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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氮化镓基板的制作方法-CN201110025728.6无效
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓基板的制作方法，其首先在一个氮化镓单晶基板中形成一层离子植入层从而将氮化镓单晶基板分成两个部分，然后利用接合金属层将氮化镓单晶基板与辅助基板连接在一起，最后通过加热使离子植入层形成断裂，使氮化镓单晶基板与辅助基板分离同时，氮化镓单晶基板将在辅助基板的表面留下一层氮化镓薄膜，从而形成氮化镓基板。利用从氮化镓单晶基板中分离出来的氮化镓薄膜来生长氮化物系半导体材料，其生产成本较低并且所生长的半导体材料晶格缺陷较少。
氮化镓基板制作方法

[发明专利]开关元件及其制造方法-CN202010115774.4在审
发明人：永冈达司;西中浩之;吉本昌广 -专利权人：丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明抑制在具有上表面由(010)晶面构成的氧化镓基板的开关元件中的裂纹。本发明提供一种开关元件，其具有：氧化镓基板，其由氧化镓晶体构成；以及多个栅极，其隔着栅极绝缘膜与所述氧化镓基板相对。所述氧化镓基板的上表面与所述氧化镓晶体的(010)晶面平行。当俯视观察所述氧化镓基板的所述上表面时，各个所述栅极的长度方向与所述氧化镓晶体的(100)晶面延伸的方向相交。
开关元件及其制造方法

[发明专利]一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法-CN201410382392.2在审
发明人：金施耐;许桢;金东植 -专利权人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C30B25/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法。所述方法为：在蓝宝石基板上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层；在第二缓冲层上高温生长氮化镓厚膜层；在氮化镓厚膜生长时，第一缓冲层高温热分解为镓和氮气，使氮化镓厚膜层与蓝宝石基板之间产生空隙；缓冲层和氮化镓厚膜层生长完后，在冷却过程中氮化镓厚膜层与蓝宝石基板逐渐分离，得到的氮化镓基板。采用本发明提供的氮化镓基板的方法，生产效率更高，能生产一定厚度的氮化镓基板且不易产生裂纹，提高生产质量。
一种利用分解特性获得支撑氮化镓基板方法

[发明专利]氮化镓基板的生成方法-CN201610819653.1在审
发明人：平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：提供氮化镓基板的生成方法，不浪费地从氮化镓(GaN)锭生成大量的氮化镓基板。该氮化镓锭具有第1面和处于第1面的相反侧的第2面，该氮化镓基板的生成方法包含如下的工序界面形成工序，从第1面将对于氮化镓具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在氮化镓锭的内部而进行照射，形成将氮化镓破坏而使镓(Ga)和氮(N)析出的界面；保持部件粘接工序，将第1保持部件粘接在氮化镓锭的第1面上，并且将第2保持部件粘接在第2面上；和氮化镓基板生成工序，将氮化镓锭加热到使镓发生熔融的温度，并且使第1保持部件与第2保持部件向互相远离的方向移动，由此从该界面将氮化镓锭分离而生成氮化镓基板。
氮化镓基板生成方法

[发明专利]半导体装置-CN201310585132.0有效
发明人：黄济兴;蔡明玮;薛清全;庄博钦 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置包含基板、第一氮化镓场效晶体管、第二氮化镓场效晶体管与氮化镓二极管。第一氮化镓场效晶体管置于基板上。第一氮化镓场效晶体管为耗尽型场效晶体管。第二氮化镓场效晶体管置于基板上。第二氮化镓场效晶体管为增强型场效晶体管。氮化镓二极管置于基板上。第一氮化镓场效晶体管、第二氮化镓场效晶体管与氮化镓二极管皆置于基板的同一侧并互相电性连接。
半导体装置

[发明专利]氮化镓基板的制造方法-CN201310055404.6无效
发明人：藤仓序章 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供氮化镓基板的制造方法，该方法即便在机械加工时在氮化镓晶体上施加应力也能够防止发生裂缝或破裂，并提高制造成品率。氮化镓基板的制造方法对氮化镓晶体实施机械加工来制造氮化镓基板，在机械加工之前对氮化镓晶体实施湿蚀刻。
氮化镓基板制造方法

[发明专利]制造氮化镓基板的方法及由此制造的氮化镓基板-CN201310232719.3无效
发明人：林圣根;朴甫益;朴喆民;李东龙;金宇理汉;金俊会;裵峻莹;李原兆;崔准成 -专利权人：三星康宁精密素材株式会社
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：制造氮化镓(GaN)基板的方法和由此制造的GaN基板。所述方法包含下列步骤：在基底基板上生长氮化铝成核层，在上面已生长所述氮化铝成核层的所述基底基板上生长第一氮化镓膜，所述第一氮化镓膜具有氮对镓的第一含量比，在所述第一氮化镓膜上生长第二氮化镓膜，所述第二氮化镓膜具有小于所述第一含量比的氮对镓的第二含量比在生长过程中，可以发生所述基底基板与GaN基板之间的自分离，从而排除了机械分离，提高了自分离的面积，并使翘曲的发生最小化。
制造氮化镓基板方法由此

[发明专利]制作氮化镓系基板的方法-CN200710139135.6无效
发明人：陈政权 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制作氮化镓系基板的方法，先进行准备步骤准备一块磊晶成长氮化镓系材料的磊晶基板，接着以凸块形成步骤自磊晶基板向上形成多个呈现间隔散布且主要由氮化镓系材料构成的凸块，再以横向磊晶步骤自凸块端部横向磊晶成长形成一层基础层，然后以增厚步骤累积增厚基础层至不小于500μm而成该氮化镓系基板，最后以温度变化步骤，自实施增厚步骤的温度范围降温而使该氮化镓系基板与磊晶基板释出热应力进而破坏该多个凸块的墩部，进而直接分离磊晶基板与氮化镓系基板，得到厚度在500μm以上的氮化镓系基板。
制作氮化镓系基板方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380053692.X在审
发明人：许政勳;尹余镇;崔周源;李俊熙;金彰渊;李受映 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：半导体装置包括氮化镓基板、多数个半导体堆配置在氮化镓基板上以及绝缘图案配置于氮化镓基板以及多数个半导体堆之间，绝缘图案使半导体堆绝缘于氮化镓基板。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化镓结晶生长用蓝宝石基板、氮化镓结晶的制造方法及氮化镓结晶-CN201310337259.0无效
发明人：藤仓序章;今野泰一郎 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供与以往相比实现氮化镓结晶更低的错位化，能实现氮化镓结晶更高的品质化的氮化镓结晶生长用蓝宝石基板、氮化镓结晶的制造方法及氮化镓结晶。一种氮化镓结晶生长用蓝宝石基板（10），其在蓝宝石基板（11）的C面上形成多个微小凸部（12），以朝向蓝宝石基板（11）的a轴方向距C面的角度为43.2度的面为基准面，距该基准面±10度以内的区域（13一种氮化镓结晶的制造方法，其使氮化镓结晶（14）在该氮化镓结晶生长用蓝宝石基板（10）上生长。一种氮化镓结晶（14），其由该制造方法制造。
氮化结晶生长蓝宝石制造方法

[发明专利]外延层去除方法-CN202111316121.3在审
发明人：徐文庆;洪士哲;余文怀 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外延层去除方法，包括：提供形成有待处理的氮化镓外延层的一基板。接着对基板进行高温热处理，以使氮化镓外延层氧化成为氧化镓层，再对基板进行去离子水清洗，并搭配超声波振荡，以去除部分的氧化镓层。然后使用清洗剂清除基板上的氧化镓层。
外延去除方法

[发明专利]氮化镓自立基板、发光元件及它们的制造方法-CN201580001462.8有效
发明人：渡边守道;吉川润;七泷努;今井克宏;杉山智彦;吉野隆史;武内幸久;佐藤圭 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
氮化自立发光元件它们制造方法

[发明专利]紫外线用光电探测器及其制造方法-CN200880117234.7无效
发明人：大平重男;铃木悟仁;新井直树;大岛孝仁;藤田静雄 -专利权人：日本轻金属株式会社;东海东洋铝贩卖株式会社
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：为了提供耐久性方面优越、不需要薄膜生长、低成本的紫外线用光电探测器，本发明的紫外线用光电探测器包括：氧化镓单晶基板；第一电极，其形成于上述氧化镓单晶基板的表面，具有光接收面，并且与上述氧化镓单晶基板构成肖特基接触；和第二电极，其形成于氧化镓单晶基板的背面，与上述氧化镓单晶基板构成欧姆接触，并与由上述光接收面接收的紫外线相应地在该第二电极与上述第一电极之间经上述氧化镓单晶基板流过电流。
紫外线用光探测器及其制造方法

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN202110362301.9在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于
砷化镓晶体

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN202110359932.5在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于
砷化镓晶体

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