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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]动态随机存取存储器初始化设定架构及方法-CN200410082585.2有效
发明人：朱修明;李维祥 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2004-09-21 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器初始化架构。检测电路，用以检测动态随机存取存储器的状态是否变化，当动态随机存取存储器的状态未变化时，输出快速启始信号。缓存器，用以储存启始参数。一存储器控制器，用以根据动态随机存取存储器的硬件信息而设定启始参数，当计算机系统重新启动且接收到快速启始信号时，直接读取缓存器所储存的启始参数，并根据启始参数初始化动态随机存取存储器。
动态随机存取存储器初始化设定架构方法

[发明专利]半导体存储装置-CN02122786.1有效
发明人：三浦誓士;鲇川一重 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有大容量非易失性存储体的半导体存储装置，以使大容量的非易失性存储体的存取时间及随机存取存储体的存取时间相匹配。本发明的半导体存储装置包含非易失性存储体，其具有第1读取时间；随机存取存储体，其具有第2读取时间，其读取时间较前述第1读取时间至少少100倍以上；电路，与前述非易失性存储体及前述随机存取存储体结合，并包含一控制电路，用于控制对前述随机存取存储体及前述非易失性存储体的存取；及多个输入输出端子，与前述电路结合。本发明通过将FLASH的数据传送给DRAM对DRAM存取，以使存取时间匹配，并适时从DRAM将数据写回FLASH，以使数据匹配及保存。
半导体存储装置

[发明专利]集成电路装置与其制造方法-CN202010513463.3在审
发明人：萧清泰;陈升照;匡训冲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种集成电路装置与其制造方法。使用填充电阻切换随机存取存储器单元之间的区域且改变高度以与较高电阻切换随机存取存储器单元及较矮电阻切换随机存取存储器单元二者的顶部对准的介电复合物，来解决在包括不同高度的电阻切换随机存取存储器单元的装置中形成提供一致结果的顶部电极通孔的问题可在介电复合物之上形成刻蚀停止层，以在较高电阻切换随机存取存储器单元及较矮电阻切换随机存取存储器单元二者之上提供相等厚度的耐刻蚀介电质。介电复合物使刻蚀停止层横向延伸远离电阻切换随机存取存储器单元，以在即使通孔开口未对准时仍保持通孔开口与电阻切换随机存取存储器单元侧之间的分开。
集成电路装置与其制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器的输出驱动强度校正电路及方法-CN200310114957.0有效
发明人：张棋 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器的输出驱动强度校正电路及方法，应用一驱动强度自动补偿电路，来将存储器控制芯片的输出发生器的阻值，调整为动态随机存取存储器的输出驱动强度的目标值，故可直接应用存储器控制芯片的输入比较器，来读取动态随机存取存储器，以产生输出值，而无须外加的高增益比较器，即可精确地校正动态随机存取存储器的输出驱动强度，且电路易于制作，并易于校正工作的进行。
动态随机存取存储器输出驱动强度校正电路方法

[发明专利]有金属氧化物的多阶电阻随机存取存储结构及其制造方法-CN200710196789.2有效
发明人：赖二琨;何家骅;谢光宇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种有金属氧化物的多阶电阻随机存取存储结构及其制造方法，此结构包括多个可编程电阻随机存取存储单元，每一可编程电阻随机存取存储单元包括多个存储构件，以在每一存储单元中进行多位存储。此双稳态电阻随机存取存储器包括第一电阻随机存取构件，其经过内连接金属衬底与金属氧化物长条而连接至第二电阻随机存取构件。第一电阻随机存取构件具有第一电阻值Ra，其由第一电阻随机存取构件的厚度所决定，取决于第一电阻随机存取构件的沉积步骤。第二电阻随机存取构件具有第二电阻值Rb，其由第二电阻随机存取构件的厚度所决定，取决于第二电阻随机存取构件的沉积步骤。
金属氧化物电阻随机存取存储结构及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN200710162431.8有效
发明人：三浦誓士;鲇川一重 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储容量大且可高速读取、写入的ROM及存储容量大且数据保持电流少的RAM。本发明的半导体存储装置包括：非易失性存储器，其具有第1读取时间；随机存取存储器，其具有读取时间较所述第1读取时间短100倍以上的第2读取时间；控制电路，其与所述非易失性存储器及所述随机存取存储器连接，用于控制对所述随机存取存储器及所述非易失性存储器的存取；及多个输入输出端子，与所述控制电路连接，其中所述控制电路按照从所述多个输入输出端子输入的信号，控制所述非易失性存储器和所述随机存取存储器之间的数据传送。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN200710152877.2无效
发明人：三浦誓士;鲇川一重 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储容量大且可高速读取、写入的ROM及存储容量大且数据保持电流少的RAM。本发明的半导体存储装置包括：非易失性存储器，其具有第1读取时间；随机存取存储器，其具有读取时间较所述第1读取时间短100倍以上的第2读取时间；控制电路，其与所述非易失性存储器及所述随机存取存储器连接，用于控制对所述随机存取存储器及所述非易失性存储器的存取；及多个输入输出端子，与所述控制电路连接，其中所述控制电路按照从所述多个输入输出端子输入的信号，控制所述非易失性存储器和所述随机存取存储器之间的数据传送。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN200710162432.2无效
发明人：三浦誓士;鲇川一重 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储容量大且可高速读取、写入的ROM及存储容量大且数据保持电流少的RAM。本发明的半导体存储装置包括：非易失性存储器，其具有第1读取时间；随机存取存储器，其具有读取时间较所述第1读取时间短100倍以上的第2读取时间；控制电路，其与所述非易失性存储器及所述随机存取存储器连接，用于控制对所述随机存取存储器及所述非易失性存储器的存取；及多个输入输出端子，与所述控制电路连接，其中所述控制电路按照从所述多个输入输出端子输入的信号，控制所述非易失性存储器和所述随机存取存储器之间的数据传送。
半导体存储装置

[发明专利]具有独立源漏设计的三栅静态随机存取存储器及由其制成的器件-CN200980139208.9有效
发明人： R·皮拉雷西蒂;W·拉奇马迪;B·多伊尔;R·S·仇 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储器电路包括：至少一个存取器件，其包括通路区域的源和漏部分；至少一个上拉器件；以及至少一个下拉器件，其包括下拉区域的源和漏部分。静态随机存取存储器电路被配置为下拉区域的外部电阻率(Rext)低于通路区域的Rext。获得静态随机存取存储器电路的工艺包括源和漏外延。
具有独立设计静态随机存取存储器制成器件

[发明专利]集成电路、电源验证电路与电源验证方法-CN202110243198.6在审
发明人：李粮全 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路、电源验证电路与电源验证方法。所述电源验证电路包括一电流源、一电阻式随机存取存储器单元以及一齐纳二极管。上述电流源耦接于一电源端。上述电阻式随机存取存储器单元耦接于上述电流源以及一接地端之间。上述齐纳二极管具有一阳极耦接于上述电阻式随机存取存储器单元以及一阴极耦接于上述电源端。上述电阻式随机存取存储器单元的阻抗是由施加在上述电源端的一电源电压所决定。
集成电路电源验证电路方法

[发明专利]具有深度学习加速器和随机存取存储器的集成电路装置-CN202180025067.9在审
发明人： P·卡利;J·卡明斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：描述了与深度学习加速器和存储器相关的系统、装置和方法。集成电路可经配置以至少对矩阵操作数执行计算且经配置有：随机存取存储器，其经配置以存储可由所述深度学习加速器执行的指令且存储人工神经网络的矩阵；所述随机存取存储器与所述深度学习加速器之间的连接；以及到存储器控制器的接口所述接口可经配置以促进所述存储器控制器对所述随机存取存储器的存取。响应于在所述随机存取存储器中提供的指示，所述深度学习加速器可以执行所述指令以将存储于所述随机存取存储器中的输入应用于所述人工神经网络，从所述人工神经网络产生输出，且将所述输出存储于所述随机存取存储器中。
具有深度学习加速器随机存取存储器集成电路装置

[发明专利]用于无线电设备的存储器保留-CN202210065374.6在审
发明人：维尔·梅里厄 -专利权人：北欧半导体公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明公开用于无线电设备的存储器保留。本文件公开用于控制动态随机存取存储器的存储器资源的刷新的解决方案。根据一个方面，公开了用于无线电设备的装置，包括：动态随机存取存储器电路；存储器分配器，被配置成分配来自动态随机存取存储器电路的存储器资源并且确定未分配的存储器资源；无线电调制解调器，被配置成与存储器分配器进行通信以获得来自动态随机存取存储器电路的存储器资源；存储器刷新电路，被配置成刷新动态随机存取存储器电路的存储器资源；和控制器，被配置成基于从无线电设备的无线电调制解调器接收到的状态改变信号来确定无线电调制解调器处于空闲状态，并且响应于确定，控制存储器刷新电路禁用未分配的存储器资源的刷新
用于无线电设备存储器保留

[发明专利]视频帧转置装置与方法-CN201610957319.2在审
发明人：黄正颜;赖俊元 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H04N5/14 文献下载
摘要：所述视频帧转置装置包括同步动态随机存取存储器以及视频转置电路。视频转置电路耦接至同步动态随机存取存储器。视频转置电路将视频帧的多个像素以逐行扫描方式循序写入同步动态随机存取存储器。视频转置电路可以将视频帧切分为多个列组，以将视频帧的多个行的每一个切分为多个子行。视频转置电路以逐列组方式分别对这些列组的每一个进行列组内扫描，以便从同步动态随机存取存储器中离散读取这些子行。
视频帧转置装置方法

[发明专利]利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法-CN201910082292.0有效
发明人：金镇湖;康太京 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法。根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法生成的动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元对各自的第一动态随机存取存储器单元及第二动态随机存取存储器单元共享支撑条及位线插头。由此，根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法所生成的动态随机存取存储器单元阵列，很大程度地减少整体布局面积。并且，在本发明优选实施例的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法中，动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元各自的存储器呈具有多个侧面突出部的多鳍类型，从而很大程度地增加存储器的面积。
利用支撑动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法

[发明专利]制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的方法和电路-CN201910759607.0有效
发明人：应继锋;王仲盛;侯敦晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种写入磁性随机存取存储器单元的方法包括：将交流信号施加到具有第一磁取向的磁性随机存取存储器单元，以及将直流脉冲施加到磁性随机存取存储器单元以将磁性随机存取存储器单元的磁取向从第一磁取向改变为第二磁取向本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的电路。
制造半导体器件方法写入 mram 单元电路

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