专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构-CN202211336690.9在审
  • 刘冬华 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-10-28 - 2022-12-30 - H01L29/78
  • 所述衬底包括垂直堆叠的第一区和位于第一区上的第二区,所述第二区包括漂移区和体区,所述漂移区和体区沿平行于衬底表面的方向排列,所述漂移区内具有第一离子;位于衬底上的栅极结构,所述栅极结构横跨所述漂移区和体区;位于衬底内的结隔离结构,所述结隔离结构内具有第二离子,所述第二离子的导电类型与第一离子的导电类型相反,所述结隔离结构位于部分所述漂移区内和部分所述第一区内。
  • 半导体结构
  • [发明专利]背照式图像传感器及形成方法-CN202210024913.1在审
  • 赵立新;黄琨;陈青钰 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2022-01-11 - 2023-07-21 - H01L27/146
  • 本发明提供一种背照式图像传感器及形成方法,其特征在于,包括:外延叠层,包括自下而上堆叠的噪声收集层、第一隔离层及感光层;噪声溢出通道,设于所述外延叠层内,包括自下而上堆叠的注入/外延溢出部;其中,噪声依次经所述噪声收集层通过形成开口,离子注入工艺仅对开口底部的第一隔离层进行注入,对于感光层的厚度没有限制,因此可以按需要的满阱电容设计使用较厚的感光层。同时,通过设定第一隔离层的厚度和浓度,可以控制感光单元与噪声收集层之间的势垒。
  • 背照式图像传感器形成方法

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