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[发明专利]基于RAM总线的Turbo译码存储方法及装置和译码器-CN202010750180.0有效
发明人：马文佳;刘莹;杨茂丰;马杨飞;马越 -专利权人：北京芯领航通科技有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H03M13/25 文献下载
摘要：本发明提供一种基于RAM总线的Turbo译码存储方法，在不损失性能和速度的情况下，节省Turbo译码的硬件开销；包括：1)设置第一随机存取存储器ram1，接收总线数据；2)设置第二随机存取存储器ram2；从总线上接收一组数据后，进行解复用，把信息位存储到第二随机存取存储器ram2中；3)将解复用后的校验位存储到第一随机存取存储器ram1中，重复利用ram1；4)将译码输出的译码结果也存储到第一随机存取存储器本发明还提供采用所述存储方法的Turbo译码存储装置及译码器。
基于 ram 总线 turbo 译码存储方法装置译码器

[发明专利]一种存储器单元、存储器单元结构以及存储器单元阵列-CN201610231236.5在审
发明人：曹恒;仇圣棻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器单元、存储器单元结构以及存储器单元阵列，包括第一二极管，第二二极管以及一随机存取存储器组件，其中，所述第一二极管和所述随机存取存储器组件的串联电路电连接到位线和字线之间，流经所述第一二极管和所述随机存取存储器组件的电流路径构成置位路径，所述第二二极管和所述随机存取存储器组件的串联电路电连接到所述字线和复位线之间，流经所述随机存取存储器组件和所述第二二极管的电流路径构成复位路径。本发明的存储器单元一个二极管用于实现读操作和置位操作，另一个二极管用于实现复位操作，提高了正向电流，降低了漏电流，且具有较小的尺寸。
一种存储器单元结构以及阵列

[发明专利]数据处理方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质-CN202310659113.1在审
发明人：曾裕;赖鼐;龚晖 -专利权人：珠海妙存科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据处理方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，涉及数据处理技术领域，数据处理方法根据第一数据操作请求，检测随机存取存储器的数据存储区的剩余容量能否存储目标映射表；在检测到数据存储区的剩余容量能够存储目标映射表的情况下，将目标映射表存储于数据存储区。本申请实施例的数据处理方法将目标映射表存储于随机存取存储器的数据存储区，以使随机存取存储器能够存储更多映射表，当数据操作对应的目标映射表存储于随机存取存储器时，在进行数据操作时无需访问闪存存储器，因此，随机存取存储器存储更多映射表能够降低访问闪存存储器的次数，从而提高数据操作的效率。
数据处理方法装置电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]半导体存储装置-CN200710162431.8有效
发明人：三浦誓士;鲇川一重 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储容量大且可高速读取、写入的ROM及存储容量大且数据保持电流少的RAM。本发明的半导体存储装置包括：非易失性存储器，其具有第1读取时间；随机存取存储器，其具有读取时间较所述第1读取时间短100倍以上的第2读取时间；控制电路，其与所述非易失性存储器及所述随机存取存储器连接，用于控制对所述随机存取存储器及所述非易失性存储器的存取；及多个输入输出端子，与所述控制电路连接，其中所述控制电路按照从所述多个输入输出端子输入的信号，控制所述非易失性存储器和所述随机存取存储器之间的数据传送。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN200710152877.2无效
发明人：三浦誓士;鲇川一重 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储容量大且可高速读取、写入的ROM及存储容量大且数据保持电流少的RAM。本发明的半导体存储装置包括：非易失性存储器，其具有第1读取时间；随机存取存储器，其具有读取时间较所述第1读取时间短100倍以上的第2读取时间；控制电路，其与所述非易失性存储器及所述随机存取存储器连接，用于控制对所述随机存取存储器及所述非易失性存储器的存取；及多个输入输出端子，与所述控制电路连接，其中所述控制电路按照从所述多个输入输出端子输入的信号，控制所述非易失性存储器和所述随机存取存储器之间的数据传送。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN200710162432.2无效
发明人：三浦誓士;鲇川一重 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储容量大且可高速读取、写入的ROM及存储容量大且数据保持电流少的RAM。本发明的半导体存储装置包括：非易失性存储器，其具有第1读取时间；随机存取存储器，其具有读取时间较所述第1读取时间短100倍以上的第2读取时间；控制电路，其与所述非易失性存储器及所述随机存取存储器连接，用于控制对所述随机存取存储器及所述非易失性存储器的存取；及多个输入输出端子，与所述控制电路连接，其中所述控制电路按照从所述多个输入输出端子输入的信号，控制所述非易失性存储器和所述随机存取存储器之间的数据传送。
半导体存储装置

[发明专利]控制静态随机存取存储器预先充电行为的控制装置及方法-CN200810108763.2有效
发明人：邱明正;沈孟纬 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种控制装置及控制方法，用以控制静态随机存取存储器的预先充电行为，控制装置包含：检测模块、控制模块及预先充电模块。检测模块用以检测静态随机存取存储器中，被存取的存储器单元的列地址是否改变，并根据检测结果产生列地址改变信号；控制模块用以检测静态随机存取存储器的操作模式，并根据操作模式及列地址改变信号产生禁止信号；以及预先充电模块用以根据伪预先充电信号及禁止信号产生预先充电信号，其中预先充电信号实质地控制静态随机存取存储器中，被存取的存储器单元的预先充电行为。
控制静态随机存取存储器预先充电行为装置方法

[发明专利]低漏电流的动态随机存取存储器及其相关制造方法-CN201710671760.9在审
发明人：黄立平 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种低漏电流的动态随机存取存储器及其相关制造方法。所述制造方法包含在一基底内形成所述动态随机存取存储器的多个栅极；通过一第一离子注入在所述基底内形成所述动态随机存取存储器的多个漏/源极；及在所述多个漏/源极形成后，通过一第二离子注入在所述多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方形成多个轻掺杂漏极，其中所述多个轻掺杂漏极是用来降低所述动态随机存取存储器内的漏电流，且所述第二离子注入具有一预定入射角度。因此，所述多个轻掺杂漏极可有效降低所述动态随机存取存储器的总漏电流。也就是说本发明将可使具有所述动态随机存取存储器的便携式电子产品的待机时间大幅延长。
漏电动态随机存取存储器及其相关制造方法

[发明专利]静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法-CN200710126501.4有效
发明人：黄艳;黄威森;邵芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，针对沟道宽度或/和沟道长度与设计尺寸不同的MOS管，至少挑选两个；测量所挑选的MOS管的阈值电压；根据所测量的MOS管的阈值电压建立覆盖阈值电压变化分布的MOS管模型；根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下相应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随阈值电压变化的关系；根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下，不同沟道宽度或沟道长度的MOS管对应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随沟道宽度或沟道长度变化的关系。本发明静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法结果更精确。
静态随机存取存储器电路稳定性仿真方法

[发明专利]可动态调整供电保护的DDR5存储器模块及其工作方法-CN202210965651.9有效
发明人：郭威成;翁友民;黄庭鑫;罗晓东;虞青松 -专利权人：深圳市铨兴科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了可动态调整供电保护的DDR5存储器模块，包括多个动态随机存取存储器，以及电源管理集成电路PMIC，微处理器MCU，与PMIC、动态随机存取存储器连接，SPD Hub，将所需电源参数提供给PMIC，并且经由PMIC提供所设定微处理器MCU的工作电压提供给动态随机存取存储器；BIOS，通过SPD Hub参数调整所需工作频率及工作电压；电压检测模块，与微处理器MCU连接，本发明可通过微调存储器上供应给动态随机存取存储器的电压来提高动态随机存取存储器的批次良率，更易侦错及信息取得，提高使用寿命，本发明还公开了存储器模块的工作方法，可以实现更好的功率分布、提高信号完整性并减少噪音。
动态调整供电保护 ddr5 存储器模块及其工作方法

[发明专利]静态随机存取存储器的操作电压的调整方法-CN200810185911.0有效
发明人：郭建利;刘复晁;侯俊良;谢明进 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种可达到最佳化静态随机存取存储器的最小操作电压的调整方法，其中的静态随机存取存储器接收外设电路电压及存储单元电压，其步骤包括：首先针对静态随机存取存储器进行许目测试，藉以获得许目测试图及最小操作电压。比较最小操作电压与预设规格，并在许目测试图上外设电路电压等于存储单元电压的线上定位出预设规格所在的规格定位点。固定外设电路电压或存储单元电压的其中之一，并递减外设电路电压或存储单元电压的另一，藉以针对静态随机存取存储器进行测试，并获得失效位数分布。最后，依据规格定位点以及失效位数分布调整静态随机存取存储器的制程参数。
静态随机存取存储器操作电压调整方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器结构及其随机存取存储器操作方法-CN201410763257.2有效
发明人：徐懋腾 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻式随机存取存储器结构及其随机存取存储器操作方法，该电阻式随机存取存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管与电阻式随机存取存储单元串。电阻式随机存取存储单元串包括彼此电连接的多个存储单元，且电连接至第一晶体管的第二端子。
电阻随机存取存储器结构及其操作方法

[发明专利]控制动态随机存取存储器的方法-CN200810132305.2无效
发明人：吕文闵;洪斌峰;黄明松 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2008-07-09 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： G11C11/4078 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制一动态随机存取存储器的方法，所述方法包含检测所述动态随机存取存储器中损坏的存储单元、纪录损坏的存储单元所对应的列地址、接收一控制指令以存取所述动态随机存取存储器中第X行、第Y列的存储单元、检测所述第Y列是否属于所纪录损坏的存储单元所对应的列地址，若当所述第Y列属于所纪录损坏的存储单元所对应的列地址中之一，将所欲存取的存储单元改为第X行、第Z列的存储单元，而Z不等于Y。本发明提供的控制动态随机存取存储器的方法，不仅能够提升动态随机存取存储器的寿命，对使用者来说，也节省了许多成本。
控制动态随机存取存储器方法

[发明专利]一种数据存储方法、固态硬盘、主机及储存系统-CN201711455700.X有效
发明人：李创锋;梁启峰 -专利权人：深圳市金泰克半导体有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种数据存储方法、固态硬盘、主机及储存系统，其中方法包括：将固态硬盘的动态随机存取存储器映射为主机中的虚拟磁盘；若接收到对虚拟磁盘的操作，向固态硬盘的控制单元发送操作指令，以使控制单元对应操作动态随机存取存储器通过将固态硬盘中的动态随机存取存储器映射为主机中的虚拟磁盘，可实现了将主机中需要频繁更新的临时数据存储在动态随机存取存储器中，从而极大地提高数据的读写速度，提升了系统的性能。并且，将临时数据频繁地存储在动态随机存取存储器中并不会对固态硬盘的寿命产生影响，从而可使得固态硬盘的使用寿命更长。
一种数据存储方法固态硬盘主机储存系统

[发明专利]流访问存储器设备、系统和方法-CN202110133869.3在审
发明人： N·乔拉;T·勃伊施;A·格罗弗;S·P·辛格;G·德索利 -专利权人：意法半导体国际有限公司;意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G11C8/04 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及流访问存储器设备、系统和方法。一种系统包括随机存取存储器，该随机存取存储器被组织成可单独寻址的字。流访问控制电路装置被耦合到随机存取存储器的字线。流访问控制电路装置通过生成控制信号以驱动字线流访问确定区域的多个可单独寻址的字来对用于访问随机存取存储器的确定区域的多个可单独寻址的字的请求做出响应。
访问存储器设备系统方法