：萩野裕幸;吉田真治;森本廉 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光装置。氮化物半导体发光装置具备氮化物半导体发光元件(3)、和容纳氮化物半导体发光元件(3)的封装件(10)。封装件(10)具有：具有开口部(11c)的基台(11)、与基台(11)一起构成容纳氮化物半导体发光元件(3)的容纳空间的盖罩(30)、通过开口部(11c)并与氮化物半导体发光元件(3)电连接的引线管脚(14a、14b)、以及被填埋入开口部(11c)并将基台(11)与引线管脚(14a、14b)绝缘的绝缘部件(17a、17b)。绝缘部件(17a、17b)的至少与容纳空间面对的部分由不包含Si-O键的第1绝缘材料构成。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]发光装置以及投影装置-CN201380015184.2有效
发明人：春日井秀纪;森本廉;山中一彦;片山琢磨 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明的发光装置具备放射第一波长的光的半导体发光元件、和包含至少一种第一荧光体并且被上述第一波长的光激发而放射与上述第一波长的光不同的第二波长的光的第一波长变换部，上述荧光体包含作为激活剂的Eu(铕)，上述第一波长的光以1kW/cm²以上的光密度照射上述第一波长变换部，在设想为射入上述第一波长变换部的上述第一波长的光，和从上述第一波长变换部放射的上述第二波长的光的光输出比为η1的情况下，上述第一波长的光以5kW/cm²的光密度照射上述第一波长变换部时的光输出比η1₁，和上述第一波长的光以2.5kW/cm²的光密度照射上述第一波长变换部时的光输出比η1₂满足关系式1≤η1₂/η1₁≤1.17。
发光装置以及投影

[发明专利]非易失性闩锁电路及其驱动方法-CN200380107784.8无效
发明人：丰田健治;大塚隆;森本廉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明的非易失性闩锁电路(10)具有：具有第一电极(1a)、第二电极(1b)、和介于这些电极间的强电介质膜(1c)的强电介质电容器(1)；与第一电极(1a)连接的复位端子(Tre)；与强电介质电容器(1)的第二电极(1b)连接的CMOS反相器元件(2)；将电压施加在第二电极(1b)的电压切换用端子(Tpl)；连接于第二电极(1b)和第二输入端子(Tpl)间，切换施加在第二电极(1b)的电压的开关元件(5)、和将切换接通和断开用的电压施加在开关元件(5)的设定端子(Tse)。强电介质膜(1c)上残留的极化在第二电极(1b)产生的电压比CMOS反相器元件(2)的NMISFET(4)的门限值电压(Vtn)高。
非易失性闩锁电路及其驱动方法

[发明专利]驱动非易失性存储器的方法-CN200480001600.4无效
发明人： 森本廉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-06-24 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：作为具有电连接栅电极及基板的场效应晶体管(1)和使用了相变材料的电阻变化元件(2)的存储单元呈2维阵列状排列的、驱动非易失性存储器的方法，按照在规定的字线(WL_i)及位线(BL_j)之间施加上比场效应晶体管(1)的源极及基板间的pn结正向上升电压还大的电压的方式，在字线(WL_i)、位线(BL_j)及电压供给部(VA)的各个施加规定电压后，使施加到字线(WL_i)的电压急速或缓慢地返回初始电压，通过使该电阻变化元件(2)为高电阻或低电阻，消除或记录数据，通过使场效应晶体管(1)导通，检测该电阻变化元件(2)的电阻值，读出数据。
驱动非易失性存储器方法

[发明专利]电压发生电路、电压发生装置、半导体器件及其驱动方法-CN03824600.7无效
发明人：丰田健治;上田路人;森本廉;森田清之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：电压发生电路包含：电容器(4)、与电容器(4)串联连接的强电介质电容器(6)、输出端子(11)、使输出端子(11)接地的电容器(10)、电源电压供给端子(13)、连接电源电压供给端子(13)和2只电容器(4、6)的连接结点(N1)的开关(1)、以及连接连接结点(N1)和输出端子(11)的开关(9)。在第1期间，在使开关(1)及(9)为断开状态的状态下，使端子(3)接地，并把电源电压供给端子(7)，在第2期间，把电源电压供给端子(3)，且使开关(9)为导通状态，在第3期间，使开关(9)为断开状态，使开关(1)为导通状态，且使端子(7)接地，在第4期间，把电源电压供给端子(7)，从前述第1期间直到前述第4期间顺序重复进行。
电压发生电路装置半导体器件及其驱动方法

[发明专利]声音提供系统,服务器,客户机,信息提供管理服务器以及声音提供方法-CN03808026.5有效
发明人：大塚信之;森本廉;山田由佳;九津见洋;北尾信夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-04-03 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G06F3/16 文献下载
摘要：一种服务器，与多个客户机连接成可通信，向该客户机发送声音信息，并让其播放所发送的声音信息，具有：存放多个以由多个话语者的语音构成的一话语者的语音为内容的语音声音信息的存储装置；决定多个语音声音信息播放时序的时序决定装置；按照由时序决定装置播放时序进行播放，而对向每个客户机发送对应的所述语音声音信息的发送装置。
声音提供系统服务器客户机信息管理以及方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN03804919.8无效
发明人： 森本廉;田中英行;大塚隆;宫本明人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-07-01 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性存储器，包括第一电极(11)及第二电极(12)、和夹持于上述第一电极(11)和第二电极(12)之间并在上述第一电极(11)及第二电极(12)之间施加电脉冲从而使电阻值进行变化的相变化记录体(14)，上述第一电极(11)及第二电极(12)的至少一方含有钌、铑或锇中的至少一种以上作为主成分，上述相变化记录体(14)由含有硫族元素的相变化材料构成。根据该非易失性存储器，就可以抑制因通电的特性恶化(即，电极和相变化记录体的不纯物相互扩散)并可以提高耐久性及可靠性。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN03804920.1无效
发明人：田中英行;森本廉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-03-31 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性存储器，包括：具有贯通正反面的第一电极(18)的绝缘基板(11)；在绝缘基板(11)的一面侧上形成的第二电极(13)；以及夹持在第一电极(18)与第二电极(13)之间、通过对第一电极(18)与第二电极(13)之间施加电脉冲而改变电阻值的记录层(12)。绝缘基板(11)包括：有机介电体薄膜(112)与厚度小于有机介电体薄膜(112)的无机介电体薄膜(111)的叠层结构，在形成无机介电体层(111)的一侧形成记录层(12)。采用该非易失性存储器，能够省电力，同时能够增大数据可改写(更新)次数。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器-CN02824786.8无效
发明人：田中英行;大塚隆;森田清之;森本廉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-12-04 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储器(1)，包括：具有贯通表背面的多个第一电极(15)的绝缘基板(11)；在绝缘基板(11)的一方面侧形成的第二电极(12)；和夹持在第一电极(15)与第二电极(12)之间，通过在第一电极(15)与第二电极(12)之间加上电脉冲，改变电阻值的记录层(14)，在构成单一的存储单元(MC)的区域中，使多个第一电极(15)与记录层(14)电连接。如果利用该非易失性存储器(1)，则可以减少消耗功率，能够得到高的设计自由度和可靠性。
非易失性存储器

[发明专利]电位发生电路、电位发生装置和用它的半导体装置和其驱动方法-CN02814561.5无效
发明人：丰田健治;上田路人;森本廉;森田清之;岩田彻;梶原準 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-12-19 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明提供一种电位发生电路，具备电容器(4)；串联连接于电容器(4)上的强电介质电容器(6)；输出端子(11)；将输出端子(11)接地的电容(10)；将两个电容器(4、6)的连接节点(5)与输出端子(11)连接的开关(9)；及将连接节点(5)接地的开关(1)，在第一期间中，在开关(1)及开关(9)变为截止状态的状态下，向端子(3)提供正电位，同时，将端子(7)接地，在所述第一期间之后的第二期间，将端子(3)接地，且开关(9)变为导通状态，在所述第二期间之后的第三期间，开关(9)变为截止状态，开关(1)变为导通状态，且向端子(7)提供正电位，在所述第三期间之后的第四期间，将端子(7)接地，重复所述第一期间到所述第四期间。
电位发生电路装置半导体驱动方法

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