“闩锁测试”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1390764个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]闩锁测试平移装置-CN201820494420.3有效
发明人：魏垂亚 -专利权人：宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型闩锁测试平移装置，应用于设有芯片的闩锁测试机台，所述闩锁测试平移装置包括电池组、开关元件、用于监控所述芯片的电源管脚电流的电流监控器和用于监控所述芯片的电源管脚电压的电压监控器，所述闩锁测试平移装置与所述芯片构成一测试回路通过闩锁测试机台进行脉冲控制触发，即令电流源触发被测管脚，从而模拟芯片正常工作时的闩锁测试；可经过电流监控器和电压监控器判断是否闩锁现象发生；闩锁现象发生，并且电池组不停供电，所以可以将闩锁现象保持住；将芯片从测试平台拆下即可移动，便于进行失效分析。
闩锁测试平移装置芯片闩锁现象电池组机台电流监控器电压监控器电源管脚触发本实用新型测试回路测试平台开关元件脉冲控制模拟芯片失效分析电流源监控测管拆下供电移动应用

[发明专利]闩锁测试装置与方法-CN201510392652.9有效
发明人：王世钰;张耀文;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种闩锁测试装置与方法，且所述闩锁测试方法包括下列步骤：执行设定操作，以依据测试区间设定基准测试值，并利用基准测试值设定触发脉冲与预设误差值；利用触发脉冲测试待测晶圆中的测试芯片，并判别测试芯片是否处于闩锁状态；依据判别结果、闩锁临界值与基准测试值，而决定是否更新测试区间与闩锁临界值以及是否回到执行设定操作的步骤；当测试芯片处于闩锁状态，且闩锁临界值与基准测试值的差值不大于预设误差值时，停止测试芯片的测试。
基准测试测试芯片闩锁测试闩锁触发脉冲闩锁状态预设测试测试区间更新测试判别结果停止测试晶圆芯片

[发明专利]一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件-CN201911014906.8有效
发明人：阳平 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：芯片本体的边缘为终端保护区，芯片本体包括N型基区、P型基区、P+接触区及N+发射区、N型场终止区、P型集电极区、集电极金属层、发射极金属，芯片本体的中部包括元胞区，元胞区内设有多个元胞，芯片本体的中部还包括与元胞区隔离的闩锁测试区，闩锁测试区内设有闩锁测试模块，闩锁测试模块包括两组测试端子组件，每组测试端子组件包括位于P+接触区上方并与P+接触区连接的闩锁测试端子。本发明的抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件具有闩锁检测功能，能够防止器件由于闩锁现象造成损坏。
一种抗闩锁效应沟槽绝缘晶体管器件

[发明专利]熔断器测试电路及方法、集成电路-CN201811042810.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本公开是关于熔断器测试电路及方法、集成电路，该熔断器测试电路包括熔断器和闩锁电路，闩锁电路，和所述熔断器连接，所述闩锁电路具有信号接收端，所述信号接收端用于接收触发信号，使得所述闩锁电路中的电流增大，能够将熔断器熔断在熔断多个熔断器时，只需触发一个熔断器对应的闩锁电路即可接着触发另一个熔断器对应的闩锁电路，避免了相关技术中需要等待一个熔断器熔断接着熔断另一个熔断器，导致的测试时间长，测试效率低的问题。
熔断器测试电路方法集成电路

[发明专利]寄存电路、应用寄存电路的扫描寄存电路与扫描方法-CN200610153623.8无效
发明人：沈子宾;谢尚志 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： G01R31/317 文献下载
摘要：本发明提供一种寄存电路，其包含有一闩锁电路，用来闩锁一输入数据产生一输出数据；一输入信号选择电路，分别耦接于一非测试数据与一测试数据，用来选择性地输出该非测试数据或该测试数据来作为该输入数据；一控制电路，耦接于一驱动时钟，用来依据该驱动时钟来控制该闩锁电路是否可闩锁该输入数据来决定该输出数据；以及一扫描电路，耦接于该驱动时钟与该闩锁电路，用来依据该驱动时钟扫描该闩锁电路所输出的该输出数据以产生一扫描数据
寄存电路应用扫描方法

[实用新型]熔断器测试电路及集成电路-CN201821462811.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本公开是关于熔断器测试电路及集成电路，该熔断器测试电路包括熔断器和闩锁电路，闩锁电路，和所述熔断器连接，所述闩锁电路具有信号接收端，所述信号接收端用于接收触发信号，使得所述闩锁电路中的电流增大，能够将熔断器熔断在熔断多个熔断器时，只需触发一个熔断器对应的闩锁电路即可接着触发另一个熔断器对应的闩锁电路，避免了相关技术中需要等待一个熔断器熔断接着熔断另一个熔断器，导致的测试时间长，测试效率低的问题。
熔断器闩锁电路熔断测试电路信号接收端触发集成电路测试效率触发信号电流增大测试

[发明专利]一种水下测试树-CN202110944300.5在审
发明人：赵亮;张锦锦;景建平;罗伟波 -专利权人：宝鸡畅油石油设备有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： E21B47/001 文献下载
摘要：本发明属于海洋深水测试相关石油装备技术领域，涉及一种水下测试树，包括闩锁部；本体部，其一端套装设置在闩锁部内；闩锁连接结构，套装设置在闩锁部和本体部之间，其一端与闩锁部连接，另一端与本体部卡装；控制结构，设置在闩锁部和本体部上，用于控制闩锁连接结构动作从而实现闩锁部和本体部的连接或者分离。本发明结构可靠，具有双重故障保护机制和可控断开和连接功能，第二球阀具有剪切连续油管或电缆功能、注入化学剂功能、机械脱闩功能和泵通功能，功能齐全，风险控制性能极强，实用性强，值得推广。
一种水下测试

[实用新型]一种水下测试树-CN202121927994.3有效
发明人：赵亮;张锦锦;景建平;罗伟波 -专利权人：宝鸡畅油石油设备有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： E21B47/001 文献下载
摘要：本实用新型属于海洋深水测试相关石油装备技术领域，涉及一种水下测试树，包括闩锁部；本体部，其一端套装设置在闩锁部内；闩锁连接结构，套装设置在闩锁部和本体部之间，其一端与闩锁部连接，另一端与本体部卡装；控制结构，设置在闩锁部和本体部上，用于控制闩锁连接结构动作从而实现闩锁部和本体部的连接或者分离。本实用新型结构可靠，具有双重故障保护机制和可控断开和连接功能，第二球阀具有剪切连续油管或电缆功能、注入化学剂功能、机械脱闩功能和泵通功能，功能齐全，风险控制性能极强，实用性强，值得推广。
一种水下测试

[发明专利]样品管去盖器-CN202080075809.4在审
发明人：理查德·L·希楚;迈克尔·卡拉布雷塞 -专利权人：贝克曼库尔特有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B67B7/02 文献下载
摘要：一种去盖装置，该去盖装置可以与自动化生化分析仪或生物测试系统结合以有助于样本测试。示例性去盖器包括马达，该马达能够操作：使闩锁机构降低以与样品管的盖接合，然后使闩锁机构升高以将所接合的盖移除。随着闩锁机构降低，牵引器部分也下降并且导致一组夹持器伸出并且夹持样品管。随着闩锁机构升高，所述一组夹持器在盖被移除的同时施加对应的压力以将样品管保持就位。一旦移除，盖就搁置在闩锁机构内，并且所述一组夹持器通过升高的牵引器缩回。当闩锁机构返回至其初始位置时，弹出器臂被操作，从而导致盖从闩锁机构弹出。
样品管去盖器

[发明专利]多跳脱点熔丝闩锁装置及方法-CN200480002583.6有效
发明人： G·勒赫曼恩;N·罗布森 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-01-21 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种多跳脱点熔丝闩锁装置及方法系被揭示。熔丝闩锁之多读取输入系促成改变熔丝闩锁之电阻跳脱点。多跳脱点熔丝闩锁可与从闩锁组合来形成主从正反器，而多主从正反器可被串联形成移位缓存器。熔丝读取操作期间改变跳脱点允许可分析熔丝闩锁边际之测试程序之使用。
跳脱点熔丝闩锁装置方法

[发明专利]测试电路及其测试方法-CN202110642526.X在审
发明人：林志丰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种测试电路及其测试方法，该测试电路，包括：指令焊垫、第一集成电路、第二集成电路、第一闩锁器以及第二闩锁器。指令焊垫接收操作指令。第一集成电路根据操作指令以及内部选择信号，进行对应的测试操作。第二集成电路根据操作指令以及内部选择信号，进行对应的测试操作。第一闩锁器根据内部选择信号，将操作指令提供至第一集成电路。第二闩锁器根据内部选择信号，将操作指令提供至第二集成电路。
测试电路及其方法

[发明专利]集成电路芯片及熔断器的测试方法-CN201811042875.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本公开是关于一种集成电路芯片及熔断器的测试方法，包括：衬底、多层导电层、介电层、熔断器和闩锁电路；其中，相邻的所述导电层之间设置有介电层，所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层，所述介电层上设置有接触孔；熔断器位于第一导电层上，所述第一导电层为多层所述导电层中位于最上层的导电层，其中，靠近所述衬底为底层，远离所述衬底为上层；闩锁电路设置在衬底上，和所述熔断器连接。在集成电路芯片测试时，触发闩锁效应，使得闩锁电路中的电流不断增大，直至烧断熔断器，实现了对熔断器测试时的熔断。并且在测试多个熔断器时，只需顺序触发每个熔断器的闩锁电路即可，提升了测试效率，节约了测试时间。
集成电路芯片熔断器测试方法

[发明专利]用于电气部件测试的插座-CN202110267594.2在审
发明人：谢印洲 -专利权人：恩普乐斯股份有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01R13/502 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种用于电气部件测试的插座，包括：插座主体，包括框架和位于框架内的接触收纳部，接触收纳部用于容纳电气部件并与电气部件电性连接；插座盖，与框架的后部铰接；及锁闩结构，锁闩结构设置在框架和插座盖中的其中一个上，锁闩结构包括两个闩杆和用于同时驱动两个闩杆相向或相背运动的开闭板，在框架和插座盖中的另一个上设置有与两个闩杆一一对应地相适配的两个第一闩孔，锁闩结构具有可通过开闭板相互切换的锁合状态和解锁状态；锁闩结构处于锁合状态时，两个闩杆处于伸出状态且分别延伸至对应的第一闩孔中；锁闩结构处于解锁状态时，两个闩杆处于缩回状态且分别与对应的第一闩孔分离。
用于电气部件测试插座

[发明专利]具有用于保持半导体器件的闩锁和浮板的半导体测试插座-CN202080081983.X在审
发明人：海德哈鲁·富鲁卡瓦 -专利权人：森萨塔科技公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H05K7/10 文献下载
摘要：一种用于预烧测试的半导体器件的测试插座组件，包括基座组件、联接到基座组件的浮板和安装在浮板上用于保持和移动半导体器件的闩锁组件。基座组件还包括用于电联接到半导体器件以进行预烧测试的引脚组件和至少两个直立的挠曲臂。此外，浮板和闩锁组件移动到测试位置，以在与测试夹具配合时适应半导体器件的不同高度，同时闩锁仍然有效地保持半导体器件。最后，当将半导体器件插入测试插座中时，由于直立的挠曲臂提供的支撑，浮板被保持在固定装载位置。
具有用于保持半导体器件半导体测试插座

[发明专利]集成电路芯片及熔断器的检测方法-CN201811043568.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开是关于一种集成电路芯片及熔断器的检测方法，包括衬底、多层导电层、熔断器、介电层和闩锁电路；其中，相邻的导电层之间设置有介电层，所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层，所述介电层上设置有接触孔；熔断器位于第一介电层上的接触孔中，所述第一介电层为多层所述介电层中的任一层介电层；闩锁电路设置在所述衬底上，和所述熔断器连接。在集成电路芯片测试时，触发闩锁效应，使得闩锁电路中的电流不断增大，直至烧断熔断器，实现了对熔断器测试时的熔断。并且在测试多个熔断器时，只需顺序触发每个熔断器的闩锁电路即可，提升了测试效率，节约了测试时间。
集成电路芯片熔断器检测方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top