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[发明专利]一种铜-铜金属键合方法-CN202211721856.9在审
发明人：杨文华;黄鑫;谢超;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明属于三维封装技术领域，具体涉及一种铜‑铜金属键合方法。本发明提供的键合方法，包括以下步骤：在保护气氛下，利用水合肼对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理，得到待键合的镀铜键合体；所述预处理的温度为50～90℃；在保护气氛下，将待键合的镀铜键合体进行加压键合；所述加压键合的温度为200～300℃。实施例的数据表明：本发明提供的键合方法得到的铜‑铜键合面的剪切强度可达22MPa。
一种金属键方法

[发明专利]一种基于铜纳米棒的铜锡铜键合工艺及结构-CN201610024230.0有效
发明人：廖广兰;独莉;史铁林;汤自荣;陈鹏飞;沈俊杰;邵杰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铜纳米棒的铜锡铜键合工艺及结构，该工艺包括：在基片表面依次沉积绝缘层、粘附层和种子层；在种子层上旋涂一层光刻胶，并在光刻胶上制作圆孔；在圆孔中电镀铜获得铜凸点；去除光刻胶，并去除暴露的种子层和粘附层；在铜凸点表面及四周旋涂光刻胶，然后暴露铜凸点上表面；利用上述步骤得到两组基片单元，一组基片单元的铜凸点上电镀锡凸点，并去除光刻胶；另一组基片单元的铜凸点上沉积铜纳米棒，并去除光刻胶；通过热压方式将将两组基片单元键合所述铜锡铜键合结构由上述键合工艺获得。本发明将铜纳米棒应用于铜锡铜键合，能有效降低键合温度并得到紧密的键合面，制备工艺简单可控，成本低，具有极大的应用价值。
一种基于纳米铜锡铜键合工艺结构

[发明专利]用于封装IGBT模块的直接键合铜基板的贴装夹具-CN201110347313.0有效
发明人：郑志荣;孙宏伟;朱煜珂 -专利权人：无锡华润安盛科技有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种用于封装IGBT模块的直接键合铜基板的贴装夹具，属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块的封装技术领域。该贴装夹具包括载板和盖板，所述载板上设置有多个用于承载所述直接键合铜基板的承载腔，所述盖板覆盖于在所述载板上以固定所述直接键合铜基板于所述承载腔中，并且，在所述盖板上设置多个的孔以对应暴露所述承载腔中的直接键合铜基板的铜键合面
用于封装 igbt 模块直接键合铜基板夹具

[发明专利]硅片含铜量的测定方法-CN202111264065.3在审
发明人：朱志高 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片含铜量的测定方法，包括以下步骤：将待测硅片与陪片进行键合，得到键合硅片；将键合硅片在预设温度热处理预设时长，预设温度为400℃‑600℃，预设时长大于1h；在键合硅片冷却后，将键合硅片从键合处分开；测量待测硅片的分离面的含铜量值；根据待测硅片的分离面的含铜量值确定待测硅片的含铜量。根据本发明的硅片含铜量的测定方法，可避免向待测硅片的分离面引入污染，有利于更大效率地将待测硅片内的Cu扩散到待测硅片的表面，同时有利于避免移动到待测硅片的键合面上的铜重回到待测硅片体内，有利于保证测量待测硅片体内的
硅片含铜量测定方法

[发明专利]键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法-CN202211654472.X在审
发明人：李鹏;庞磊;徐向前;舒予;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体铜单晶之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现：将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下，在小于20MPa的压力下在550～650℃下保温0.5～2h后可实现无再结晶的大块铜单晶样品有效焊合。通过TEM高分辨分析进一步证实了大块铜单晶之间首次实现了原子级的扩散键合。本发明操作方法简单、节能环保、可进行批量压焊处理，从而得到无明显焊缝原子级键合态铜单晶体。
键合态铜单晶及其原子扩散工艺方法

[发明专利]用于PCB图形转移前处理制程的铜面键合溶液-CN201810212582.8有效
发明人：冯献超;冯泽宪;唐瑞泽 -专利权人：昆山长优电子材料有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于PCB图形转移前处理制程的铜面键合溶液，包括以下各组分且各组分重量百分含量为：无机酸：1～30％；络合剂：0.1～10％；有机溶剂：1～15％；缓蚀剂：0.1～10％；表面活性剂：0.1该铜面键合溶液不腐蚀铜面，避免因铜厚不足造成异常报废板出现，减少污染环境及废水处理负担。
用于 pcb 图形转移处理铜面键合溶液

[发明专利]一种铜面键合溶液-CN202110045852.2在审
发明人：朱欢欢 -专利权人：苏州创嘉力电子科技有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜面键合溶液，该铜面键合溶液包括以下各组分，且各组分重量百分含量为：无机酸12‑18％、疏烃基硅氧烷10‑20％、酰亚胺15‑25％、络合剂3‑6％、有机溶剂10‑20％、表面活性剂3‑本发明中，疏烃基硅氧烷中含有有机疏烃基和Si‑O‑Si键，Si‑0‑Si键的空间位阻效应强烈影响并弱化缔合羟基峰的振动，巯烃基硅烷在铜表面可能以化学吸附方式强烈吸附到铜表面，同时在表面自我交联形成了线性低聚物，从而使其抗腐蚀性能大幅度提高，显著提高了铜面干膜的致密性和抗腐蚀性。
一种铜面键合溶液

[发明专利]一种铜-铜键合的方法-CN201910132238.2在审
发明人：王英辉;陆阳婷 -专利权人：中科院微电子研究所昆山分所
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜‑铜键合的方法，包括以下步骤：a)在衬底上依次沉积Ti缓冲层和铜薄膜层，得到待键合样品；b)将两个步骤a)得到的待键合样品的铜薄膜层相对放置，在惰性气体保护条件下依次进行甲酸处理和加压处理，得到键合后的产品。与现有技术相比，本发明提供的铜‑铜键合的方法通过甲酸处理，使待键合样品表面铜薄膜层上的氧化物实现彻底去除，同时提高铜薄膜层表面粗糙度和平均面积，有利于后续加压处理；从而在避免铜氧化的基础上，能够实现低温直接键合，并且本发明提供的铜‑铜键合的方法键合质量好、成功率高，对器件的性能的影响较低，同时工艺简单、成本低，适用于工业化生产。
一种铜键合方法

[发明专利]一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺-CN201110132163.1无效
发明人：赵剑青;杨东鲁;黄浩;赖志伟;钟丁通 -专利权人：迈士通集团有限公司
申请日： 2011-05-22 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺，其步骤是：1）将单晶铜杆通过若干道拉丝工序后形成细小的单晶铜键合丝；2）将经过乙醇超声洗涤的单晶铜键合丝作退火软化加工处理；3）在退火管后设置乙醇冷却槽，将退火后的单晶铜键合丝作乙醇急速冷却处理；4）将经过乙醇冷却槽急冷的单晶铜键合丝以红外干燥装置烘干；5）将干燥后的单晶铜键合丝经复绕分卷及真空包装后得到单晶铜键合丝产品。按照本发明生产的单晶铜键合丝能大大提高产品的抗氧化性能，并保证其性质均一、表面清洁干燥，有效提高单晶铜键合丝产品的封装性能，本方法生产工艺过程简单，操作简便。
一种提高单晶铜键合丝封装性能制备工艺

[发明专利]一种大功率模块粗铜线键合结构-CN202011477028.6在审
发明人：王志超 -专利权人：华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开的一种大功率模块粗铜线键合结构，包括双面覆铜陶瓷基板与铜键合线，所述双面覆铜陶瓷基板上设置有芯片，所述芯片上设置有铜箔缓冲层，铜箔缓冲层通过焊接层与芯片的键合表面固定连接，所述铜键合线与铜箔缓冲层键合连接本发明通过设置铜箔缓冲层，实现了铜键合线与芯片键合表面的键合连接，提升了载流能力，进而提升了功率模块的可靠性。
一种大功率模块铜线结构

[发明专利]一种表面镀镍的铜基键合丝及其制备方法-CN202010260467.5有效
发明人：周钢 -专利权人：广东佳博电子科技有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明属于铜基键合材料的技术领域，具体涉及一种表面镀镍的铜基键合丝及其制备方法。所述铜基键合丝的原料包括金属铜、镍、锰、钨、硼以及锆，所述金属铜、锰、钨、硼以及锆构成铜基母合金，在铜基母合金表面镀镍层制成该铜基键合丝；通过表面镀镍的方式，大大提高铜基键合丝的防氧化性能以及键合稳定性，掺杂微量元素的铜基键合丝以及表面镀镍的方式能够有效提高键合丝材料的使用性能，成球均一，同时提高焊接性能，在实际使用的焊接中焊球容易控制且形貌优良，焊接较为稳定；采用结合合金法和表面镀层的方式改善键合丝的性能，形成高硬度、高抗氧抗硫、延展性高、塑性好的铜基键合丝，相比镀钯工艺，极大程度上降低了制造成本。
一种表面铜基键合丝及其制备方法

[实用新型]一种大功率模块粗铜线键合结构-CN202023024596.9有效
发明人：王志超 -专利权人：华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种大功率模块粗铜线键合结构，包括双面覆铜陶瓷基板与铜键合线，所述双面覆铜陶瓷基板上设置有芯片，所述芯片上设置有铜箔缓冲层，铜箔缓冲层通过焊接层与芯片的键合表面固定连接，所述铜键合线与铜箔缓冲层键合连接本实用新型通过设置铜箔缓冲层，实现了铜键合线与芯片键合表面的键合连接，提升了载流能力，进而提升了功率模块的可靠性。
一种大功率模块铜线结构

[发明专利]一种镀金键合铝线及其制备方法-CN202010090416.2有效
发明人：曹军 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供一种镀金键合铝线及其制备方法，镀金键合铝线的质量百分比组份为铜：15％～20％，镍：0.3％～5％或银：0.3％～6.5％，金：1.2％～7.5％，余量为铝或铝‑硅合金。制备方法为：制备铝杆或铝‑硅合金杆，然后包覆铜，进行拉制，再镀镍或镀银，然后镀金，最后经过微细拉制、超微细拉制和热处理制备出镀金键合铝线。本发明中的镀金键合铝线具有高强度、高可靠性特征，满足IGBT器件的应用，采用小减面率加工及控制模具入口区角度、定径区长度和出口区角度以实现镀金键合铝线大长度拉制，消除了镀金键合铝线拉丝过程中易于断线的现象；同时确保了镀金键合铝线表面具有良好的光洁度，有效确保了键合过程的键合强度。
一种镀金键合铝线及其制备方法

[发明专利]铜铜键合材料的制备方法及其应用-CN202010639826.8在审
发明人：胡斌 -专利权人：苏州清飙科技有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铜键合材料的制备方法及其应用，其中，铜铜键合材料的制备方法包括如下步骤：步骤S1，在至少一个待焊接物的待焊接面设置纳米多孔铜泡沫层；步骤S2，将所述待焊接物的待焊接面相对设置，并实施热压键合，使待焊接的两侧物体之间实现铜铜键合，得到所述铜铜键合材料。根据本发明的制备方法，得到高密度的全铜互连，该铜铜键合中不含任何有机物，不仅具有良好的电气和热力学性能，且即使在相对高温下使用，也不会产生由于有机物挥发导致产生孔洞的问题，由于键合界面两侧都是铜，不会出现因为铜锡扩散系数差异导致铜锡界面的柯肯达尔孔洞
铜铜键合材料制备方法及其应用

[发明专利]一种非微蚀型有机铜面键合剂及其制备方法-CN202211435178.X在审
发明人：刘旭;蔡辉星;蔡辉高 -专利权人：深圳市励高表面处理材料有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09J175/04 文献下载
摘要：本申请涉及键合剂的技术领域，具体公开了一种非微蚀型有机铜面键合剂及其制备方法。一种非微蚀型有机铜面键合剂，包括水性聚氨酯和改性聚氨酯中的任意一种或两种，所述水性聚氨酯和改性聚氨酯上接枝有连接官能团，所述连接官能团包括键合官能团和聚合官能团中的任意一种或两种，所述键合官能团选自羧基本申请的键合剂可用于多层线路板中，其具有结合牢固、不易微蚀铜表面、使用简便的优点。
一种非微蚀型有机铜面键合剂及其制备方法

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