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[发明专利]平坦片材-CN202210702305.1有效
发明人：渡边守道;佐藤圭;松岛洁;前田高宏;吉川润;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C04B35/645 文献下载
摘要：本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
平坦

[发明专利]取向陶瓷烧结体的制法以及平坦片材-CN201880055098.7有效
发明人：渡边守道;佐藤圭;松岛洁;前田高宏;吉川润;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C04B35/645 文献下载
摘要：本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括如下工序：(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体；和(b)用一对脱模片夹持陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内，一边利用一对冲头隔着一对脱模片对陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体。脱模片在以厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜进行夹持后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，脱模片的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
取向陶瓷烧结制法以及平坦

[发明专利]多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件-CN201780005781.5有效
发明人：渡边守道;佐藤圭;仓冈义孝;今井克宏;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶氮化镓自立基板，使用该基板制作发光元件或太阳能电池等器件时能得到高发光效率、高转换效率等优异特性。本发明的多晶氮化镓自立基板由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成，具有上表面和底面。所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为0.1°以上且低于1°，并且在所述上表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT为10μm以上。
多晶氮化自立使用发光元件

[发明专利]取向烧结体的制造方法-CN201680061130.3有效
发明人：佐藤圭;前田高宏;渡边守道;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明的取向烧结体的制造方法包含如下工序：(a)制作微细原料粉末层与板状原料粉末层交替层叠而成的层叠体，上述板状原料粉末层是板状原料粒子以板表面沿着上述微细原料粉末层的表面的方式排列而成的；(b)对上述层叠体进行烧成。
取向烧结制造方法

[发明专利]外延生长用取向氧化铝基板-CN201680050570.9有效
发明人：渡边守道;佐藤圭;松岛洁;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C04B35/111 文献下载
摘要：作为本发明的一个实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为1°以上3°以下，平均烧结粒径为20μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后使用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
外延生长取向氧化铝

[发明专利]氧化铝烧结体及光学元件用基底基板-CN201680025071.4有效
发明人：松岛洁;渡边守道;佐藤圭;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C04B35/115 文献下载
摘要：本发明的氧化铝烧结体具有c晶面取向度为5％以上的面，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，所述氧化铝烧结体包含Mg、F，Mg/F的质量比为0.05～3500，Mg的含量为30～3500质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向370.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～0.6μm的气孔为250个以下，直径0.2～0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长450nm～1000nm处的直线透过率为60％以上。亦即，本发明的氧化铝烧结体由于即便c晶面取向度为5％以上、直线透过率也较高，所以透明性优异。
氧化铝烧结光学元件基底

[发明专利]氧化铝烧结体及光学元件用基底基板-CN201680050865.6有效
发明人：松岛洁;渡边守道;佐藤圭;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C04B35/115 文献下载
摘要：本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为5％以上，且摇摆曲线测定中的XRC半值宽度为15.0°以下，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，用D－SIMS测定时的F含量低于0.99质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～1.0μm的气孔的数量为25个以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长300nm～1000nm处的直线透过率较高，透明性优异。
氧化铝烧结光学元件基底

[发明专利]外延生长用取向氧化铝基板-CN201680050576.6有效
发明人：渡边守道;佐藤圭;松岛洁;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C04B35/111 文献下载
摘要：作为本发明的一种实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为0.1°以上且小于1.0°，平均烧结粒径为10μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：在对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后，利用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
外延生长取向氧化铝

[发明专利]板状氧化铝粉末的制法-CN201680002585.8有效
发明人：福井宏史;佐藤圭;渡边守道;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明的板状氧化铝粉末的制法如下：将过渡氧化铝和氟化物以彼此不接触的方式放入容器中，进行热处理，由此，得到板状的α－氧化铝粉末。过渡氧化铝优选为选自由三水铝石、勃姆石及γ－氧化铝构成的组中的至少1种。氟化物的使用量优选设定成氟化物中的F相对于过渡氧化铝的比例为0.17质量％以上。容器优选为氟化物中的F的质量除以容器的容积而得到的值为6.5×10‑5g/cm3以上的容器。热处理优选于750～1650℃进行。热处理优选在以容器的内外相通的方式关闭容器后或将容器密闭后进行。
氧化铝粉末制法

[发明专利]多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件-CN201810324504.7有效
发明人：渡边守道;吉川润;仓冈義孝;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件，由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
多晶氮化自立使用发光元件

[发明专利]透明氧化铝烧结体的制法-CN201580048144.7有效
发明人：松岛洁;渡边守道;佐藤圭;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C04B35/115 文献下载
摘要：本发明的透明氧化铝的制法包括以下工序：(a)将包含纵横尺寸比为3以上的板状氧化铝粉末的氧化铝原料粉末调制成该氧化铝原料粉末中的F相对于Al的质量比R1为5ppm以上，将包含所述氧化铝原料粉末的成型用原料成型，制成成型体；(b)将所述成型体于F挥发的温度进行加压烧成，由此得到透明氧化铝烧结体。
透明氧化铝烧结制法

[发明专利]氧化铝烧结体及光学元件用基底基板-CN201580047884.9有效
发明人：松岛洁;渡边守道;佐藤圭;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： C04B35/115 文献下载
摘要：本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为90％以上，该c晶面取向度是使用对板面照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱利用Lotgering法求出的，使用Ar+离子束和屏蔽板对在与板面垂直的方向切断而得到的截面进行研磨后利用扫描型电子显微镜以倍率5000倍进行查看时的气孔的数量为零，Mg、C以外的杂质元素的合计的质量比例为100ppm以下。该氧化铝烧结体为高取向、高密度、高纯度，因此，具有比以往高的透光性。
氧化铝烧结光学元件基底

[发明专利]发光元件用复合基板及其制造方法-CN201480069022.1有效
发明人：渡边守道;吉川润;七泷努;今井克宏;杉山智彦;吉野隆史;武内幸久;佐藤圭 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。
发光元件复合及其制造方法

[发明专利]板状氧化铝粉末的制法及板状氧化铝粉末-CN201580047885.3有效
发明人：渡边守道;福井宏史;佐藤圭;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：将γ－氧化铝粉末96质量份、AlF₃粉末4质量份、作为晶种的α－氧化铝粉末0.17质量份用罐磨机进行混合。对使用的各原料的纯度进行评价，结果，Al、O、F、H、C、S以外的各元素的质量比例为10ppm以下。将得到的混合粉末300g放入纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的匣钵中，盖上纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的盖子，在电炉内，空气流中于900℃进行3小时的热处理，得到板状氧化铝粉末。AlF₃质量除以匣钵的体积而得到的值(AlF₃质量/容器体积)为0.016g/cm³。得到的板状氧化铝粒子为纵横尺寸比11.5的α－氧化铝粒子。
氧化铝粉末制法

[发明专利]氮化镓自立基板、发光元件及它们的制造方法-CN201580001462.8有效
发明人：渡边守道;吉川润;七泷努;今井克宏;杉山智彦;吉野隆史;武内幸久;佐藤圭 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
氮化自立发光元件它们制造方法

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