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[发明专利]一种铜柱微凸点结构的制作方法及其结构-CN201310307081.5无效
发明人：戴风伟;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜柱微凸点结构及制作方法，简化了工艺制程，降低了生产成本，同时提高了产品的良品率，其包括以下步骤：（1）在IC晶圆上制作多层RDL金属互连结构，当完成最后一层RDL金属互连层的电镀后，剥离光刻胶，但不腐蚀其种子层；（2）在最后一层RDL金属连层及其种子层上直接涂覆光刻胶，用于制作铜柱微凸点；（3）对光刻胶图形化，裸露出RDL金属互连层，以确定铜柱微凸点的大小和节距；（4）电镀铜柱和SnAg焊料；（5）剥离光刻胶；（6）刻蚀最后一层RDL金属互连层的种子层，也是用于电镀铜柱微凸点的种子层；（7）SnAg焊料回流；本发明同时还供了一种铜柱微凸点结构。
一种铜柱微凸点结构制作方法及其

[发明专利]一种TSV转接板及其制造工艺-CN201410450356.5有效
发明人：何洪文;孙鹏;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种TSV转接板及其制造工艺，先在基板上进行植球工艺，形成凸点，然后将铜柱嵌入凸点中，形成铜柱凸点结构；利用塑封工艺将铜柱凸点结构进行塑封，利用湿法或干法工艺将铜柱上表面露出来，进行正面RDL层和第一微凸点的制造工艺；将基板材料去除，利用减薄工艺打磨基板背面，直到露处铜柱的下表面为止，做背面RDL层和第二微凸点，完成整个的TSV转接板工艺。
一种 tsv 转接及其制造工艺

[发明专利]铜柱凸点结构及成型方法-CN201410135780.0有效
发明人：李昭强;戴风伟;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及方法，尤其是一种铜柱凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述铜柱凸点结构，包括基底及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述金属焊盘的外圈设有介质层，所述介质层覆盖在绝缘层上，并覆盖在金属焊盘的外圈边缘；金属焊盘的正上方设有铜柱，所述铜柱的底部通过种子层与金属焊盘及介质层接触，且种子层覆盖铜柱的外侧壁；在铜柱的顶端设有焊料凸点。本发明采用在光刻胶上形成种子层的方法，避免了侧向钻蚀的现象，并且铜柱侧壁表面具有种子层，对铜柱形成保护作用，提高了微凸点加工制造的可靠性和良品率。
铜柱凸点结构成型方法

[发明专利]实现超窄节距互连的高密度铜柱微凸点制备工艺及其应用-CN202310160698.2在审
发明人：叶义军;俞国庆;郝杰 -专利权人：立芯精密智造（昆山）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现超窄节距互连的高密度铜柱微凸点制备工艺及其应用，其包括以下步骤：S1、在晶圆上溅射种子层；S2、制作牺牲层；S3、制作掩膜层并光刻、显影得到软掩膜图形；所述软掩膜图形的线条之间形成有若干槽孔，所述槽孔向下延伸至牺牲层的下表面；S4、在所述槽孔中制备得到铜柱，所述铜柱的顶部突出所述掩膜层的上表面形成键合部；S5、对所述铜柱表面进行抛光至设定高度；S6、剥离所述牺牲层与所述掩膜层；S7、对所述种子层进行刻蚀，在每一个所述铜柱的底部形成一个焊盘，完成高密度铜柱微凸点的制备。本发明大大降低了铜柱表面粗糙度，为实现低温低压凸点键合互连工艺奠定了条件基础，实现了超窄节距的高密度互联。
实现超窄节距互连高密度铜柱微凸点制备工艺及其应用

[发明专利]细节距铜柱微凸点制备工艺-CN201510307277.3在审
发明人：何洪文;于大全;孙鹏;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种细节距铜柱微凸点制备工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆表面电镀Ti/Cu种子层；（2）在Ti/Cu种子层表面沉积铜层；（3）在铜层表面制备钎料层；（4）在钎料层表面涂覆光刻胶层；（5）在光刻胶层上进行开口工艺，形成开口，开口由光刻胶层的上表面延伸至光刻胶层的下表面；制作开口后所保留的光刻胶层的大小、数量、分布与所需制备的铜柱的大小、数量、分布相一致；（6）在开口处进行刻蚀，将开口下方的钎料层、铜层和Ti/Cu种子层刻蚀掉，露出晶圆的上表面；（7）剥离残留的光刻胶层；（8）回流形成铜柱微凸点。本发明可批量完成铜柱凸点的制备，提高了生产效率；可实现三元或多元合金钎料的凸点制备，满足不同产品的应用。
细节距铜柱微凸点制备工艺

[实用新型]铜柱凸点结构-CN201821951664.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提出一种铜柱凸点结构，涉及半导体生产技术领域，结构包括：具有金属焊盘的半导体器件；设置于金属焊盘上的铜柱；具有U形截面的金属阻挡层，位于铜柱上金属阻挡层的中间部覆盖铜柱的顶面，U形截面的开口朝向远离铜柱的方向，其中金属阻挡层位于U形截面的侧边的周边部包括由金属阻挡层的中间部一体延伸并往远离铜柱的方向曲折形成进而突出于顶面的挡墙；位于铜柱上并填充于U形截面内的焊料层。
铜柱金属阻挡层焊料层本实用新型金属焊盘凸点结构中间部侧边填充半导体生产技术润湿半导体器件一体延伸焊锡量周边部挡墙顶面焊锡爬锡桥接锡量开口曲折覆盖

[发明专利]晶圆级铜柱微凸点结构及制作方法-CN201410166240.9有效
发明人：何洪文;孙鹏 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级铜柱微凸点结构及制作方法，包括晶圆、多个导电柱体和介质层，导电柱体包括聚合物核心、电镀种子层和金属铜层，导电柱体上表面露出介质层上表面、并设置凸点，导电柱体下表面与晶圆上的焊盘连接。所述晶圆级铜柱微凸点结构的制作方法，包括以下步骤：（1）在晶圆上表面涂覆聚合物层，刻蚀得到聚合物核心；（2）在晶圆上表面制作电镀种子层；在电镀种子层上表面制作金属铜层；（3）刻蚀掉不需要的电镀种子层和金属铜层；（4）导电柱体间填充介质；（5）在步骤（4）结构上表面涂覆光刻胶，露出金属铜层上表面、并电镀钎料后回流焊形成凸点；去除光刻胶。本发明可以防止凸点开裂现象的发生，提高铜柱凸点的可靠性。
晶圆级铜柱微凸点结构制作方法

[发明专利]晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺-CN201410448238.0在审
发明人：何洪文;孙鹏;曹立强;林挺宇 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺，包括两个或多个晶圆级扇出型封装单元，其特征是：所述晶圆级扇出型封装单元包括第一塑封材料，在第一塑封材料中设置铜柱或铜线，第一塑封材料的正面设置正面再布线层，正面再布线层上设置正面微凸点，第一塑封材料的背面设置背面再布线层，背面再布线层上设置背面微凸点；相邻两个晶圆级扇出型封装单元通过上层封装单元的背面微凸点和下层封装单元的正面微凸点连接。本发明首先将芯片粘结在膜材料上，然后将铜柱与临时载片键合，然后粘附到膜材料上，应用塑封料进行整体塑封，再进行RDL和微凸点的工艺、三维堆叠工艺。
晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺

[发明专利]防止凸点侧向刻蚀的凸点结构及成型方法-CN201410136929.7有效
发明人：李昭强;戴风伟;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，尤其是一种防止凸点侧向刻蚀的凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述防止凸点侧向刻蚀的凸点结构，包括基底以及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述金属焊盘的外圈设有介质层，所述介质层覆盖在绝缘层上，并覆盖在金属焊盘的外圈边缘；金属焊盘的正上方设有铜柱，所述铜柱的底端依次通过种子层及粘附层与金属焊盘接触并电连接，且铜柱的底端通过种子层及粘附层支撑在介质层上，铜柱的顶端设有焊料凸点。本发明采用首先对粘附层进行图形化的方法，避免了电镀后去除粘附层容易产生侧向钻蚀的问题，提高了微凸点加工制造的可靠性和良品率。
防止侧向刻蚀结构成型方法

[实用新型]一种防止芯片凸点短路的封装件-CN201320267936.1有效
发明人：王虎;朱文辉;谌世广;钟环清;刘卫东 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止芯片凸点短路的封装件，所述封装件主要包括铜线路、环状铜柱，铜柱、铜板、芯片凸点、芯片、溶化后的芯片凸点、塑封体、背面蚀刻后余留铜柱、绿油层、锡球。所述铜板上有铜线路、环状铜柱和铜柱，所述环状铜柱内粘接有溶化后的芯片凸点，芯片凸点上有芯片，铜板背面蚀刻后为余留铜柱，铜板背面有绿油层，锡球在背面蚀刻后余留铜柱上。所述的塑封体包围了铜板的上表面、铜线路、环状铜柱、铜柱、芯片，形成了电路整体。芯片及其上的芯片凸点、环状铜柱、以及背面蚀刻后余留铜柱构成了电源和信号通道。本实用新型中两个芯片凸点之间可避免短路，提高产品可靠性。
一种防止芯片短路封装

[发明专利]一种防止芯片凸点短路的封装件及其制造工艺-CN201310181835.7在审
发明人：王虎;朱文辉;谌世广;钟环清;刘卫东 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止芯片凸点短路的封装件及其制造工艺，所述封装件主要包括铜线路、环状铜柱，铜柱、铜板、芯片凸点、芯片、溶化后的芯片凸点、塑封体、背面蚀刻后余留铜柱、绿油层、锡球。所述铜板上有铜线路、环状铜柱和铜柱，所述环状铜柱内粘接有溶化后的芯片凸点，芯片凸点上有芯片，铜板背面蚀刻后为余留铜柱，铜板背面有绿油层，锡球在背面蚀刻后余留铜柱上。所述的塑封体包围了铜板的上表面、铜线路、环状铜柱、铜柱、芯片，形成了电路整体。芯片及其上的芯片凸点、环状铜柱、以及背面蚀刻后余留铜柱构成了电源和信号通道。本发明中两个芯片凸点之间可避免短路，提高产品可靠性。
一种防止芯片短路封装及其制造工艺

[发明专利]以薄镍层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构及其制备方法-CN201710352929.4在审
发明人：凌惠琴;王冬凡;胡安民;李明 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种以薄Ni层作为阻挡层的微凸点结构及其制备方法，该微凸点结构通过包括以下步骤的方法制备在有种子层上的硅片上喷涂光刻胶，经过图形曝光、显影，种子层上方形成小尺寸直径微孔结构样品；在铜电镀溶液中电镀形成一层导电铜柱，洗净吹干；在镍电镀溶液中快速电镀，在铜柱上方形成一层薄的镍金属层，洗净吹干；在锡电镀溶液中电镀，在镍层上方形成一层锡层，洗净吹干；用丙酮浸泡，洗去图形化后的光刻胶，即可。本发明的微凸点结构形成了稳定的铜镍锡三元合金相，能够减少凸点时效过程中金属间化合物和孔洞的生长，效果良好，可广泛用于各种高端电子制造领域。
薄镍层作为阻挡铜镍锡微凸点结构及其制备方法

[发明专利]一种铜柱凸点封装结构的成型方法-CN201410476004.7有效
发明人：陈萍;赵修臣;刘颖;李红 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明所述铜柱凸点封装结构包括：半导体衬底和位于所述衬底上的金属焊盘；所述金属焊盘的四周设有钝化层，所述钝化层覆盖于衬底上；凸点下金属化层位于金属焊盘及金属焊盘四周边缘部分的钝化层上，所述凸点下金属化层包括位于金属焊盘上的粘附层，位于粘附层上的阻挡层，位于阻挡层上的抗氧化层；铜柱位于凸点下金属化层的正上方，所述铜柱的顶端设有焊料凸点，所述焊料凸点的底部通过界面阻挡层与铜柱接触。本发明采用添加纳米颗粒的复合焊料凸点和凸点与铜柱之间增加阻挡层的方法，弱化铜柱和凸点之间的界面反应，避免因金属间化合物的形成而导致结构失效，从而提高了铜柱凸点封装结构的可靠性和耐用性。
一种铜柱凸点封装结构成型方法

[发明专利]一种新型大马士革铜铜键合结构的制作方法-CN201310721130.X有效
发明人：薛恺;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型大马士革铜铜键合结构的制作方法，有效降低了铜柱表面粗糙度，提高了微凸点的表面平整度，保证了晶圆不同区域的微凸点高度的一致，满足铜铜键合工艺对表面平整度的要求，在后续的微组装工艺中不用做底填工艺，在降低工艺复杂度的同时，提高键合结构的可靠性，其特征在于：（1）在晶圆表面制作粘附层和种子层；（2）在晶圆表面淀积铜层；（3）对铜层进行图形化；（4）去除微凸点位置以外的铜形成微凸点结构；（5）去除微凸点区域以外的粘附层形成电隔离的微凸点结构；（6）去除光刻胶得到微凸点结构；（7）在微凸点结构间填充涂覆介质层；（8）对晶圆表面进行处理得到高度均匀，表面平坦光滑的介质层和外露的微凸点结构。
一种新型大马士革铜铜键合结构制作方法

[发明专利]一种铜铜键合凸点的制作方法-CN201310721054.2有效
发明人：薛恺;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铜键合凸点的制作方法，有效降低了铜柱表面粗糙度，提高了微凸点的表面平整度，同时保证了晶圆不同区域的微凸点高度的一致，满足铜铜键合工艺对表面平整度的要求；其特征在于：包括以下步骤：（1）在晶圆表面制作粘附层和种子层；（2）在晶圆表面淀积铜层；（3）对晶圆表面的铜层进行处理，改善铜表面粗糙度和平整度；（4）利用光刻工艺对铜层进行图形化；（5）去除微凸点位置以外的铜，在晶圆上形成微凸点结构；（6）去除晶圆表面微凸点区域以外的粘附层材料，形成电隔离的微凸点结构；（7）去除晶圆表面的光刻胶，得到高度均匀，表面平坦光滑的微凸点结构。
一种铜铜键合凸点制作方法

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