“镍锗硅化物”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果110096个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有镍锗硅化物栅极的MOSFET及其形成方法-CN03823253.7有效
发明人： E·N·佩顿;相奇;P·R·贝瑟;林明仁;M·V·恩戈;王海宏 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET栅极或MOSFET源极或漏极区域包括硅锗或者多晶硅锗。以镍进行硅化，以形成镍锗硅化物(62，64)，该镍锗硅化物较佳地包括镍硅化物的单硅化物相。硅化物中包含的锗在形成单硅化物相的期间内，提供了较宽的温度范围，而却实质地维持了镍单硅化物所呈现的较好薄层电阻。结果，在随后的处理期间，镍锗硅化物比镍单硅化物更能够抵挡较高的温度，而却仍能够提供与镍单硅化物大约相同的薄层电阻与其它有利特性。
具有镍锗硅化物栅极 mosfet 及其形成方法

[实用新型]一种多晶锗硅肖特基二极管-CN200520014504.5无效
发明人：叶志镇;吴贵斌;赵星;刘国军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型的多晶锗硅肖特基二极管，包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。该多晶锗硅肖特基二极管利用生长过程中形成的镍或钻硅化物具有低的薄层电阻，它们能够与多晶锗硅形成欧姆接触，多晶锗硅在镍硅化物或钴硅化物层上，因而可以有效地降低多晶锗硅肖特基二极管的串联电阻，从而能够有效的提高器件的整流比以及降低反向漏电流
一种多晶锗硅肖特基二极管

[发明专利]在外延生长源漏区上选择性淀积覆盖层的结构与制造方法-CN200780010781.0有效
发明人： T·小库克;B·泽尔;A·穆尔蒂 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了改进自对准多晶硅化物的接触形成并减小晶体管的外部电阻的方法和装置。在衬底表面形成栅电极。在衬底中各向同性地蚀刻源区和漏区。在源区和漏区中用硼在原位对硅锗合金进行掺杂。在该硅锗合金上淀积硅。在该硅上淀积镍。在该硅锗合金上形成镍硅锗硅化物层。在该镍硅锗硅化物层上形成镍硅硅化物层。
外延生长源漏区上选择性覆盖层结构制造方法

[发明专利]一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法-CN200510060565.X无效
发明人：叶志镇;吴贵斌;赵星;刘国军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的多晶锗硅肖特基二极管包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。制作步骤如下：先在硅衬底上生长一层二氧化硅层，接着蒸镀一层金属镍，在镍上生长多晶锗硅层，涂光刻胶，并光刻，用锗硅选择性腐蚀溶液将未被光刻胶覆盖的锗硅腐蚀掉，最后蒸镀势垒金属层。本发明的多晶锗硅肖特基二极管中的镍或钴硅化物具有低的薄层电阻，它们能够与多晶锗硅形成欧姆接触，因而可以使肖特基二极管器件的电流方向与多晶锗硅的晶粒生长方向一致，减少晶界等缺陷对器件性能的影响，从而能够有效的提高器件的整流比以及降低反向漏电流
一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]用于通过减少自对准硅化物界面电阻改善晶体管性能的方法-CN200910205003.8有效
发明人： A·莫西;B·波亚诺夫;G·格拉斯;T·霍夫曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例通过使用用于源极和漏极区的硅锗合金以及镍硅锗自对准硅化物(即，自对准硅化物)层以形成源极区和漏极区的接触表面来减小晶体管的外电阻。基于硅锗和硅化物之间减少的金属半导体功函数数以及与硅相比硅锗中增加的载流子迁移率，硅锗和镍硅锗硅化物的界面具有较低的比接触电阻。可对硅锗进行掺杂以进一步调节其电属性。
用于通过减少对准硅化物界面电阻改善晶体管性能方法

[发明专利]用于通过减少自对准硅化物界面电阻改善晶体管性能的方法-CN200480033557.X有效
发明人： A·莫西;B·波亚诺夫;G·格拉斯;T·霍夫曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例通过使用用于源极和漏极区的硅锗合金以及镍硅锗自对准硅化物(即，自对准硅化物)层以形成源极区和漏极区的接触表面来减小晶体管的外电阻。基于硅锗和硅化物之间减少的金属半导体功函数数以及与硅相比硅锗中增加的载流子迁移率，硅锗和镍硅锗硅化物的界面具有较低的比接触电阻。可对硅锗进行掺杂以进一步调节其电属性。
用于通过减少对准硅化物界面电阻改善晶体管性能方法

[发明专利]在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法-CN201310258323.6无效
发明人：蔡俊晟;孔祥涛;韩晓刚;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供了一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，包括：形成有栅极以及硅锗源/漏级的半导体衬底，在硅锗层上外延一层硅，对外延硅层进行非晶化处理，在外延硅层上沉积镍铂层，第一次快速退火，湿法去除未反应的镍之后进行第二次快速退火通过在硅锗层上形成一层外延硅层，用外延硅层代替硅锗层与镍铂反应生成镍自对准硅化物，降低工艺的退火温度，提高薄膜的膜质均匀性，同时所成薄膜电阻降低减小了器件的功耗。
硅锗层上形成对准硅化物工艺方法

[发明专利]形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法-CN200810098840.0无效
发明人：文昌郁;梁铉德;田重锡;李化成;李来寅;陈薇薇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：示例实施例涉及一种形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法。根据示例实施例的形成Ge硅化物层的方法可以包括：在硅锗(SiGe)层上形成包含钒的金属层。金属层可以具有多层结构，并还可以包含铂(Pt)和镍(Ni)中的至少一种。可以将金属层进行退火以形成锗硅化物层。可以使用激光瞬间退火(LSA)方法来执行退火。
形成锗硅化物层方法半导体装置制造

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201610840197.9有效
发明人：姚陆军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极，在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源极和漏极，并在所述源极和漏极上形成硅覆盖层，所述源极和漏极采用硅锗材料；在所述硅覆盖层上形成含镍金属层，并执行第一次热处理工艺以形成初始镍硅化物，并消耗部分所述硅覆盖层；在所述初始镍硅化物上形成硅反应层，并执行第二次热处理工艺，以形成凸升的镍硅化物。该制作方法可以改善若硅覆盖层过厚引起的生长颗粒缺陷问题或若硅覆盖层过薄引起的镍硅化物与硅锗的接触问题，而且这种凸升的镍硅化物结构可以改善PN结的漏电问题。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]一种多晶锗硅薄膜的制备方法-CN200510060566.4无效
发明人：叶志镇;吴贵斌;赵星;刘国军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开的多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层；然后利用电子束蒸发，在热氧化后的硅片上蒸镀一层金属镍或金属钴；再将镀好镍或钴的样品放入超高真空化学气相沉积装置中，500～600℃下，先通入纯硅源，控制生长室压强＜20Pa，进行生长，使镍或钴转化为镍或钴硅化物，再将气源转换为纯硅烷和以氢气为载气的锗烷，在镍或钴硅化物上形成一层多晶锗硅薄膜。采用这种方法制备的多晶锗硅薄膜，一方面可以有效的减少金属的污染；另一方面由于金属诱导与薄膜生长几乎同时进行，无需退火结晶。从而能够为半导体器件制造提供高质量的多晶锗硅薄膜。
一种多晶薄膜制备方法

[发明专利]在具有极小尺寸的结构中实现硅化物、锗化物或锗硅化物形成的工艺和放大工艺窗口的方法-CN201280007822.1有效
发明人： B·L·弗莱彻;C·拉沃耶;S·L·毛雷尔;章贞 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明提供用于在极小结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的技术。在一个方面中，提供一种用于在具有极小尺寸的三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法。该方法包括以下步骤。该结构被退火以在硅、锗或硅锗内散布金属以形成硅化物、锗化物或锗硅化物，其中注入的元素用于防止硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。注入的元素可以包括碳、氟和硅中的至少一种。
具有极小尺寸结构实现硅化物锗化物锗硅化物形成工艺放大窗口方法

[发明专利]一种硅锗合金基热电元件及其制备方法-CN201610209315.6有效
发明人：吴洁华;夏绪贵;杨小燕;顾明;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锗合金基热电元件及其制备方法，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层和硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为硅化物与氮化硅的混合物，所述硅化物为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种。本发明提供的硅锗合金基热电元件中各界面结合良好，界面处未见裂纹与明显的扩散现象存在，接触电阻小，热接触状态好，且能够经受长时间的高温加速试验。
一种合金热电元件及其制备方法

[发明专利]使用硅化物接触制造半导体器件的方法-CN03814954.0有效
发明人： P·R·贝瑟;S·S·尚;D·E·布朗;E·N·佩顿 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-06-04 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种形成硅化物接触的方法，包括将一层形成于含硅的有源器件区域上，譬如源极、漏极与栅极区域。该层包含能够形成一种或者更多种金属硅化物的金属(例如，镍)，以及可溶于第一金属硅化物而不可溶于第二金属硅化物，或者较易溶于第一金属硅化物(例如，硅化镍)，较不易溶于第二金属硅化物(例如，二硅化镍)的物质(例如，若该金属为镍时，则该物质为锗、钛、铼、钽、氮、钒、铱、铬、锆)。所形成的接触包括第一金属硅化物以及较易溶于第一金属硅化物而较不易溶于第二金属硅化物的物质。该接触可能是包括衬底、含硅的有源区域、以及配置于有源区域上的硅化物接触的半导体器件的一部分，其可能将该有源区域电耦合到譬如金属线的其它区域。
使用硅化物接触制造半导体器件方法

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN200610147017.5无效
发明人： K·里姆;C·H·沃恩;J·J·埃利斯－莫纳甘;W·K·汉森;R·J·珀特尔;H·S·韦德曼;B·J·格林 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供制造一种半导体结构的方法，所述半导体结构在其不同区域包括异质硅化物或锗化物。异质硅化物或锗化物形成在半导体层、导电层或二者中。根据本发明，本发明方法使用顺序沉积不同金属和构图的组合，以在半导体芯片不同区域中形成不同硅化物或锗化物。该方法包括：提供含Si层或Ge层，其具有至少第一区域和第二区域；在所述第一或第二区域中的一个上形成第一硅化物或锗化物；以及在所述不包括所述第一硅化物或锗化物的另一个区域上形成第二硅化物或锗化物，其在组成上不同于所述述第一硅化物或锗化物，其中所述形成所述第一和第二硅化物或锗化物的步骤顺序进行或在单个步骤中进行。
形成半导体结构方法

[发明专利]嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法-CN201510707673.5有效
发明人：高剑琴;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有嵌入式外延锗硅层，所述嵌入式外延锗硅层两侧有浅沟槽隔离结构；在所述外延锗硅层上方形成单晶硅层，所述单晶硅层包覆所述外延锗硅层；在所述单晶硅层上形成多晶硅层，所述多晶硅层与单晶硅层共同构成盖帽层；对所述盖帽层依次进行退火工艺和镍硅化工艺。本发明解决了现有技术无法在嵌入式外延锗硅层上形成完全包覆外延锗硅层的盖帽层的问题，防止后续的镍硅化物工艺与外延锗硅层的锗硅的反应，改善因此带来的应力问题。
嵌入式外延锗硅层盖帽制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条