“刘业帆”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存算电路、方法、装置、介质及电子设备-CN202310596029.X在审
发明人：周煜梁;刘业帆 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F7/57 文献下载
摘要：本申请提供一种存算电路、方法、装置、介质及电子设备。所述存算电路包括：若干条横向设置的字线；若干条纵向设置的位线，所述位线与各所述字线的相交处均设有存储单元，所述位线上还有与所述存储单元电连接的控制单元和运算电路，所述存储单元包括：存储元件和第一选择元件，所述控制单元设于所述存储单元和所述运算电路之间，所述控制单元包括第二选择元件和电压控制模块，所述电压控制模块用于控制所述第二选择元件导通或关断，所述运算电路的工作状态由所述运算电路对应的第二选择元件的工作状态和与所述运算电路对应的存储元件的阻态决定。所述存算电路相比于现有电路具有功耗低、面积小的优点。
电路方法装置介质电子设备

[发明专利]电阻式随机存取存储元件、存储器件及其制备方法-CN202310207630.5在审
发明人： 刘业帆;张冠群;周烽;陈亮 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储元件、存储器件及其制备方法，存储元件包括依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；所述第二电极的材料为MNx，所述阻变存储层的材料为MOy，其中，M选自于Ti、Ta和Al中的一种。本发明将第二电极的金属原子和阻变存储层的金属原子设置为相同的金属元子，同时和构成的导电通道具有相同的金属原子，可以有效避免参与构成导电通道的M金属原子过于富集，从而提高器件的寿命和耐久度，并提高器件的保持能力，进而获得更好的器件性能。本发明通过对第二电极中的N比例进行控制，可以实现第二电极具备导电性的同时，金属离子向阻变存储层中的迁移和扩散具有更高的可控性。
电阻随机存取存储元件器件及其制备方法

[发明专利]基于三端阻变存储单元的MAC阵列及MAC阵列操作方法-CN202210702573.3在审
发明人： 刘业帆;周煜梁 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于三端阻变存储单元的MAC阵列，包括写入模块和读取模块，写入模块用于将待处理数据写入至2D1R，使2D1R存储待处理数据；读取模块用于验证2D1R所存储的数据是否为待处理数据；2D1R包括三端阻变存储单元，三端阻变存储单元包括字线、读取线和位线，字线和读取线分别连接有第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管连接在同一阻变存储器上；阻变存储器与所述位线相连接，如此，有效地减小阵列面积，实现读写电路的分离，避免干扰。
基于三端阻变存储单元 mac 阵列操作方法

[发明专利]基于阻变存储器的MAC阵列及MAC阵列操作方法-CN202210702582.2在审
发明人： 刘业帆;周煜梁 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于阻变存储器的MAC阵列，存储有不同权重的相同位的1T1R阻变式存储单元分布在相邻连续的多条位线上；存储有相同权重的不同位的1T1R阻变式存储单元分布在同一条位线上，且以2n条字线为间隔；每个1T1R阻变式存储单元包括晶体管‑阻变存储器；阻变存储器包括电阻，所述电阻与所述晶体管相连接，字线用于传输输入信号；源线为电阻施加电压，以在位线上形成偏置电流，ADC模块对位线中的偏置电流进行转换以形成数字乘积运算结果，移位加法器用于对数字乘积运算结果进行求和以获取MAC运算结果，如此，每次只打开一行字线，多根位线连接到同一ADC，实现模数转换和求和运算，因此在计算他们的电流和时，寄生参数带来的影响大大减小。
基于存储器 mac 阵列操作方法

[发明专利]基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列及操作方法-CN202210702584.1在审
发明人： 刘业帆;周煜梁 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列，存储有不同权重的相同位的1T1R阻变式存储单元分布在相邻的多条字线上；存储有相同权重的不同位的1T1R阻变式存储单元分布在同一条位线上，且以2n条字线为间隔；每个1T1R阻变式存储单元包括晶体管‑阻变存储器；阻变存储器包括电阻，电阻与所述晶体管相连接，字线与晶体管的栅端相连接，用于传输输入信号；源线与1T1R阻变式存储单元，且用于为电阻施加电压，以在位线上形成偏置电流，ADC模块与位线相连接，ADC模块用于对位线中的偏置电流进行转换以形成数字MAC运算结果，如此，有足够的空间配置更高精度的ADC模块的同时，使用高精度ADC模块可以实现对面积和功耗更好的优化。
基于存储器高速精度损失 mac 阵列操作方法

[发明专利]纯数字存内乘法电路架构及其运算方法-CN202210686720.2在审
发明人：周煜梁;刘业帆 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F7/498 文献下载
摘要：本发明提供一种纯数字存内乘法电路架构及其运算方法，其中，纯数字存内乘法电路架构用于计算公式：A*B，其中，所述数值A和所述数值B均为二进制数；包括判断模块和运算模块；其中，所述判断模块用于对所述数值A进行预操作以提取所述数值A中等于1的位；所述运算模块用于基于所述数值A中等于1的位对计算公式：A*B进行计算。本发明提供的纯数字存内乘法电路架构能够解决现有的纯数字计算方法运算效率低的问题。
数字乘法电路架构及其运算方法

[发明专利]纯数字存内计算电路架构-CN202210687716.8在审
发明人：周煜梁;刘业帆 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F7/498 文献下载
摘要：本发明提供一种纯数字存内计算电路架构及其运算方法，其中，纯数字存内计算电路架构包括读时钟域部和数字时钟域部，数字时钟域部包括位移寄存器、位宽统计输出单元以及与门操作单元；其中，所述读时钟域部用于读出待计算公式中的数值B并存入所述位移寄存器中；所述位宽统计输出单元用于输出所述数值A的各位的值；其中，待计算公式为：A*B，所述数值A和所述数值B均为二进制数；所述位移寄存器用于输出所述数值B移位后的与所述数值A的各位的值相对应的移位数值；所述与门操作单元用于对所述数值A的各位的值与相对应的移位数值进行与操作。本发明提供的纯数字存内计算电路架构能够解决现有的纯数字计算方法受读出器件的读出速度影响的问题。
数字计算电路架构

[发明专利]一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法-CN201410669565.9有效
发明人：蔡一茂;王宗巍;黄如;刘业帆;余牧溪;方亦陈 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的电极‑阻变层‑电极结构，所述电极采用能够对电磁场产生共振的超材料结构。首先在衬底上采用传统半导体CMOS工艺生长阻变薄膜材料层；然后利用光刻胶作为牺牲层，利用传统半导体CMOS工艺的光刻技术，通过牺牲层在阻变薄膜材料层上刻蚀出超材料结构的电极图形；再在刻蚀出的图形上淀积金属电极材料，去除牺牲层后即形成阻变存储器结构。本发明将超材料做成电极结构应用在阻变存储器中，通过电磁波的非接触式激励来实现存储状态的改变，可以应用到电磁开关、电磁波探测等方面，极大的丰富了阻变存储器的应用。
一种采用材料电极结构存储器及其制备方法

[发明专利]一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法-CN201610202876.3有效
发明人：蔡一茂;王宗巍;黄如;刘业帆;潘越;余牧溪 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器在衬底的水平方向上形成电极‑阻变层‑电极的平面结构；采用侧墙结构制备阻变层，通过适当的设计可以在一定程度上控制侧墙的厚度和宽度；利用侧墙加上选择性腐蚀工艺可以实现小尺寸纳米级水平“宽度”的阻变层，也就是制作平面阻变存储器所需的两个电极之间的间隙。采用这种方法巧妙的避开了工艺和设备带来的局限性，即使不采用现有最先进的工艺也可实现小尺寸纳米级的器件，并且本发明中所采用的工艺完全兼容CMOS的工艺制程，扩大了其应用的范围；纳米平面阻变存储器的制备不仅对于阻变存储器的研究有着重要意义，对于业界阻变存储器的制备工艺也起着重要作用。
阻变存储器制备阻变层电极非易失性阻变存储器尺寸纳米侧墙选择性腐蚀工艺工艺和设备侧墙结构平面结构制备工艺重要意义衬底制程避开兼容制作应用研究

[发明专利]一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法-CN201410047253.4有效
发明人：蔡一茂;刘业帆;方亦陈;王宗巍;李强;余牧溪;潘越;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-02-11 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层，中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括：采用PVD方法在衬底上生长底电极材料，并采用标准光刻技术使底电极图形化；采用聚合物化学气相淀积方法在底电极上依次生长多层聚对二甲苯材料；通过光刻和刻蚀定义底层电极的引出通孔；采用PVD方法在聚对二甲苯材料上生长顶电极材料，通过光刻、剥离定义顶层电极，并将底电极引出。本发明能够在不改变器件基本结构的条件下，通过采用两侧均为较惰性电极以及多层聚对二甲苯的淀积来实现具有自限流效果的多值存储功能。
一种多值非易失性有机存储器制备方法

[发明专利]一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法-CN201310717874.4有效
发明人：黄如;李强;蔡一茂;刘业帆;潘岳;余牧溪 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器包括：顶电极、底电极以及二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层和第二氧化层；第一氧化层为靠近顶电极的完全配比的氧化层；第二氧化层为靠近底电极的非完全配比的氧化层。本发明采用分两次淀积功能层，形成具有氧组分不同的两层氧化层的功能层，靠近顶电极为完全配比的氧化层，而靠近底电极为非完全配比的氧化层；在顶电极与完全配比的氧化层之间势垒会明显提高，电子只能靠肖特基发射实现导电，低阻态具有非线性，器件具有选择特性。本发明在有效抑制误读现象的情况下，无需串联专门的选择管，工艺简单，成本低；并且与现有工艺兼容，有利于大规模工业生产。
一种具有选择特性存储器及其制备方法

[发明专利]一种有机阻变存储器及制备方法-CN201310174160.3有效
发明人：蔡一茂;刘业帆;白文亮;王宗巍;方亦陈;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述器件以硅为衬底，器件单元为MIM电容结构，采用上下层状结构，该MIM结构的顶电极为Al，底电极为ITO，中间功能层为聚对二甲苯，其特征是，功能层的聚对二甲苯层分多次进行淀积，每两次聚对二甲苯的淀积之间进行一次Al2O3的ALD淀积，通过控制Al2O3淀积面积来形成有利于导电通道形成的薄弱区域，从而控制器件的电学特性。采用本发明，在不改变器件基本结构的条件下，有效地提高了器件的重复操作的一致性和不同器件之间的一致性。
一种有机存储器制备方法

[发明专利]有机阻变存储器及其制备方法-CN201310174161.8有效
发明人：蔡一茂;刘业帆;白文亮;王宗巍;方亦陈;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述存储器的衬底为绝缘材料，器件单元为横向的MIM电容结构；该MIM结构的两侧电极分别为ITO(氧化铟锡)和Al电极；中间功能层为两个聚对二甲苯层构成的双层结构；在两个聚对二甲苯层的界面处进行局部氧化修饰，从而形成有利于导电通道形成的薄弱区域，可以人为控制导电通路的位置与尺寸。本发明提出的有机阻变存储器能够提高器件的一致性，同时横向器件结构有利于器件阻变机制的观测和表征，所采用的聚对二甲苯制备成本低，且为透明介质。
有机存储器及其制备方法

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN201210555341.6有效
发明人：蔡一茂;毛俊;黄如;王宗巍;刘业帆;余牧溪 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变材料位于所述第一电极和所述第二电极之间，且同时与所述第一电极和所述第二电极接触；所述第一电极与所述衬底的接触面面积大于所述第一电极与所述阻变材料相接触的第一接触面的面积，和/或所述第二电极与所述衬底的接触面面积大于所述第二电极与所述阻变材料相接触的第二接触面的面积。本发明实施例所提供的阻变存储器，大大减小了电极与阻变材料的接触面积，从而在很大程度上减小了操作电流。
存储器及其制备方法

[发明专利]阻变存储器件及其制备方法-CN201210555309.8有效
发明人：蔡一茂;毛俊;黄如;王宗巍;刘业帆;余牧溪 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括设置在衬底上的底电极、设置在所述底电极上的第一阻变层、设置在所述第一阻变层上的控制层及设置在所述控制层上的顶电极，所述控制层包括位于所述第一阻变层表面上的第一电极、第二电极及填充在所述第一电极和所述第二电极之间的第二阻变层，所述顶电极设置在所述第二阻变层上。本发明实施例所提供的阻变存储器件及其制备方法，可以实现阻变存储器件的多值存储，从而可以大幅度增加由阻变存储器件构成的存储器的存储密度。
存储器件及其制备方法

1
共 15 条