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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄型显示器的接口-CN87101705.9无效
发明人：近藤健一 -专利权人：精工电子工业株式会社
申请日： 1987-03-02 - 公布日： 1990-08-08 - 主分类号： G06F3/147 文献下载
摘要：一种薄型显示器用的接口，具有定时电路、若干随机存取存储器、彩色数据处理电路和定时信号发生器。定时电路用以定时，以便将有效彩色显示数据按同步信号引入诸随机存取存储器中。随机存取存储器用以存储所述有效彩色显示数据。彩色数据处理电路用以利用所存储的彩色显示数据产生所希望的混色数据。定时信号发生器用以产生控制薄型彩色显示面板驱动器所需要的定时信号。
显示器接口

[发明专利]电阻式随机存取存储单元的检测方法-CN201810716934.3有效
发明人：林立伟;陈俞安;李冠毅;曾宣宝 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储单元的检测方法，包括：取得电阻式随机存取存储单元，并测量电阻式随机存取存储单元的存储单元电流；当存储单元电流的电流数值大于第一门限值时，对电阻式随机存取存储单元进行多个重置操作及设定操作的至少其中之一者，并判断电阻式随机存取存储单元的阻值状态是否在经历前述重置操作及设定操作的至少其中之一者之后相应地切换。若否，对电阻式随机存取存储单元进行复原操作以复原电阻式随机存取存储单元；若是，判定电阻式随机存取存储单元处于健康状态。
电阻随机存取存储单元检测方法

[发明专利]一种存储器单元、存储器单元结构以及存储器单元阵列-CN201610231236.5在审
发明人：曹恒;仇圣棻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器单元、存储器单元结构以及存储器单元阵列，包括第一二极管，第二二极管以及一随机存取存储器组件，其中，所述第一二极管和所述随机存取存储器组件的串联电路电连接到位线和字线之间，流经所述第一二极管和所述随机存取存储器组件的电流路径构成置位路径，所述第二二极管和所述随机存取存储器组件的串联电路电连接到所述字线和复位线之间，流经所述随机存取存储器组件和所述第二二极管的电流路径构成复位路径。本发明的存储器单元一个二极管用于实现读操作和置位操作，另一个二极管用于实现复位操作，提高了正向电流，降低了漏电流，且具有较小的尺寸。
一种存储器单元结构以及阵列

[发明专利]集成电路以及集成电路方法-CN201110035473.1有效
发明人：邓儒杰;许国原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路以及集成电路方法，其中该集成电路包括静态随机存取存储器阵列，耦接至第一电压供应节点以及第二电压供应节点。第一以及第二电压供应节点提供保存电压跨接于静态随机存取存储器阵列。电流限制器，配置于静态随机存取存储器阵列以及第一电压供应节点之间，以及电压调整器，并联耦接上述电流限制器于静态随机存取存储器阵列以及第一电压供应节点之间，电压调整器用以维持保存电压高于一既定电平。本发明具有溢漏防护的电路，能提供更可靠的数据保存。
集成电路以及方法

[发明专利]一种非易失性存储器系统-CN201880054925.0有效
发明人： H·V·特兰;A·李;T·乌;S·洪;F·周;X·刘;N·多 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：本文公开了用于写入到电阻式随机存取存储器单元并从电阻式随机存取存储器单元读取的电路的许多实施方案。本文还公开了用于电阻式存取存储器单元阵列的各种架构和布局。
一种非易失性存储器系统

[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法-CN202010776346.6在审
发明人：林大钧;蔡旻桦;侯泰成;蔡馥郁;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器结构包含一介电层，一第一磁阻式随机存取存储器、一第二磁阻式随机存取存储器和一第三磁阻式随机存取存储器由右至左设置在介电层上，第二磁阻式随机存取存储器包含一磁性隧穿结，二个间隙分别位于第一磁阻式随机存取存储器和第二磁阻式随机存取存储器之间以及位于第二磁阻式随机存取存储器和第三磁阻式随机存取存储器之间，二个伸张应力材料块分别设置于各个间隙中
磁阻随机存取存储器结构及其制作方法

[发明专利]数据恢复装置、方法和可穿戴设备-CN202210232085.0在审
发明人：曾德炎;张黎明;苏倩;陈铭永;何洋 -专利权人：云码智能(海南)科技有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种数据恢复装置、方法和可穿戴设备，其中所述数据恢复装置包括：非易失性存储器，所述非易失性存储器的地址线分别与随机存取存储器的地址线对应连接，并且所述非易失性存储器的数据线分别与所述随机存取存储器的数据线对应连接；看门狗电路，用于检测系统是否正常，当所述看门狗电路检测到系统异常时，发出备份控制信号使所述随机存取存储器的被选通的存储单元的数据通过所述数据线写入到所述非易失性存储器的被选通的存储单元，直至所述随机存取存储器的全部存储单元的数据被写入所述非易失性存储器
数据恢复装置方法穿戴设备

[发明专利]动态随机存取存储器初始化设定方法-CN200410082578.2有效
发明人：朱修明;何宽瑞;吴宗哲 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2004-09-21 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器初始化设定方法，适用于多个动态随机存取存储器。首先，根据预定起始参数初始化动态随机存取存储器，检测动态随机存取存储器的个数，得到第一个数。根据动态随机存取存储器的硬件信息而设定最佳化起始参数，根据最佳化起始参数重新初始化动态随机存取存储器。检测动态随机存取存储器的个数，得到第二个数。若第二个数少于第一个数，则改变初始化动态随机存取存储器的起始参数。
动态随机存取存储器初始化设定方法

[发明专利]静态随机存取存储器-CN200610118818.9有效
发明人：赵光来 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种静态随机存取存储器，特别是涉及使写操作功耗降低的静态随机存取存储器。本发明静态随机存取存储器提供了控制位线隔离端的位线隔离电路和控制互补位线隔离端的互补位线隔离电路，所述位线或互补位线隔离电路包括位线或互补位线节点信号电路和位线或互补位线隔离信号电路，所述位线或互补位线隔离电路产生位线或互补位线隔离信号，通过位线或互补位线隔离信号对于位线隔离端和互补位线隔离端实现分别独立控制，使得同一时刻同一存储单元阵列上的位线或互补位线只有一条导通，从而降低了位线或互补位线上的电流功耗，进而降低整个静态随机存取存储器的功耗
静态随机存取存储器

[发明专利]动态随机存储器-CN200610118819.3有效
发明人：赵光来 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储器，特别是涉及使写操作功耗降低的动态随机存取存储器。本发明动态随机存取存储器提供了控制位线隔离端的位线隔离电路和控制互补位线隔离端的互补位线隔离电路，所述位线或互补位线隔离电路包括位线或互补位线节点信号电路和位线或互补位线隔离信号电路，所述位线或互补位线隔离电路产生位线或互补位线隔离信号，通过位线或互补位线隔离信号对于位线隔离端和互补位线隔离端实现分别独立控制，使得同一时刻同一存储单元阵列上的位线或互补位线只有一条导通，从而降低了位线或互补位线上的电流功耗，进而降低整个动态随机存取存储器的功耗
动态随机存储器

[发明专利]密码存储器认证-CN202010624979.5在审
发明人： I·J·奥利弗;J·科克;G·林蒙特 -专利权人：诺基亚技术有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G06F21/78 文献下载
摘要：根据本发明的示例方面，提供了一种设备，包括：随机存取存储器器件；通过第一接口与该随机存取存储器器件耦合的至少一个处理核；以及包括哈希函数电路并通过第二接口直接与该随机存取存储器器件耦合的安全硬件元件，该安全硬件元件被配置为：从随机存取存储器器件的存储器空间获得数据作为输入；产生该输入的哈希值作为输出；以及使用该设备的物理不可克隆函数值来对该哈希值进行密码签名。
密码存储器认证

[发明专利]动态随机存取存储器结构及其制造方法-CN201610967723.8有效
发明人：林志豪 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明涉及一种动态随机存取存储器结构及其制造方法，所述方法包括下列步骤。提供基底，其中基底包括存储单元区与周边电路区。于存储单元区中形成动态随机存取存储器。动态随机存取存储器包括耦接至电容结构的电容接触窗。于周边电路区中形成具有金属栅极结构的晶体管结构。金属栅极结构是通过使用虚拟栅极的制程所形成。电容接触窗与虚拟栅极是由同一层导体层所形成。所述方法可有效地将动态随机存取存储器的制程与具有金属栅极结构的晶体管结构的制程进行整合。
动态随机存取存储器结构及其制造方法

[发明专利]穿隧式磁阻的感测装置及其感测方法-CN201410468587.9有效
发明人：林嘉亮 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种穿隧式磁阻的感测装置包含磁性随机存取存储器阵列、参考单元及感测放大器闩锁电路。磁性随机存取存储器阵列包含校正单元与多个数据单元。多个数据单元则用以储存使用者数据。感测放大器闩锁电路比较于磁性随机存取存储器阵列的一受选磁性随机存取存储器单元的阻抗与参考单元的阻抗，并依据比较的结果输出逻辑信号。其中，校正单元、多个数据单元与参考单元中的每一者为一磁性存取存储器单元，并且控制信号是通过在校正程序中比较校正单元的阻抗与参考单元的阻抗来建立。
穿隧式磁阻装置及其方法

[发明专利]包括磁性随机存取存储器的半导体装置-CN201810523369.9在审
发明人：曾皇文;吴正洲;张哲睿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种包括磁性随机存取存储器的半导体装置。磁性随机存取存储器包括多个磁性随机存取存储器单元。多个磁性随机存取存储器单元包括第一类型磁性随机存取存储器单元及第二类型磁性随机存取存储器单元。每个磁性随机存取存储器单元中包括磁性隧道结层，磁性隧道结层包括被钉扎磁性层、隧穿势垒层及自由磁性层。第一类型与第二类型磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结膜堆叠的尺寸不同。在一或多个以上及以下实施例中，第一类型与第二类型磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结膜堆叠的宽度不同。
磁性随机存取存储器单元磁性随机存取存储器磁性隧道结层结膜半导体装置磁性隧道堆叠被钉扎磁性层隧穿势垒层自由磁性层

[发明专利]动态随机存取存储器的测试方法、测试焊盘的设计方法、存储器晶圆-CN201510293319.2在审
发明人：李怀兆;俞大立;方晓东;黄泽 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于动态随机存取存储器的测试方法，包括：提供设置有若干动态随机存取存储器的存储器晶圆，动态随机存取存储器间的切割道上设置有若干测试焊盘，至少两个动态随机存取存储器共用相邻的测试焊盘；选通测试焊盘同时对一个或多个动态随机存取存储器进行晶圆测试本发明增加了动态随机存取存储器有效的版上面积，提高了动态随机存取存储器的测试效率，节省了测试时间。
动态随机存取存储器测试方法设计存储器

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