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[发明专利]磁阻式随机存取存储器及其操作方法-CN202010842743.9在审
发明人：董明圣;林文钦 -专利权人：珠海南北极科技有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁阻式随机存取存储器，所述磁阻式随机存取存储器包括多个输入输出单元，每个输入输出单元可以同时读写多个存储单元，因此该磁阻式随机存取存储器读写列到列延迟时间tCCD(Column to ColumnDelay)可以相当于或快于动态随机存取存储器，进而得到与动态随机存取存储器相同或更快的数据速率(data‑rate)。
磁阻随机存取存储器及其操作方法

[发明专利]动态随机存取存储器芯片-CN202210106895.1在审
发明人：卢超群;戎博斗;夏濬 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明系有关于具有强化存取暨回复架构的动态随机存取存储器。动态随机存取存储器包含动态随机存取存储器单元，动态随机存取存储器单元具有存取晶体管与储存电容，字节线耦接至存取晶体管的闸极端。在字节线被选择以开启存取晶体管与字节线未被选择以关闭存取晶体管之间的时段中，第一电压或第二电压储存于动态随机存取存储器单元中，其中该第一电压高于应用在该动态随机存取存储器中的高电位信号的电压，而第二电压低于应用在该动态随机存取存储器中低电位信号的电压
动态随机存取存储器芯片

[发明专利]一种包含非易失性RAM和RAM的存储电路-CN03821414.8无效
发明人： J·克林特 -专利权人：诺基亚有限公司
申请日： 2003-09-08 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储电路(1)，该存储电路至少包括：诸如NAND Flash存储器的非易失性随机存取存储器(3)，以及诸如动态随机存取存储器的随机存取存储器(4)。该存储电路(1)也包括存储器控制器(5)，该控制器通过第一总线(6)连接到非易失性随机存取存储器(3)，并且通过第二总线(10)连接到随机存取存储器(4)。因此，数据可以经由存储器控制器(5)在所述非易失性随机存取存储器(3)和随机存取存储器(4)之间传送。该存储电路包括连接到存储器控制器(5)的控制总线(12)，以控制存储电路(1)的工作。本发明也涉及其中使用存储电路(1)的系统和电子装置。本发明也涉及与存储电路有关的方法。
一种包含非易失性 ram 存储电路

[发明专利]用以最优化同步存储器的频宽的存储器存取系统及方法-CN201110075862.7无效
发明人：黄明权;李家豪 -专利权人：凌阳科技股份有限公司
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供一种用以最优化同步存储器的频宽的存储器存取系统及方法，其将来自特定总线主控装置所产生的存储器存取命令解码成可替代同步动态随机存取存储器的命令，并暂存于一替代同步动态随机存取存储器的命令队列中，其中，替代同步动态随机存取存储器的命令被安排存取该同步动态随机存取存储器(SDRAM)的某些特定存储体，由此，一命令排序控制器在同步动态随机存取存储器命令中实现最优化的同步动态随机存取存储器命令交错存取的方式，以增进SDRAM的有效存取频宽，也可避免交错存取的方式时，因部分存取数据量太小的命令而产生SDRAM频宽的损失问题。
用以优化同步存储器频宽存取系统方法

[发明专利]静态随机存取存储器阵列、追踪单元以及阵列配置方法-CN201610623938.8有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储器阵列、追踪单元以及阵列配置方法。其中，静态随机存取存储器阵列包括可写入静态随机存取存储器单元以及静态随机存取存储器读取电流追踪单元。可写入静态随机存取存储器单元以及静态随机存取存储器读取电流追踪单元设置于静态随机存取存储器阵列的第一列中。静态随机存取存储器读取电流追踪单元包括第一读取下拉晶体管以及第一读取通道闸晶体管。本发明可提高静态随机存取存储器的效率。
静态随机存取存储器阵列追踪单元以及配置方法

[实用新型]存储器晶圆-CN201520369872.5有效
发明人：李怀兆;俞大立;方晓东;黄泽 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本实用新型提供一种存储器晶圆，其特征在于，包括：若干动态随机存取存储器；设置于动态随机存取存储器间切割道上的若干测试焊盘，至少两个动态随机存取存储器共用相邻的测试焊盘。本实用新型增加了动态随机存取存储器有效的版上面积，提高了动态随机存取存储器的测试效率，节省了测试时间。
存储器

[发明专利]相变随机存取存储器的存储单元-CN201010524974.1有效
发明人：吴关平;徐成;刘燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变随机存取存储器的存储单元，包括：相变材料层和柱状同轴电极；柱状同轴电极包括位于柱状同轴电极的轴线位置的第一电极、嵌套在第一电极之外并与第一电极同轴的第二电极及填充在第一电极和第二电极之间的第一绝缘层本发明还公开了一种相变随机存取存储器，包括：控制电路、存储单元层、选通器件层和衬底。根据本发明的相变随机存取存储器的存储单元和相变随机存取存储器可以有效地降低相变随机存取存储器和使用相变随机存取存储器的电路的发热量和功耗。并经济地提高相变随机存取存储器和使用相变随机存取存储器的电路的性能。
相变随机存取存储器存储单元

[发明专利]使用动态随机存取存储器和闪存的系统和方法-CN03149427.7有效
发明人：三浦誓士;鮎川一重;岩村哲哉 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 2003-06-18 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：提供了一种使用动态随机存取存储器和闪存的系统和方法。在一个示例中，该系统包括：非易失性存储器；同步动态随机存取存储器；包括控制电路的多个电路，该控制电路与非易失性存储器和同步动态随机存取存储器耦合，并且控制对非易失性存储器和同步动态随机存取存储器的存取；和多个与所述电路耦合的输入/输出端子，其中在从非易失性存储器到同步动态随机存取存储器的数据传输中校正了错误的数据被传输。
使用动态随机存取存储器闪存系统方法

[发明专利]使用动态随机存取存储器和闪存的系统和方法-CN200810099174.2有效
发明人：三浦誓士;鮎川一重;岩村哲哉 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 2003-06-18 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：提供了一种使用动态随机存取存储器和闪存的系统和方法。在一个示例中，该系统包括：非易失性存储器；同步动态随机存取存储器；包括控制电路的多个电路，该控制电路与非易失性存储器和同步动态随机存取存储器耦合，并且控制对非易失性存储器和同步动态随机存取存储器的存取；和多个与所述电路耦合的输入/输出端子，其中在从非易失性存储器到同步动态随机存取存储器的数据传输中校正了错误的数据被传输。
使用动态随机存取存储器闪存系统方法

[发明专利]随机存取存储器RAM的测试方法、装置、设备及介质-CN202211111147.9在审
发明人：路鹏程;史瑞瑞 -专利权人：北京物芯科技有限责任公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种随机存取存储器RAM的测试方法、装置、设备及介质。方法包括：通过预设格式转换脚本，将各类随机存取存储器RAM的参数信息转换为预设格式的参数信息，存储至预设参数文档中；对各类随机存取存储器RAM对应的测试激励信号和参考模型进行存储；若获取到用户输入的被测随机存取存储器RAM的预设格式的参数信息，则根据被测随机存取存储器RAM的预设格式的参数信息，获取对应的目标测试激励信号和目标参考模型进行测试。本发明实施例可以自动根据参数信息，获取用于触发随机存取存储器RAM测试的测试激励信号、用于模拟随机存取存储器RAM的参考模型，自动根据测试激励信号和参考模型进行测试。
随机存取存储器 ram 测试方法装置设备介质

[发明专利]具有强化存取暨回复架构的动态随机存取存储器-CN202010824605.8在审
发明人：卢超群;戎博斗;夏浚 -专利权人：钰创科技股份有限公司;发明创新暨合作实验室有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储器。所述动态随机存取存储器包含动态随机存取存储器单元和字线。而所述动态随机存取存储器单元包含存取晶体管和储存电容，所述字线耦接所述存取晶体管的栅极。在所述字线被选择以开启所述存取晶体管以及所述字线不被选择以关闭所述存取晶体管之间，第一电压或第二电压被储存在所述动态随机存取存储器单元。所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中的高电平信号的电压，而所述第二电压低于应用在所述动态随机存取存储器中低电平信号的电压。因此，在所述存取晶体管关闭后，即使有所述储存电容的漏电流通过所述存取晶体管，但所述储存电容内的电荷可比现有的动态随机存取存储器的架构维持更长的一段时间。
具有强化存取回复架构动态随机存取存储器

[发明专利]具有高频宽和小面积的静态随机存取存储器-CN200710085584.7有效
发明人：江政隆;邱明正 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储器器件，其包含多行的静态随机存取存储器单元，以及一个线缓冲器静态随机存取存储器单元。每一列静态随机存取存储器单元是由一个字线所控制。该线缓冲器静态随机存取存储器单元耦接到该多行的静态随机存取存储器单元，并由一个读取使能线所控制。该提供给线缓冲器静态随机存取存储器单元的电源被选择性地切断。此外，在读取使能线上的信号被取消时，则提供电源给该线缓冲器静态随机存取存储器单元。
具有高频宽和面积静态随机存取存储器

[发明专利]一种在静态随机存取存储器上的混合型映象表-CN201911056103.9在审
发明人：张盛豪;魏智汎;王展南;谢享奇 -专利权人：江苏华存电子科技有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G06F12/1009 文献下载
摘要：本发明公开了一种在静态随机存取存储器上的混合型映象表，将静态随机存取存储器上的映象表，与映射到快速缓冲贮存区的映象表结合。即可以节省静态随机存取存储器空间上的使用，以有效提高静态随机存取存储器的使用率。依照快速缓冲贮存区的大小，亦可减少n个静态随机存取存储器的空间使用。
一种静态随机存取存储器混合映象

[发明专利]具有转接电路的动态随机存取存储器模块-CN03154025.2无效
发明人：陈俊宏 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2003-08-14 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种动态随机存取存储器的转接装置，特别是一种具有转接电路的动态随机存取存储器模块，当动态随机存取存储器的规格不同于计算机主机板的插槽规格，于动态随机存取存储器模块上设置转接电路，使得动态随机存取存储器模块的针脚符合计算机主机板的规格
具有转接电路动态随机存取存储器模块

[发明专利]双倍速动态随机存取存储器的读写方法-CN200410096081.6有效
发明人：徐昌发 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算机领域中的双倍速动态随机存取存储器的读写方法，包括以下步骤：双倍速动态随机存取存储器进入正常工作模式后，一直判断是否存在需要写入或者读出的数据，需要写入双倍速动态随机存取存储器的数据预先存在一个先入先出缓存器中，在对双倍速动态随机存取存储器进行写操作的过程中，一直判断先入先出缓存器中是否有数据，如果有数据则一直对双倍速动态随机存取存储器进行写操作，如没有数据则判断是否进行读操作；在读出数据过程中类似操作；在双倍速动态随机存取存储器控制器中本发明克服了现有技术中使用双倍速动态随机存取存储器效率不高、双倍速动态随机存取存储器控制复杂的问题，能够灵活提高双倍速动态随机存取存储器效率、简化控制。
双倍动态随机存取存储器读写方法